Kim, Su-Hyeon;Kim, Hyoung-Wook;Kang, Joo-Hee;Euh, Kwangjun
Korean Journal of Metals and Materials
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v.49
no.5
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pp.380-387
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2011
Wire brushing, which is a typical surface preparation method for roll bonding, has recently been highlighted as a potentially effective method for surface nanocrystallization. In the present study, the microstructure evolution and hardness of the wire-brushed surface and roll-bonded interface of a 1050 aluminum sheet were investigated. Wire brushing formed protruded layers with a nanocrystalline structure and extremely high surface hardness. After roll bonding, the protruded layers remained as hard layers at the interface. Due to their hardness and brittleness the interface hard layers, can affect the interface bonding properties and also play an important role determining the mechanical properties of multi-layered clad sheets.
In this study, we have prepared a Ti-6Al-4V/V/17-4 PH composite structure via a direct energy deposition process, and analyzed the interfaces using scanning electron microscopy (SEM) and transmission electron microscopy (TEM). The joint interfaces comprise two zones, one being a mixed zone in which V and 17-4PH are partially mixed and another being a fusion zone in the 17-4PH region which consists of Fe+FeV. It is observed that the power of the laser used in the deposition process affects the thickness of the mixed zone. When a 210 W laser is used, the thickness of the mixed zone is wider than that obtained using a 150 W laser, and the interface resembles a serrated shape. Moreover, irrespective of the laser power used, the expected σ phase is found to be absent in the V/17-4 PH stainless steel joint; however, many VN precipitates are observed.
We have fabricated YBa$_2$Cu$_3$$O_{7-x}$ (YBCO) ramp-edge Josephson junctions by modifying ramp edges of the base electrodes without depositing any artificial barrier layer. YBa$_2$Cu$_3$O/7-x//SrTiO$_3$ (YBCO/STO) films were deposited on SrTiO$_3$(100) by on-axis KrF laser deposition. After patterning the bottom YBCO/STO layer, the ramp edge was cleaned by ion-beam and then reacted with deionized water under various conditions prior to the deposition of counter-electrode layers. The top YBCO/STO layer was deposited and patterned by photolithography and ion milling. We measured current-voltage (I-V) characteristics, magnetic field modulation of the critical current at 77 K. Some showed resistively shunted junction (RSJ)-type I-V characteristics, while others exhibited flux-flow behaviors, depending on the dipping time of the ramp edge in deionized water. Junctions fabricated using optimized conditions showed fairly uniform distribution of junction parameters such as I$_{c}$R$_{n}$ values, which were about 0.16 mV at 77 K with 1$\sigma$~ 24%. We made a dc SQUID with the same deionized water treated junctions, and it showed the sinusoidal modulation under applied magnetic field at 77 K. 77 K.
Fiber-metal laminates (FMLs) and polymer matrix composites (PMCs) are formed in various ways. In particular, FMLs in which aluminum is laminated as a reinforced layer are widely used. Also, glass fiber-reinforced plastics (GFRPs) are generally applied as fiber laminates. The bonding interface layer between the aluminum and fiber laminate exhibits low strength when subjected to hot press fabrication in the event of delamination fracture at the interface. This study presents a simple method for strengthening the interface bonding between the aluminum metal and GFRP layer of FML composites. The surfaces of the aluminum interface layer are engraved with three kinds of patterns by using the laser machine before the hot press works. Furthermore, the effect of the laser patterns on the interfacial toughness is investigated. The interfacial toughness was evaluated by the energy release rate (G) using an asymmetric double cantilever bending specimen (ADCB). From the experimental results, it was shown that the strip type pattern (STP) has the most proper pattern shape in GFRP/Al FML composites. Therefore, this will be considered a useful method for the safety assessment of FML composite structures.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.19
no.3
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pp.576-583
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2018
Silicon carbide is considered to be a potentially useful material for high-temperature electronic devices, as its band gap is larger than that of silicon and the p-type and/or n-type conduction can be controlled by impurity doping. Particularly, porous n-type SiC ceramics fabricated from ${\beta}-SiC$ powder have been found to show a high thermoelectric conversion efficiency in the temperature region of $800^{\circ}C$ to $1000^{\circ}C$. For the application of SiC thermoelectric semiconductors, their figure of merit is an essential parameter, and high temperature (above $800^{\circ}C$) electrodes constitute an essential element. Generally, ceramics are not wetted by most conventional braze metals,. but alloying them with reactive additives can change their interfacial chemistries and promote both wetting and bonding. If a liquid is to wet a solid surface, the energy of the liquid-solid interface must be less than that of the solid, in which case there will be a driving force for the liquid to spread over the solid surface and to enter the capillary gaps. Consequently, using Ag with a relatively low melting point, the junction of the porous SiC semiconductor-Ag and/or its alloy-SiC and/or alumina substrate was studied. Ag-20Ti-20Cu filler metal showed promise as the high temperature electrode for SiC semiconductors.
The Ohmic contact of Ti/Au metals on n-type ZnO thin film deposited on c-plane sapphire substrates by pulsed laser deposition was investigated by TLM (transfer length method) patterns. The Ti/Au metal films with thickness of 35 nm and 90 nm were deposited by electron-beam evaporator and thermal evaporator, respectively. By using the photo-lithography method, the $100{\times}100{\mu}m^2$ TLM patterns with $6{\sim}61{\mu}m$ gaps were formed. To improve the electrical properties as well as to decrease an interface states and stress between metal and semiconductor, the post-annelaing process was done in oxygen ambient by rapid thermal annealing system at temperature of $100{\sim}500^{\circ}C$ for 1 min. In this study, it appeared that the minimum specific contact resistivity shows about $1.1{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm^2$ in $300^{\circ}C$ annealed sample, which may be originated from formation of oxygen vacancies of ZnO during an oxidation of Ti metal at the interface of Ohmic contacts.
Kim, Sung-Hyuk;Kim, Jae-Myeong;Yoo, Sehoon;Park, Young-Bae
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.19
no.4
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pp.57-64
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2012
Ball shear test was performed by test variables such as loading speed and annealing time in order to investigate the effect of surface finishes on the bonding strength of Sn-1.2Ag-0.7Cu-0.4In Pb-free solder. The shear strength increased and the ductility decreased with increasing shear speed. With increasing shear speed, the electroless nickel immersion gold (ENIG) finish showed dominant brittle fracture mode, while organic solderability preservative (OSP) finish showed pad open fracture mode. The shear strength and toughness for both surface finishes decreased with increasing annealing time under the high-speed shear test of 500 mm/s. Typically, the thickness of intermetallic compound increased with increasing annealing time, which means that exposure of brittle fracture became much easier. With increasing annealing time, the both ENIG and OSP finishes exhibited the pad open fracture mode. Overall, ENIG finish showed higher shear strength rather than OSP finish due to its superior barrier stability.
Wang Qian;Kim Woonbae;Choa Sung-Hoon;Jung Kyudong;Hwang Junsik;Lee Moonchul;Moon Changyoul;Song Insang
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.12
no.3
s.36
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pp.197-205
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2005
Development of the packaging is one of the critical issues for commercialization of the RF-MEMS devices. RF MEMS package should be designed to have small size, hermetic protection, good RF performance and high reliability. In addition, packaging should be conducted at sufficiently low temperature. In this paper, a low temperature hermetic wafer level packaging scheme for the RF-MEMS devices is presented. For hermetic sealing, Au-Sn eutectic bonding technology at the temperature below $300{\times}C$ is used. Au-Sn multilayer metallization with a square loop of $70{\mu}m$ in width is performed. The electrical feed-through is achieved by the vertical through-hole via filled with electroplated Cu. The size of the MEMS Package is $1mm\times1mm\times700{\mu}m$. By applying $O_2$ plasma ashing and fabrication process optimization, we can achieve the void-free structure within the bonding interface as well as via hole. The shear strength and hermeticity of the package satisfy the requirements of MIL-STD-883F. Any organic gases or contamination are not observed inside the package. The total insertion loss for the packaging is 0.075 dB at 2 GHz. Furthermore, the robustness of the package is demonstrated by observing no performance degradation and physical damage of the package after several reliability tests.
Cho, Jae-Hyung;Hwang, Sang-Youp; Kim, Soo-Kil;Ahn, Dong-June;Lim, Tae-Hoon;Ha, Heung-Yong
Clean Technology
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v.13
no.4
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pp.293-299
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2007
Direct coating of catalyst layer on the $Nafion^{(R)}$ membrane has been optimized in the process of fabrication of membrane electrode assembly (MEA) to enhance the performance of direct methanol fuel cell (DMFC). In this method, the contact resistance at the interface of the catalyst layer and the membrane was found to be low. The effect of catalyst loading, thickness of membrane and the gas diffusion layer (GDL) with or without the presence of micro-porous layer (MPL) on the performance of the MEA was also investigated. The MEA fabricated by the above-mentioned method exhibited a performance of $147\;mW/cm^2$ and $100\;mW/cm^2$ at $80^{\circ}C$ and $60^{\circ}C$, respectively, with the catalysts loading of $4\;mg/cm^2$.
Sn-Bi eutectic alloy has been widely used as one of the key solder materials for step soldering at low temperature. The Sn-58Bi solder paste containing chloride flux was adopted to compare with that using the chloride-free flux. The paste was applied on the electroless nickel-immersion gold (ENIG) surface finish by stencil printing, and the reflow process was then performed at $170^{\circ}C$ for 10 min. After reflow, the solder joints were aged at $125^{\circ}C$ for 100, 200, 300, 500 and 1000 h in an oven. The interfacial microstructures were obtained by using scanning electron microscopy (SEM), and the composition of intermetallic compounds (IMCs) was analyzed using energy dispersive spectrometer (EDS). Two different IMC layers, consisting of $Ni_3Sn_4$ and relatively very thin Sn-Bi-Ni-Au were formed at the solder/surface finish interface, and their thickness increased with increasing aging time. The wettability of solder joints was investigated by wetting balance test. The mechanical property of each aging solder joint was evaluated by the ball shear test in accordance with JEDEC standard (JESD22-B117A). The results show that the highest shear force was measured when the aging time was 100 h, and the fracture mode changed from ductile fracture to brittle fracture with increasing aging time. On the other hand, the chloride flux in the solder paste did not affect the shear force and fracture mode of the solder joints.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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