• 한국기계가공학회지
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• 제8권2호
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• pp.76-82
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• 2009

In this papers, Study on the Bonding property and Strength Evaluation in Bonding interface Joints of Dissimilar material using DOE. We found optimal condition that uses experimental design method (Response Surface Analysis, DOE) used temperature, pressure, time on experiment factor. And we could get bonding condition and strength that break and crack do not happen in mechanical processing about united dissimilar material. And progress 3 point bending tests and verified result.

• Journal of Welding and Joining
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• 제12권3호
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• pp.48-55
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• 1994

In this experiment, to find optimum brazing conditions for Cu/Stainless Steel brazing using filler metals of Ag-Cu-Zn-Cd system, first of all spreading ratio was tested on 304 stainless Steel and low carbon steel. And then shear test of brazed joint was executed. As the result of that, the shear strengths of brazed joints were the range of 60-90 MPa. Through microstructure analysis for brazed interface layer, We found as follows. Firstly interface layer increased as time increased. Secondly continuous layer of Ag-Cd compound was observed along the side of stainless steel. Also by means of EDS analysis for fracture surface, ductile fracture was occurred and precipitates on the fracture surface were found to include Cr, Mn, Si in Ag-rich phase.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2011년도 춘계학술논문집 1부
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• pp.196-197
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• 2011

실리콘 태양전지의 pn 접합 계면특성을 조사하기 위해서 p형 실리콘 기판 위에 전기로를 이용한 $POCl_3$ 공정을 통하여 n형의 불순물을 주입하여 pn접합을 만들었다. n형 불순물의 확산되어 들어가는 공정시간이 길고 공정온도가 높을수록 면저항은 줄어들었다. n형 불순물의 주입이 많아질수록 pn 접합 계면에서의 전자친화도가 줄어들면서 면저항은 감소되었다고 할 수 있다. n형 반도체의 페르미레벨이 높아지면서 공핍층도 생기지만 n형 불순물이 많아지면서 공핍층의 폭은 점점 좁아지고 쇼키 장벽의 높이도 낮아지면서 자유전자와 홀 쌍의 이동이 쉽게 이루어지게 되었다. n형의 불순물 확산공정시간이 긴 태양전지 셀에서 F.F. 계수가 높게 나타났으며, 효율도 높게 나타났다.

• 한국정밀공학회지
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• 제16권3호통권96호
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• pp.78-83
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• 1999

The bonding interface is dependent on the properties of surfaces prior to SDB(silicon wafer direct bonding). In this paper, we prepared silicon surfaces in several chemical solutions, and annealed bonding wafers which were combined with thermally oxidized wafers and bare silicon wafers in the temperature range of $600{\times}1000^{\circ}C$. After bonding, the bonding interface is investigated by an infrared(IR) topography system which uses the penetrability of infrared through silicon wafer. Using this procedure, we observed intrinsic bubbles at elevated temperatures. So, we verified that these bubbles are related to cleaning and drying conditions, and the interface oxides on silicon wafer reduce the formation of intrinsic bubbles.

• 한국항공우주학회지
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• 제30권8호
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• pp.65-70
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• 2002

본 연구에서는 로켓엔진에 사용되고 있는 2상 스테인리스강의 브레이징 접합성에 관하여 접합 현상과 기계적 강도의 두가지 측면의 고찰을 통하여 검증하였다. UNS32550을 모재로, MBF-50을 인서트금속으로 사용하여 브레이징 접합온도를 1473K, 1498K로 변화시키고, 접합 시간은 0~1.8ks로 변화시키면서 각 조건에서의 접합현상을 고찰한 결과, 접합부에서는 모재와 인서트금속간의 반응으로 인해 다양한 상이 생성되었다. 접합 초기에는 접합계면 및 접합부 근방의 모재에서 BN가 생성되고, 접합계면에서는 Cr질화물이 생성되어 접합 시간이 증가함에 따라 BN과 Cr질화물의 양이 감소하였다. 전단시험 결과 500MPa의 우수한 전단강도를 얻었다.

• 대한용접접합학회:학술대회논문집
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• 대한용접접합학회 1999년도 특별강연 및 추계학술발표대회 개요집
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• pp.273-276
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• 1999

• 대한용접접합학회:학술대회논문집
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• 대한용접접합학회 2003년도 추계학술발표대회 개요집
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• pp.72-73
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• 2003

• 대한용접접합학회:학술대회논문집
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• 대한용접접합학회 2003년도 추계학술발표대회 개요집
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• pp.89-90
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• 2003

• 대한용접접합학회:학술대회논문집
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• 대한용접접합학회 2002년도 춘계학술발표대회 개요집
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• pp.263-265
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• 2002

• 대한용접접합학회:학술대회논문집
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• 대한용접접합학회 2002년도 춘계학술발표대회 개요집
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• pp.260-262
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• 2002