• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.1
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• pp.50-54
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• 1993

각종 monomer를 공중합시킨 PE의 고전계 전기전도와 X선 유기 TSC(X-ray induced thermally stimulated current)를 측정하고 공중합 monomer의 영향에 대하여 검토하였다. 할로겐을 함유한 공중합 PE에서 고전계 전기전도가 억제되는 것을 관찰하였다. 또 할로겐을 함유하는 monomer를 공중합시킨 PE의 X선 유기 TSC에서는 공중합에 의한 전자 trap은 약 0.4eV정도로 평가된다. 이들 시료에서 절연 파괴 강도가 상승한 것은 전자 트랩이 전자의 전계가속을 억제하여 고전계 전기전도를 억제시키고 절연파괴강도를 향상 시킨 것으로 추측된다.

• 전기의세계
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• v.27 no.3
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• pp.3-6
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• 1978

SF$_{6}$gas는 고정압 게통의 모든 분야에 광범위하게 사용되여 차단기의 소호재료로써 또는 초초고압용의 cable 및 변압기등의 절연재료로써 많이 사용되어지고 있다. 이러한 모든 분야에서 보여주는 SF$_{6}$gas의 우수한 절연특성은 이 Gas의 사용범위를 더욱 확대시켜 줄 것이라고 생각된다. 그러나 이러한 높은 절연강도도 고기압하에서는 기대되어지는 절연강도 보다 훨씬 낮아지는 경향이 있으며 이러한 경향은 사용압력이 높아질수록 현저하다. 그러나 고전압용 전기기기의 절연재료로써 고기압의 SF$_{6}$gas가 점차적으로 많이 사용되고 있기 때문에 이 고기압 SF$_{6}$에 관한 연구 결과중 우선 여기서는 평등전계에서 전극표면상태 및 면적등에 의한 영향과 절연파괴 직전의 전류펄스에 대한 것을 저기압 SF$_{6}$gas에 관한 결과와 함께 기술하고자 한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2015.07a
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• pp.1141-1142
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• 2015

실리콘 고무는 옥외용 폴리머 애자 또는 부싱 등에 주로 사용되고 있으며, 이에 대한 연구가 많이 진행되어 지고 있다. 최근에는 나노 기술이 발달함에 따라 전기 재료에 나노 사이즈의 필러를 첨가하여 재료의 특정 특성들을 향상시키는 연구들이 진행되어 지고 있다. 본 논문에서는 전기적인 성능을 향상시키고자 나노 사이즈의 $Al_2O_3$를 첨가한 상온 경화형 실리콘 고무에 대한 연구를 진행하였으며, DC 전계와 오염 상황 하에서 연면 파괴 강도를 측정하였으며, 접촉각과 표면 저향률을 측정하였다. 실험 결과, 필러 함량이 증가할수록 연면 절연 파괴 강도와 표면 저항률은 증가하였으며 접촉각은 감소하였다. 또한, 일정 함량 이상에서는 연면 절연 파괴 강도와 표면 저항율이 감소하는 것으로 나타났다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2002.11a
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• pp.779-783
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• 2002

The dielectric breakdown of epoxy composites used for transformers was experimented and then its data were simulated by Weibull distribution probability. As a result, first of all, speaking of dielectric breakdown properties, the more hardener increased the stronger breakdown strength at low temperature because of cross-linked density by the virtue of ester radical. And the breakdown strength of specimens with filler was lower than it of non-filler specimens because it is believed that the adding filler forms interface and charge is accumulated in it, therefore the molecular motility is raised, the electric field is concentrated, and the acceleration of electron and the growth of electron avalanche are early accomplished. In the case of filled specimens with treating silane, the breakdown strength become much higher since this suggests that silane coupling agent improves interfacial combination and relaxs electric field concentration. Finally, from the analysis of weibull distribution, it was confirmed that as the allowed breakdown probability was given by 0.1%, the applied field value needed to be under 21.5MVcm.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.23 no.2
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• pp.154-160
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• 2009

This paper shows a basic data of the surface discharge characteristics for epoxy resin in Dry-Air as being focused on environmentally friendly insulating Gas. Used electrodes are needle to plane, sphere to plane and KS M3015 electrodes. With the changing electrodes in same condition, we can obtain different creeping lengths, surface discharge voltages and surface dielectric strengths, respectively. Surface dielectric strengths of Needle to plane electrodes are more higher than the others. Moreover, it is considered that the surface discharge characteristics with variation of epoxy resin thickness and diameter. Surface discharge voltage increases as the thickness and the diameter of epoxy resin.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.23 no.10
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• pp.121-127
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• 2009

This paper reviews a basic data of the surface discharge characteristics for tefton resin in not only pure $N_2$, $N_2:O_2$(80[%]:20[%], I-Air) and $N_2:O_2$(60[%]:40[%]) mixture gas as environment-friendly insulation Gas also $SF_6$. Used electrodes are Knife to Knife. With the changing distance of electrodes and pressure, we can find it, surface discharge voltages and surface dielectric strengths, respectively. Surface discharge Voltages of I-Air are more higher than the other $N_2/O_2$ mixture gases. Moreover, we can obtain that the surface dielectric strengths of $SF_6$ are two times about I-Air, approximately.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2001.11b
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• pp.13-16
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• 2001

반도체 동작시에 파워 손실을 최소화하는 것은 2000년대의 에너지, 산업전자, 정보통신 산업분야에서의 가장 주요한 요구 사항중의 하나이다. 실리콘계 반도체 소자들은 완전히 새로운 구동기구의 소자가 개발되지 않는 한, 실리콘 재료의 낮은 열전도율이나 낮은 절연파괴전계와 같은 물리적 특성한계 때문에 이러한 요구를 만족시키는 것이 불가능한 실정이다. 따라서 21세기를 위한 대안으로 고열전도융의 WBG(WideBand-Gap) 물질 그 중에서도 탄화규소(SiC) 반도체가 제시되고 있다. SiC 반도체는 실리콘에 비하여 밴드갭(band gap: $E_{g}$)이 높을 뿐만이 아니라 절연파괴강도 ($E_{B}$)가 한 자릿수 이상 그리고 전자의 포화 drift 속도, $V_{s}$ 및 열전도도 k가 3배 가량 크다. 따라서 SiC는 고온 동작 내지는 고내압, 대전류, 저손실 반도체를 제작하는데 아주 유리하다. 본고에서는 응용성이 넓고, 단결정 제조가 비교적 용이한 SiC 반도체의 기술현황에 대하여 살펴보고자 한다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.14 no.12
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• pp.11-14
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• 2001

반도체 동작시에 파워 손실을 최소화하는 것은 2000년대의 에너지, 산업전자, 정보통신 산업분야에서의 가장 주요한 요구 사항중의 하나이다. 실리콘계 반도체 소자들은 완전히 새로운 구동기구의 소자가 개발되지 않는 한, 실리콘 재료의 낮은 열전도율이나 낮은 절연파괴전계와 같은 물리적 특성한계 때문에 이러한 요구를 만족시키는 것이 불가능한 실정이다. 따라서 21세기를 위한 대안으로 고열전도율의 WBG(Wide Band-Gap) 물질 그 중에서도 탄화규소(SiC) 반도체가 제시되고 있다. SiC 반도체는 실리콘에 비하여 밴드 갭(band gap: E$_{g}$)이 높을 뿐만이 아니라 절연파괴강도(E$_{B}$)가 한 자릿수 이상 그리고 전자의 포화 drift 속도, V$_{s}$ 및 열전도도 k가 3배 가량 크다. 따라서 SiC는 고온 동작 내지는 고내압, 대전류, 저손실 반도체를 제작하는데 아주 유리하다. 본고에서는 응용성이 넓고, 단결정 제조가 비교적 용이한 SiC 반도체의 기술현황에 대하여 살펴보고자 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2001.11a
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• pp.13-16
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• 2001

반도체 동작시에 파워 손실을 최소화하는 것은 2000년대의 에너지, 산업전자, 정보통신 산업분야에서의 가장 주요한 요구 사항중의 하나이다. 실리콘계 반도체 소자들은 완전히 새로운 구동기구의 소자가 개발되지 않는 한, 실리콘 재료의 낮은 열 전도율이나 낮은 절연파괴전계와 같은 물리적 특성한계 때문에 이러한 요구를 만족시키는 것이 불가능한 실정이다. 따라서 21세기를 위한 대안으로 고열전도율의 WBG(Wide Band-Gap) 물질 그 중에서도 탄화규소(SiC) 반도체가 제시되고 있다. SiC 반도체는 실리콘에 비하여 밴드 갭(band gap: E$_{g}$)이 높을 뿐만이 아니라 절연파괴강도(E$_{B}$)가 한 자릿수 이상 그리고 전자의 포화 drift 속도, v$_{s}$ 및 열전도도 k가 3배 가량 크다. 따라서 SiC는 고온 동작 내지는 고내압, 대전류, 저손실 반도체를 제작하는데 아주 유리하다. 본고에서는 응용성이 넓고, 단결정 제조가 비교적 용이한 SiC 반도체의 기술현황 에 대하여 살펴보고자 한다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.8 no.3
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• pp.267-271
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• 1995

The electrical properties of (S $r_{0.50}$P $b_{0.25}$B $a_{0.25}$)Ti $O_{3}$ ceramics were studied. Specimens were prepared by the conventional mixed oxide method, and fired between 1300[.deg. C] - 1375[.deg. C], for 2[hr.]. The electrical and structural preperties of specimens were investigated with sintering temperature. Increasing the sintering temperature from 1300[.deg. C] to 1375[.deg. C], average grain size was increased from 2.61[.mu.m] to 4.53[.mu.m]. (S $r_{0.50}$P $b_{0.25}$B $a_{0.25}$)Ti $O_{3}$ specimen sintered at 1350[.deg. C] for two hours showed good dielectric constant(2147) and dielectric loss(1.7[%]) properties at 1[khz]. Sintered density and breakdown field strength were the highest value of 5.75[g/c $m^{3}$], 20[kV/cm], respectively. Dielectric properties with applied voltage were independent of the sintering temperature.temperature.