• 열병합발전
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• s.24
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• pp.3-3
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• 2001

우리협회에서는 2001, 하반기 열병합발전 기술세미나(설비관리분야)를 9월 20일(목) 남부발전(주) 영남화력발전처(울산 소재) 강당에서, 기술교육을 10월 24일(수) 한국지역난방공사 교육훈련실(서울 강남구 소재)에서 개최하였음. 이번 기술세미나는 발전소 운영의 핵심인 설비관리분야의 각종사례를 주제로 한전전력연구원 과장급 실무진으로 발표진을 구성하여 11개 회원사 20명을 비롯, 총 18개사 34명이 참석하였으며, 기술교육은 대기관리 및 집단에너지사업 등 정책적인 사항과 변압기 진단 및 터빈의 성능평가 등 실무적인 사항으로 편성, 정부관계자 및 한전전력연구원, 두산중공업(주) 등의 전문가를 초빙하여 10개 회원사 25명을 비롯, 열병합 시설보유 및 관련업체등 15개사 33명이 참석하였음.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.07a
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• pp.246-248
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• 2005

본 논문은 23kV 가스절연개폐기에서의 윤활제 고착시 발생되는 현상을 조사하였다. 내부 개폐접점부의 마찰저항을 줄이고 가동전극의 윤활한 동작을 위해 사용되는 그리스 (grease)를 과다하게 도포할 경우 고착과 함께 가동전극의 미끄럼운동에 영향을 주는 것이 확인되었다. 영향 평가로는 물성시험과 투 개방 음향특성을 분석하였다. 본 논문의 결과는 개폐장치의 제조품질 개선 및 정전감소에 기여할 것으로 사료된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.176-176
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• 2012

본 연구는 GaN 기반의 전자소자의 표면 패시베이션 방법으로 열산화 공정을 이용한 알루미늄산화막 패시베이션 공정에 대하여 연구하였다. 결정질의 알루미늄산화물은 경도가 크고 화학적으로 안정적이기 때문에 외부 오염에 대한 소자 표면을 효과적으로 보호할 수 있으며, 열적안정성이 뛰어나 공정중 또는 공정 후의 고온 환경에서의 열 손상이 적은 장점을 가진다. 결정질 알루미늄산화막($Al_2O_3$)을 소자 표면에 형성하기 위해서 일반적으로 TMA (trimethlyaluminium)와 오존($O_3$)가스를 이용한 ALD 공정법이 사용되고 있으나 공정 비용이 비싸고 열산화막에 비해 전자 trapping이 많이 발생하여 전자이동도가 저하되는 단점이 있어, 본 연구에서는 열산화 공정을 이용하여 소자의 전기적 특성 저하를 발생시키지 않는 알루미늄산화막 패시베이션을 수행하였다. 실험에 사용된 기판은 AlGaN/GaN 이종접합 구조가 증착된 HEMT 제작용 기판을 사용하였으며 TLM 구조를 제작하여 소자의 채널 면저항 및 절연영역간 누설전류 특성을 확인하였다. TLM 구조가 제작된 샘플 위에 알루미늄을 100 ${\AA}$ 두께로 소자위에 증착하고 $O_2$ 분위기에서 약 $525{\sim}675^{\circ}C$ 온도로 3분간 열처리하여 알루미늄 산화막을 형성한 후 $950^{\circ}C$ 온도로 $N_2$ 분위기에서 30초간 안정화열처리 하여 안정한 알루미늄 산화막 패시베이션을 형성하였다. 알루미늄산화막 패시베이션 후 소자의 절연영역 사이의 누설전류는 패시베이션 전과 비슷한 크기를 나타냈고 패시베이션 후 채널의 면저항이 패시베이션 전에 비해 약 20% 감소한 것을 확인하였다. 또한 패시베이션된 소자와 패시베이션되지않은 소자에 대해 $900^{\circ}C$ 온도로 30초간 열처리한 결과 패시베이션 되지 않은 소자는 74%만큼 채널 면저항이 증가하였으며, 절연영역 누설전류가 다섯오더 크기로 증가한 반면 알루미늄산화막 패시베이션한 소자는 단지 13%의 채널 면저항의 증가를 나타내었고 절연영역 누설전류는 100배 감소한 값을 보여 알루미늄산화막 패시베이션이 소자의 열적 안정성을 향상시키는 것을 확인하였다.

• 전기의세계
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• v.15 no.3
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• pp.27-30
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• 1966

본 고에서는 고전압전선의 승압에 따른 감전사고가 발생할 우려가 있을 것으로 예상되어 다음의 내용을 보고하는 바이다. 1966년 2월 22일 대전시 인동 소재 이발관에서 이발사가 드라이어로 작업중 갑자기 사망한 사건이 발생했는데, 이에 대하여 대전지방법원으로부터 감정의뢰가 있어 7월 20일 현지조사한 결과 드라이어 히타선과 금속케이스를 절연한 석면시에 폭 2mm, 길이 4mm정도의 유원형구명이 뚫려있었으며, 히타선도 그 장소에서 끊어져 있었다. 또 사고당일에는 진눈깨비가 왔다하며 따라서 이발사의 신발이 저져있었다고 한다. 그리고 한전대전지점 및 이발소주인의 증언에 종합한 결과와 같은 감정서를 제출한 바 있다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2000.07a
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• pp.771-774
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• 2000

Recently, complex insulation method is used in insulation system for underground power delivery devices. Considering the interfaces which affect stability of insulation system, By modeling interface between Epoxy and Rubber, AC interfacial breakdown properties with variation of many conditions to influence on electrical properties were investigated. In this paper, toughened Epoxy and Silicone rubber were used for materials to make interface .

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2019.07a
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• pp.350-351
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• 2019

High Voltage Direct Current (HVDC) 시스템은 고압 직류 송전을 위한 시스템이다. 고압 직류 송전을 위해서는 전력변환기가 교류전력을 직류전력으로 변환해주어야 하는데, 최근에는 모듈형 멀티레벨 컨버터(Modular Multilevel Converter, MMC)가 많이 적용되고 있다. 모듈형 멀티레벨 컨버터는 단위 서브모듈이 직렬로 구성되어야 하는데 기구적으로 하나의 밸브 구조물에 6개의 서브모듈이 일정한 간격을 두고 위치하게 된다. 모듈형 멀티레벨 컨버터의 특징 중에 하나는 예비모듈이 구성되어 가용율을 높일 수 있다는 것이다. 본 논문에서는 서브모듈의 IGBT 폭파에 의해 발생되는 플라즈마가 주변 서브모듈에 도달해 절연파괴를 발생시키는지 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2002.07a
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• pp.194-197
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• 2002

Applying dual layer insulator on plastic substrates improved electrical characteristics of organic thin film transistor(TFT). A high-quality silicon dioxide(SiO$_2$) suitable for a insulator was deposited on plastic substrates by e-beam evaporation at 110$^{\circ}C$. The insulator film which was treated by N$_2$ annealing at 150$^{\circ}C$ showed excellent I-V, C-V characteristics. The dual layer insulator structure of polyimide-SiO$_2$ improved the roughness of SiO$_2$ surface and showed very low leakage current. In addition, the flat band voltage has been reduced from -2.5V to about 0.5V.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.740_741
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• 2009

발전소에 설치된 대용량 변압기의 고장사례에 절연유 온도에 따른 가스발생 형태, 가연성가스 성분비를 이용한 Rogers Ratio 법, 발생가스별 고장형태 및 원인분석 방법을 적용하여 고장원인을 진단하고 실제 확인된 고장원인을 고찰하였다. 사례 1은 저압측 탭권선이 과열로 손상된 사례로 온도에 따른 가스발생 형태 및 발생 가스별 고장 형태를 이용한 진단결과는 $300^{\circ}C$이상에서 과열이 된 것으로 진단되어 거의 일치하나 Rogers Ratio 법을 적용하면 $150^{\circ}C$ 정도에서 저온과열된 것으로 진단되어 약간의 차이를 보였다. 사례 2는 변압기 철심의 Burr 발생, 철심간 단락으로 인한 과열 및 아크가 발생된 고장으로 가스발생 패턴이 절연유 온도에 따른 가스발생 형태 및 사례 1과는 차이가 있고 특히, 내부 아크에 의해 발생되는 아세틸렌($C_2H_2$)은 계속 증가하는 반면 "Hot Metal Gas"중의 하나인 에탄($C_2H_6$)은 미량으로 특이한 가스발생형태를 보였다. Rogers Ratio 법과 발생가스별 고장 형태 및 원인분석법에 의한 진단결과는 일치하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2015.07a
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• pp.447-448
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• 2015

In order to looking for method of detecting inner fault of a 154kV GIT(Gas Insulated Transformer), it was considered that diagnosis partial discharge(PD) in UHF band and that analyze the ingredients of SF6 insulating gas. UHF PD diagnosis that is optimized to GIS was considered unsuitable through checking of inner part of a transformers which PD is detected excessively. The method analyzing the content of six kinds of gas(SOF2, SO2F2, etc)was decided through analysis of chemical degradation and combination process and discharge experiment. With the result applying this method to analyze the content of insulated gas of eighty five Gas Insulated Transformers.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.464-464
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• 2013

그래핀 옥사이드(Graphene Oxide)는 그래핀과 마찬가지로 많은 분야로의 응용 가능성을 보이는 소자중 하나로 각광받고 있다. 그래핀 옥사이드가 가지는 유전체 특징은 전하 트랩층(charge trap layer)으로 사용을 가능하게 하고 또한 물에 녹는 수용성 특징은 스핀코터(spin coator)를 이용한 간단한 도포과정을 통하여 저비용으로 간단하게 소자를 제작 가능하게 한다. 이 연구에서 우리는 금속-절연체-반도체 구조를 가지는 메모리 소자를 제작하여 0.4 mg/ml의 농도로 DI에 용해된 그래핀 옥사이드가 플로팅게이트(floating gate)로써 사용되었을 때의 특성을 알아보기 위해 Boonton 720를 사용하여 C-V (hysteresis) 커브와 C-T(Capacitance-Time)를 측정하여 그래핀 옥사이드의 유무에 따른 메모리 윈도우 폭의 증가 및 저장된 정보가 손실되지 않고 얼마나 길게 유지 되는지를 살펴봄으로 플로팅게이트로써 그래핀 옥사이드의 특성을 살펴보았다. 먼저 터널링층으로 쓰이는 SiO2가 5 nm 증착된 P타입 Si기판위에 플로팅게이트로 쓰이는 그래핀 옥사이드층을 쉽게 쌓기 위하여 APTES 자기조립 단분자막 코팅을 한 후 그래핀 옥사이드를 3,000 rpm으로 40초간 스핀코팅을 하였다. 그 후 블로킹층으로 쓰이는 400 nm 두께의 폴리비닐페놀(PVP)를 3,000 rpm으로 40초간 스핀코팅을 하고 $130^{\circ}C$에서 열처리를 하였으며 $10^{-5}$ Torr의 압력에서 진공 열증착으로 알루미늄 게이트 전극을 증착했다.