• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.7 no.3
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• pp.208-213
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• 1998

Silicidation of the Co/Ti/Si bilayer system in which Ti is used as epitaxy promoter for $CoSi_2$has recently received much attention. The Co/Ti bilayer on the spacer oxide of gate electrode must be thermally stable at high temperatures for a salicide transistor to be fabricated successfully. In the $SiO_2$substrate was rapid-thermal annealed. The Sheet resistances of the Co/Ti bilayer increased substantially after annealing at $600^{\circ}C$, which is due to the agglomeration of the Co layer to reduce the interface energy between the Co layer and the $SiO_2$substrate. In the bilayer system insulating Ti oxide stoichiometric Ti oxide and silicide were not found after annealing.

• The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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• v.60 no.5
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• pp.1068-1072
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• 2011

Hydrogen Fuel Cell Vehicle(HFCV) is system that uses electrical energy of fuel cell stack to main power source, which is different system with other vehicles that use high-voltage, large-current. Isolation performance of this system which is connected with electrical fire and electrical shock is important point. Isolation resistance of electric installation is divided according to working voltage, it follows criterion more than $100{\Omega}$/VDC (or $500{\Omega}$/VAC) about system operation voltage in a hydrogen fuel cell vehicle. Although measurement of isolation resistance in a hydrogen fuel cell vehicle is two methods, it uses mainly measurement by megger. However, the present isolation resistance measurement system that is optimized to use in electrical facilities is unsuitable for isolation performance estimation of a hydrogen fuel cell vehicle because of limit of maximum short current and difference of measurement resolution. Therefore, this research developed the isolation resistance measurement system so that may be suitable in isolation performance estimation of a hydrogen fuel cell vehicle, verified isolation performance about known resistance by performance verification of laboratory level about developed system, and executed performance verification through comparing results of developed system by performance verification of vehicle level with ones of existing megger. Developed system is judged to aid estimation and upgrade of isolation performance in a hydrogen fuel cell vehicle hereafter.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.05a
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• pp.61.1-61.1
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• 2011

본 연구에서는 Zinc Tin Oxide (ZTO)/Ag/ZTO 다층 투명 전극을 제작하고 이를 비정질 ZTO (a-ZTO) 채널을 기반으로 한 TFT에 적용하여 투명 TFT의 전기적 특성을 확인하였다. 15${\times}$15 mm 크기의 ITO (gate)/Glass 기판상에 ALD법으로 투명 $Al_2O_3$절연층을 형성하고, RF sputtering법으로 50nm 두께의 a-ZTO 채널층을 형성하였다. 열처리를 위하여 Hot plate를 이용해 대기 중에서 $300^{\circ}C$의 온도로 20분간 열처리하여 채널 특성을 최적화 하였다. 이후 투명 Source/Drain으로 ZTO/Ag/ZTO 다층 투명 전극을 DC/RF sputtering법으로 패터닝하여 투명 TFT를 완성하였고, 평가를 위해 금속 (Mo)을 Source/Drain으로 사용한 TFT를 제작하여 그 성능을 비교하였다. ZTO/Ag/ZTO 다층 투명 전극은 Ag의 삽입으로 인하여 3.96ohm/square의 매우 낮은 면저항과 $3.24{\times}10-5ohm-cm$의 비저항을 나타내었으며, Antireflection 효과에 의해 가시광선 영역 (400~600 nm)에서 86.29%의 투과율을 나타내었다. ZTO/Ag/ZTO 다층 투명 전극 기반 투명 TFT는 $6.80cm^2/V-s$의 이동도와 $8.2{\times}10^6$의 $I_{ON}/I_{OFF}$비를 나타내어 금속 Source/Drain 전극에 준하는 특성을 나타내었다. 뿐만 아니라 전체 소자의 투과도 또한 ~73.26% 수준을 나타내어 투명 TFT용 Source/Drain 전극으로서 ZTO/Ag/ZTO 다층 투명 전극의 가능성을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.190-190
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• 2010

The resistance and recovery properties of the YBCO thin-film wire according to the existence and thickness of an insulting layer, and the kinds of stabilization layers, were analyzed at 90 K, 180 K and 250 K. In this study, YBCO thin-film wires with different stabilizing layers and with insulating layers were examined in terms of their various characteristics, such as quenching occurrence, spread, and distribution, based on their resistance increase trends and their recovery from quenching, and the results were qualitatively explained. The results of this study on the characteristics of YBCO thin-film wires' superconducting and normal-conducting phase changes are expected to be useful in designing superconducting power machines and in improving their performance.

• ETRI Journal
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• v.13 no.2
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• pp.42-53
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• 1991

고유전율 적충세라믹 커패시터 소재인 $BaTiO_3$ 자기물은 일반적으로 큐리오도인 약 $120^{\circ}C$부근에서 유전율이 최고 약 10,000정도로 증가한 다음 급격히 감소하므로 적절한 이동체를 첨가하여 큐리온도를 상온으로 이동시켜 상온에서 최대 유전율을 이용하여야 한다. 그리고$BaTiO_3$ 자기물은 $1300^{\circ}C$이상의 고온소결시 고가인 Pd전극이 요구된다. 그러나 자기물의 소결온도를 저온화화면 저가의 Ag합금으로 전극재료를 대체할 수 있다. 본 연구에서는 이동제로서 $CaSnO_3$ 를 이용하여 큐리온도를 상온으로 이동시켰다. 또한 소결온도를 저온화하기 위하여 $BaTiO_3$ 세라믹에 여러가지 산화물을 첨가하여 소결현상을 살펴보았다. 실험결과 첨가제를 넣지 않은 경우 소결온도는 $1350^{\circ}C$의 고온이 필요한 반면, $CuO,B_2O_3$는 $1050^{\circ}C$의 낮은 온도에서도 치밀화와 입도성장이 잘 일어났다. 특히 $B_2$$O_3$ 를 첨가한 경우는 $1250^{\circ}C$이상에서 소결할 때 절연저항이 낮아 유전손실이 큰 문제점을 보였지만, 최대 유전율이 11,000 정도로 높고, 양호한 유전율의 온도변화 특성을 나타내어 우수한 고유전율 소재의 첨가제로 응용될 가능성을 보였다

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.12 no.4 s.37
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• pp.345-349
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• 2005

Low resistive ($300{\mu}{\Omega}$-cm) W-C-N films have been deposited on tetraethylorthosilicate (TEOS) interlayer dielectric by atomic layer deposition (ALD) with $WF_6-N_2-CH_4$ gas. The exposure cycles of $N_2$ and $CH_4$ are synchronized with pulse plasma. The W-C-N films on TEOS layer follow the ALD mechanism and keep constant deposition rate of 0.2 nm/cycle from 10 to 100 cycles. As a diffusion barrier for Cu interconnection the W-C-N films maintain amorphous phase and Cu inter-diffusion is not occurred even at $800^{\circ}C$ for 30 min.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.300-300
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• 2011

알루미늄을 이용한 배선은 반도체 소자가 초집적화와 초소고속화 됨에 따라, 피로현상과 지연시간 등 배선으로서의 많은 문제점을 가지고 있어, 차세대 배선 재료로서 전기적인 특성 등이 우수한 구리에 대한 연구가 많이 진행되고 있다. 하지만, 구리는 낮은 온도에서 확산이 잘되어 배선 층간의 절연에 문제점을 야기 시킨다. 따라서, 구리를 배선에 적용하여 신뢰성 있는 제품을 만들기 위해서는 확산방지막이 필요하다. 확산방지막은 집적화와 더불어 배선의 두께가 줄어 듦에 따라 소자의 특성에 영향을 미치지 않는 범위 내에서 저항은 낮고, 두께는 얇아야 하며, 높은 종횡비를 갖는 구조에서도 균일한 박막을 형성하여야 하므로, 원자층 증착공정을 이용한 연구가 주를 이루고 있다. 텅스텐 질화막을 이용한 확산방지막은 WF6 전구체를 이용한 보고가 많지만, 높은 증착 온도와 부산물로 인한 부식가능성 이라는 문제점을 안고 있다. 따라서 본 연구에서는, 기존의 할라이드 계열을 이용한 원자층 증착공정의 단점을 보완하기 위하여, 아마이드 계열의 전구체를 사용하여 텅스텐 질화막을 형성하였으며, 이를 통해 공정온도를 낮출 수 있었다.

• The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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• v.67 no.8
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• pp.1106-1112
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• 2018

In this paper, measurement techniques are presented to test the performance of insulation without interruption if it is difficult to measure insulation resistance. Especially, non-contact voltage phase detection techniques have been developed that can be applied in environments where it is difficult to find voltage measurement locations such as component receptors. The performance verification of the non-interrupting insulation resistance measuring devices has been tested against existing products using standard calibration equipment and test jigs. The validation confirmed performance within 2 % for direct contact type and within 10 % for non-contact type. In addition, the procedure to make continuous insulation test using the equipment was proposed.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.298-298
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• 2013

플라즈마 전해산화기술은 알루미늄 소재에 대해 기존의 양극 산화막, 전해 경질크롬 도금 및 플라즈마 세라믹 용사기술 등에 의해 구현할 수 없는 고기능성을 부여하여 월등히 우수한 경도, 내부식, 내마모, 전기절연, 열저항, 피로강도 등을 얻을 수 있는 획기적인 기술이다. 또한 최근 환경에 대한 관심이 점차 높아지면서 친환경적 공정과정과 경금속 소재의 제품에 내구성을 향상시킬 필요성이 높아지고 있다. 이러한 요구에 부합하는 플라즈마 전해 산화기술은 알칼리 수용액 중에서 Al, Ti, Mg 등의 표면에 산화 피막을 형성시키는 기술로써 기존의 양극산화(Anodizing)을 대체 할 수 있다. 본 연구에서는 Al6061을 이용하여 플라즈마 전해산화 공정에 사용되는 전해액의 종류 및 농도, 시간의 변화에 따른 산화 피막의 변화를 내전압 측정 및 FE-SEM, EDS, XRD를 통해 분석하였다. 전해액에 sodium hexameta phosphate과 potassium phosphate를 이용하여 phosphate 종류의 변화에 따른 피막 특성의 변화를 연구하였다. 그로인해 phosphate의 종류 및 농도, 시간 변화를 이용하여 플라즈마 전해산화공정의 산화 피막 물성 제어를 할 수 있다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 1999.05a
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• pp.38-38
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• 1999

매설배관은 도로 혹은 철길올 횡단하는 경우와 같이 굴착에 의한 시공이 불가능한 경우에 압업관을 사용하여 시공하며 이러한 압업관은 배관이 토양의 하중으로부터 안 전하게 유지되도록 하는 기능도 한다. 압엽관은 배관과 접촉이 되지 않도록 절연체 를 배관과의 사이에 삽업올 하도록 규정되어 있는데 여러 가지 이유로 배관과 접촉이 되기도 한디 배관과 압업관이 전기적으로 접촉되면 배관을 방식하기 위한 방식전류 를 압입관에 빼앗기게 되고 압업관 내부의 배관은 비방식 상태에 놓이게 되어 부석이 일어날 가능성이 높다. 본 연구는 실제 매설배관 현장에서 배관과 압입관의 접촉여부 에 대하여 조사한 방법 및 결과에 대한 것이다. 본 연구에서는 압업관의 접촉여부를 확인하기 위하여 다음과 같은 방법을 사용하 였다. 첫째. 배관과 압입관의 방식선위를 단순하게 측정하는 것이다. 배관과 압업관 의 전위가 같은가 다른가를 측정하는 방법이다. 둘째, 배관의 방식전류를 on, off하면서 배관과 압입판의 전위거동을 살펴보는 것이다. 셋째, 배관과 압업관을 언위적으로 접촉시켜 흐르는 전류량을 확인함으로써 접촉여부를 확인할 수 있었다. 넷째 배관을 따라 흐르는 방삭전류량을 측정하였다. 이상과 같은 방법을 사용하여 배판과 접촉된 압압관을 확인할 수 있었다. 접촉된 압입관에서 접촉지점을 확인하기 위하여 배관과 압입관 사이에 전류를 인가하고 압입 관의 양단의 배판 사이의 전위 변화를 측정하여 그 전위변화값과 인가한 전류값을 통 하여 계산된 저항올 배관의 길이로 환산하여 대략적인 접촉지점을 확인할 수 있었다.