• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2000.11a
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• pp.250-255
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• 2000

본 "수소 플라즈마를 이용한 SOI 기판 제작 및 SOI 전력용 반도체 소자 제작에 관한 연구"를 통해 수소플라즈마 전처리 공정에 의한 실리콘 기판 표면의 활성화를 통해 실리콘 직접 접합 공정을 수행하여 접합된 기판쌍을 제작할 수 있었으며, 접합된 기판쌍에 대한 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 통해 SOI(Silicon on Insulator) 기판을 제작할 수 있었다. 아울러, 소자의 동작 시뮬레이션을 통해 기존 SOI LIGBT(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor) 소자에 비해 동작 특성이 향상된 이중 채널 SOI LIGBT 소자의 설계 파라미터를 도출하였으며, 공정 시뮬레이션을 통해 소자 제작 공정 조건을 확립하였고, 마스크 설계 및 소자 제작을 통해 본 연구 수행으로 개발된 SOI 기판의 전력용 반도체 소자 제작에 대한 가능성을 확인할 수 있었다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2007.06a
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• pp.65-68
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• 2007

전극 막 접합체를 만드는 방법 중 연속식 공정으로서의 데칼법의 장점은 제조공정의 단순화와 두께 균일성 그리고 대량생산 등을 그 예로 들 수 있다. 본 실험에서는 코터를 이용해 전극 막 접합체를 만들기 위해 높은 점도의 촉매 슬러리를 제조하였다. Johnson Mattey 사의 HiSPEC 40 wt% Pt/C 촉매와 Dupont사의 20 wt% Nafion Solution 그리고 물을 이용하여 촉매 슬러리를 제조한 후 코터를 이용하여 데칼법으로 전극 막 접합체를 제조하였다. 완성된 전극 막 접합체의 성능 평가를 실시하였으며 상용화된 전극 막 접합체와 그 특성을 비교 분석을 실시해보았다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2009.06a
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• pp.168-168
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• 2009

고효율 실리콘 이종접합 태양전지 제작을 위한 요소기술 중 a-Si:H/c-Si 간의 계면 안정화는 태양전지 효율에 중요한 역할을 한다. 본 연구에서는 n-type 결정질 실리콘 기판을 사용하여, 소수전하들의 재결합을 방지하고, 계면 안정화를 실행하는 방안으로 실리콘 기판 습식 세정을 수행하였다. 반도체 공정에서 일반적으로 알려진 RCA 세정기법에 HF 세정을 마지막공정으로 추가하여 자연 산화막과 기타 불순물을 더욱 효과적으로 제거할 수 있도록 실험을 진행하였다. 마지막 공정으로 추가된 HF 세정에 의한 a-Si:H/c-Si 계면 안정화 효과를 관찰하기 위하여 HF농도와 HF 세정시간에 따른 소수반송자 수명을 측정하였다. 또한 HF 세정 이후 공정의 영향을 확인하기 위하여 PE-CVD법으로 a-Si:H 박막 증착 이전 실리콘 기판의 온도와 상온에서 머무는 시간에 따른 a-Si:H/c-Si 계면안정화 특성을 분석하였다. 본 실험을 통해 HF세정공정이 계면특성에 미치는 영향을 확인하였으며 실리콘 기판 습식 세정이 이종접합태양전지 특성에 미치는 영향을 분석하였다.

• Journal of Welding and Joining
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• v.11 no.3
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• pp.1-9
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• 1993

본 고에서는 폭발접합에 대한 원리, 접합계면 특성 및 접합공정에 영향을 미치는 변수들에 대하 여 기술하였다. 폭발접합은 접합장소에 대한 제약을 제외하고는 저렴한 시설 투자 및 간편한 방 법으로 고부가치의 제품을 생산할 수 있는 장점 때문에 선진 외국에서는 각종 산업분야에 필요한 제품을 생산하는데 많이 응용하고 있다. 현재 국내에서는 사용되고 있는 다양한 폭발접합제품을 전량수입에 의존하고 있는 실정이기 때문에 이를 국산화하기 위해서 폭발접합에 대한 기초적인 연구와 이의 응용에 대한 관심을 기울여야 할 것으로 사료된다.

• Proceedings of the KWS Conference
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• 2004.05a
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• pp.333-335
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• 2004

현재 저항 점 용접 공정에서 기존의 공기 가압 장치에서 서보모터를 이용한 서보 가압 장치로 변화가 진행되고 있다. 특히 마이크로 접합부의 경우 그 대상부가 미소ㆍ미세하기 때문에 접합부의 두께, 변형량, 접합후 전기 저항의 크기 둥이 크게 문제가 될 수 있다. (중략)

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.216-216
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• 2010

이종접합 태양전지의 투명전도막으로 사용되는 ITO는 박막 증착시 Ar과 O2의 공정 가스비증가에 따라 일함수가 증가한다고 보고되어지고 있다. 이러한 일함수의 증가는 ITO와 n a-si:H과의 계면에서 barrier height를 낮춤으로써 hole injection을 원활하게 만들어줌으로써 이종접합 태양전지의 효율 향상을 기대할 수 있게 해준다. RF sputtering system으로 증착된 ITO 증착시 순수 Ar만으로 증착된 ITO와 0.1에서 0.5% 까지 미세산소함량으로 증착된 ITO의 단일막 특성과 이를 이종접합 태양전지에 적용하였을 때의 특성을 분석하였다. ITO의 단일막 전기적 특성 분석을 위하여 Hall measurement를 이용하였고 광학적 특성 분석을 위해 UV-Vis를 이용하였다. 또한 광전자 분광장치를 이용하여 일함수 변화를 측정하였다. 그리고 산소 함량에 따른 ITO 박막의 특성 변화를 통해 이종접합 태양전지의 광특성을 비교하였다. 전기적인 특성의 경우 0.1%의 산소함량에서 가장 낮은 비저항을 얻었고 이동도의 경우 산소 함량에 따라 점차 증가하게 되었다. 반면 Carrier concentration은 점차 감소하였다. 투과도의 경우 산소함량을 통해 제작된 ITO가 Ar만으로 제작된 ITO보다 500 nm 파장대에서 1% 정도의 높은 투과율을 갖게 되었다. 그리고 ITO 공정시 Ar 만으로 증착한 경우 4.3 eV의 일함수를 보이고 공정중 산소가 첨가됨으로써 4.8 eV 으로 일함수가 증가하게 되었고 이종접합 태양전지를 제작하여 Voc, Jsc, Eff 등이 각각 15mV, 2mA/cm2, 1.5% 정도의 광특성 향상을 얻을 수 있었다.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• v.36 no.6
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• pp.802-807
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• 2012

Self-piercing rivet is sheet joining method. It is being used more to join aluminum alloy sheets. Self-piercing riveting is a large-deformation process that involves piercing. The self-piercing rivet, under the press from the punch, pierces the top sheet and forms a mechanical interlock with the bottom sheet. In this study, forging process was designed for manufacturing self-piercing rivet. The forging process has been simulated by using commercial FEM code DEFORM-2D. In simulation of forging process for manufacturing rivet, process sequence, formability, forging load, and distributions of stress and strain were investigated. The suitable forging process could be designed by comparisons of simulation results. The developed process consists of four stages: upsetting, first chamfering, back extrusion, and second chamfering. The simulated results for forging process were confirmed by experimental trials with the same conditions.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.2 no.4
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• pp.241-247
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• 1992

The direct bonding of Cu to $Al_2O_3$, employing the $Cu-Cu_2$O eutectic skin melt, is investigated. The bonding force and interface structure of samples prepared by oxidation at $1015^{\circ}C$ in $1.5{\times}10^{-1}$torr followed by bonding at 107$5^{\circ}C$ under $10_{-3}$ torr vacuum have been studied using peeling test, SEM, EDS and XRD. It has been found that the optimal strength is obtained for 3 minutes of oxidation while the adhesion force is decreased with oxidation shorter or longer than 3 minutes. The rupture occured at alumina-eutectic interface. Fractured surface of $Al_2O_3$covered with $Cu_2$O nodules pulled out of the Cu indicates that bonding strength is governed by $Cu-Cu_2$O interface and not by $Cu_2$O-A$l_2O_3$interface. The bonding force is slightly increased with bonding time and the reaction phases of CuA$l_2O_4$and $CuAlO_2$are formed at interface during the bonding.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.36 no.6
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• pp.691-698
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• 2012

The joining of aluminum and HSS (high-strength steel) by the conventional clinching process is limited by the low formability of HSS. Defects in the clinching joint, such as necking of the upper sheet, cracks, and lack of interlocking, are produced by the different ductility properties of HSS and aluminum. In this study, we propose the hole clinching process for joining Al6061 and SPFC440, in which deformation of SPFC440 is avoided by drilling a hole in the SPFC440. The dimensions of the interlocking in the hole-clinched joint necessary to provide the required joint strength were determined. Based on the volume constant of the hole clinching process, the shapes of the tools were designed by finite element (FE)-analysis. A hole clinching experiment was performed to verify the proposed process. A cross-section of the joint showed good agreement with the results of the FE-analysis. The lap shear strength was found to be 2.56 kN, which is higher than required joint strength.

• Proceedings of the KWS Conference
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• 2001.05a
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• pp.277-278
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• 2001