• 한국진공학회지
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• 제4권1호
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• pp.18-25
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• 1995

건식, 습식, 건식/습식 산화분위기로 성장한 게이트 산화막 위에 AI, 인 도핑된 다결정시리콘, 비정질 실리콘/인 도핑된 다결정 실리콘을 증착하여 제작한 금속-산화물-반도체(metal-oxide-semiconductor:MOS)의 전기적 특성을 순간 절연파괴(TZDB), 정전용량-전압(C-V)과 경시절연파괴(TDDB)로 평가하였다. AI 게이트에서 습식산화막과 건식산화막의 평균 파괴전계는 각각 9.0MV/cm, 7.7MV/cm이였고, 습식산화막의 평균 파괴전계가 8.4MV/cm 이였으며, AI 게이트보다 0.6MV/cm 정도 낮았다. 이것은 다결정 실리콘/습식산화막 계면에서 인(phosphorus) 확산으로 다결정 실리콘의 grain 성장과 산화막의 migration에 의한 roughness 증가에 기인한다. 그러나 다결정 실리콘/건식산화막 계면에서 roughness 증가는 없었다. 다결정 실리콘 게이트에서는 건식/습식 산화막이 건식산화막과 습식산화막보다 평균 파괴전계와 절연파괴전하(QBD)가 높았다. 또한 다결정/비정질 실리콘 게이트에서는 습식산화막의 평균 파괴전계가 8.8MV/cm이였으며, 다결정 실리콘 게이트에서보다 0.4MV/cm 정도 높았다. 다결정/비정질 실리콘 구조는 앞으로 VLSI 적용에 있어서 게이트 전극으로 매우 유용할 것이다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.1358_1359
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• 2009

가스 절연 개폐장치(Gas Insulated Switchgear : GIS)의 고체 스페이서에 경사기능성 재료(Functionally Graded Material : FGM)를 적용할 때, 전계의 완화를 예상할 수 있다. 특히, 균일 유전율 분포를 가지는 스페이서에서 양극 근처에 집중된 높은 전계가 FGM 스페이서를 사용할 때, 스페이서와 $SF_6$ 가스의 접촉부로 옮겨지며, 그 크기가 완화됨을 확인할 수 있었다[1]. 본 연구에서는 상용 고체 스페이서의 양극 부근에서의 전계 집중을 감소시키기 위해 전극 형상의 최적화를 수행하였다. 최적화 기법으로는 완전계승계획법(Full Factorial Design : FFD)과 결합된 반응표면법(Response Surface Method : RSM)을 이용하였으며, 균일 유전율 스페이서에서 양극 형상을 최적화하였다. 또한 타원형 유전율 분포를 가지는 FGM 스페이서를 이용함으로써, 상용 GIS 모델에 비해 최대 전계가 크게 완화될 수 있음을 확인하였으며, 상용 GIS의 외함부의 크기를 줄여 실제 소형화 가능 여부를 확인하였다.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.64-67
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• 2003

본 연구는 nano-level 디바이스 제조를 위한 새로운 금속 전극인 W 과 Ti metal 표면 세정에 관한 연구이다. 기존 $SC-1(NH_4OH/H_2O_2/H_2O)$ 세정 용액에서 산화제 ($H_2O_2$)를 사용하지 않는 dilute $NH_4$OH 세정은 전극 사이 절연막 표면의 particle 제거가 가능하면서 노출된 metal 막의 세정 damage를 최소화 시키는 것을 확인했다. SC-1 용액 내에 산화제 미 첨가 효과는, metal 막의 식각 현상을 억제시키고, 절연막 표면의 particle 제거 효과에 영향을 미치지 않는 것으로 판단된다. 이러한 방법은 short time 공정이 필요한 관계로, spin type wet 장비 채택으로 세정 효과의 극대화를 얻을 수 있을 것으로 판단된다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2011년도 추계학술대회
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• pp.886-887
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• 2011

투명전극을 제작하기 위해서 SiOC 절연막 위에 AZO박막을 증착하였다. AZO 박막은 rf power가 5~200W인 RF 마그네트론 스퍼터 방법에 의해서 제작되었다. SiOC 박막은 산소와 DMDMOS 전구체의 유량비를 다르게 하여 플라즈마 발생 화학적 기상 증착방법으로 증착되었다. 증착된 SiOC박막은 UV visible spectroscopy에 의해서 분석하였다. 투명전극의 비저항은 rf 전력이 작을 수록 낮았으며, SiOC 절연막 위에 AZO를 증착시킨 후 반사률은 반대로 바뀌는 것을 확인하였다.

• 전기의세계
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• 제25권6호
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• pp.49-54
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• 1976

전기공학에서 방전현상 즉 절연파괴문제는 복잡하고 미해결의 문제가 아직도 않아 극히 증요한 Thema로 되여있다. 더구나 이 plasma, laser등의 방전응용분야의 발전과 더불어 방전현상은 항상 흥미있는 문제들을 제공하여 주고 있으나 관계하는 인자가 너무나도 많고 순수한 형태로 현상을 파악하는 것이 곤란하여 마치 수렁에 발을 넣는것과 같다고까지 말하여 왔다. 그러나 전자, X선의 발견등 근대물리학발전의 단서를 이룬것은 방전이라고 하여도 과언은 아니다. 또 현재 세계의 많은 학자가 다투어 연구하고 있는 핵융합 plasma의 연구에 대해서도 그 원류는 방전이라 할 수 있다. 이와 같이 방전의 연구에 시작하여 빛나는 많은 성과를 올렸으며 더욱이 최근 방전현상에 관한 연구가 발전함에 따라 많은 변화를 가져왔다. 즉 plasma의 이론 및 실험의 전개, gas절연, 고분자고체절연, 극저온액체절연 등의 신절연기술의 발달, 500-1,000KV의 초고전압절연이나 직류고전압절연등의 기술개발, laser, 기타 방전가공등 방전응용기술의 발달은 괄목하다 하겠다. 여기에 수반하여 방전현상에 관한 이론이나 실험 Data도 여러 면에서 크게 일신되였지만 아직도 개발되지 못한 미해결의 문제가 너무나도 많으며 그 중에서도 특히 고체, 액체절연물에 있어서는 더욱 그러하다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제3권1호
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• pp.29-35
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• 1990

원통형 및 평판형 유전체에 임펄스전압을 인가하는 경우 나타나는 50%의 Flash over전압 (F.O.V)특성 및 Lichtenberg 도형에 미치는 배후전극의 영향을 관측하였다. F.O.V는 배후전극이 있는 경우가 없을 때보다 인가전압을 저하시킬 수 있었고 Lichtenberg도형에서 방전로의 진전상태는 배후전극의 존재로 인하여 크게 신장함을 알았다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2015년도 제46회 하계학술대회
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• pp.1169-1170
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• 2015

공기를 주 절연매질로 사용하는 전력기기의 소형화 추세속에서 제품의 절연성능을 확보하기 위해 '절연배리어'인 고체절연물이 사용된다. 고체절연물의 연면 절연성능은 운전 환경에서 발생된 수분 및 오염원 등에 영향을 받기 쉽기 때문에, 다양한 오염도 조건에서 고체절연물의 연면 절연파괴특성 분석이 필요하다. 본 논문에서는 전력기기에 폭넓게 적용되는 있는 고체절연물에 대하여 평등전계가 모의된 평판 - 평판 전극 실험 조건에서 연면거리 및 오염도를 정량화한 전기전도도에 따른 AC 연면 절연파괴특성을 분석하였다. 그 결과, AC 연면 절연파괴전계는 고체절연물 재질에 관계없이 단(短) 갭에서 연면거리에 대한 의존성을 거의 보이지 않았다. 또한, PC 연면 절연파괴전계는 BMC 및 에폭시 대비 높았으며, 이것은 재질에 따른 연면 절연파괴 형태 및 표면의 소수성 차이와 관련이 있는 것으로 사료된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2008년도 제34회 동계학술대회 초록집
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• pp.320-320
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• 2008

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
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• pp.73-76
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• 2002

박막 다이오드의 전기적 특성에 미치는 전극 구조의 영향을 관찰하였다. 박막 다이오드는 하부전극-절연층($Ta_{2}O_{5}$)-상부전극의 3층 구조로 설계 및 제작하였고, 하부 전극으로 Ta, 상부 전극으로 Cr 및 Ti를 각각 사용하였다. Cr을 상부 전극으로 사용한 결과 비대칭비가 1.8인 높은 비대칭 특성을 나타내었다. 그러나 Ti 상부 전극의 경우 반대의 경향을 나타내었다. 이들을 각각 $150^{\circ}C$에서 열처리한 결과 Cr 상부 전극 다이오드는 비대칭비가 1.4로 여전히 비대칭 경향을 나타내었으나, Ti 상부 전극의 박막 다이오드는 비대칭비가 1.1로 대칭에 가까운 우수한 특성을 나타내었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1997년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1199-1201
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• 1997

22.9kV 지중 배전용 전력 케이블의 절연체를 평가하기 위한 방법으로서 제안하고자 한다. 케이블 절연체를 절연파괴시켜 얻어진 결과를 통계적으로 평가하고자 한다. 절연파괴 시험 시료로서 케이블의 내외도 반도전층을 갖는 절연체인 XLPE에 침전극을 삽입시켜 일정전압하에서 절연 파괴에 이르는 시간을 각각 측정하고, 2 모수 Weibull분포를 이용하여, 형과 척도의 모수를 각각 구하였다.