• Title/Summary/Keyword: 전하효과

Search Result 417, Processing Time 0.034 seconds

High quality $SiO_2$ gate Insulator with ${N_2}O$ plasma treatment and excimer laser annealing fabricated at $150^{\circ}C$ (${N_2}O$ 플라즈마 전처리와 엑시머 레이저 어닐링을 통한 $150^{\circ}C$ 공정의 실리콘 산화막 게이트 절연막의 막질 개선 효과)

  • Kim, Sun-Jae;Han, Sang-Myeon;Park, Joong-Hyun;Han, Min-Koo
    • Proceedings of the KIEE Conference
    • /
    • 2006.10a
    • /
    • pp.71-72
    • /
    • 2006
  • 플라스틱 기판 위에 유도 결합 플라즈마 화학적 기상 증착장치 (Inductively Coupled Plasma Chemicai Vapor Deposition, ICP-CVD) 를 사용하여 실리콘 산화막 ($SiO_2$)을 증착하고, 엑시머레이저 어널링 (Excimer Laser Annealing, ELA) 과 $N_{2}O$ 플라즈마 전처리를 통해, 전기용량-전압(Capacitance-Voltage, C-V) 특성과 항복 전압장 (Breakdown Voltage Field) 과 같은 전기적 특성을 개선시켰다. 에너지 밀도 $250\;mJ/cm^2$ 의 엑시머 레이저 어닐링은 실리콘 산화막의 평탄 전압 (Flat Band Voltage) 을 0V에 가까이 이동시키고, 유효 산화 전하밀도 (Effective Oxide Charge Density)를 크게 감소시킨다. $N_{2}O$ 플라즈마 전처리를 통해 항복 전압장은 6MV/cm 에서 9 MV/cm 으로 향상된다. 엑시머 레이저 어닐링과 $N_{2}O$ 플라즈마 전처리를 통해 평탄 전압은 -9V 에서 -1.8V 로 향상되고, 유효 전하 밀도 (Effective Charge Density) 는 $400^{\circ}C$에서 TEOS 실리콘 산화막을 증착하는 경우의 유효 전하 밀도 수준까지 감소한다.

  • PDF

Improved High Speed Addressing Driving Method for Increment of the Image Quality in AC PDPs (FULL HD급 AC PDP를 위한 ADS 고속 구동 법에 대한 연구)

  • Bae, Jeong-Guk;Lee, In-Mu;Kim, Joon-Yub
    • Proceedings of the KIEE Conference
    • /
    • 2004.11a
    • /
    • pp.133-136
    • /
    • 2004
  • AC PDP의 구동방법 중 가장 대표적인 구동 법이라 할 수 있는 ADS 구동 법은 구현이 비교적 용이하고, 안정적인 구동특성으로 인하여 현재 많은 상용 AC PDP의 구동 법으로 널리 채택되고 있다. 본 논문은 현재 AC PDP의 주요 연구 분야 중에 하나인 고속 어드레싱에 관한 새로운 구동파형을 소개하였다. 기존 AD을 구동법은 초기화구간과 어드레스구간 그리고 유지구간이 명확히 분리되어 있어 FULL- HD급 화면을 구현하기 위해서 어드레싱에 소비되는 시간의 감소가 불가피하다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 어드레스 펄스폭을 줄여주지만, 이로 인하여 불안정한 어드레싱을 초래하게 된다. AC PDP의 초기화 구간의 파형은 이후의 어드레스 특성에 중요한 영향을 끼치는데, 초기화간에 형성된 priming 입자는 어드레스 방전에 크게 도움을 준다. 본 논문은 초기화구간이 끝난 후 priming 효과가 급격히 떨어지는 80us이후에 벽전하 형성을 돕는 벽전하 가속펄스의 사용으로 짧은 어드레스 펄스폭으로 인한 불안정한 어드레싱을 보완하고, 어드레스 과정 후 유지방전 모드로의 벽전하의 형성을 빠르게 유도할 수 있어 1us의 짧은 어드레스 폭으로도 안정적인 어드레싱을 수행할 수 있도록 하였다.

  • PDF

A Study on Characteristics of Wet Oxide Gate and Nitride Oxide Gate for Fabrication of NMOSFET (NMOSFET의 제조를 위한 습식산화막과 질화산화막 특성에 관한 연구)

  • Kim, Hwan-Seog;Yi, Cheon-Hee
    • The KIPS Transactions:PartA
    • /
    • v.15A no.4
    • /
    • pp.211-216
    • /
    • 2008
  • In this paper we fabricated and measured the $0.26{\mu}m$ NMOSFET with wet gate oxide and nitride oxide gate to compare that the charateristics of hot carrier effect, charge to breakdown, transistor Id_Vg curve, charge trapping, and SILC(Stress Induced Leakage Current) using the HP4145 device tester. As a result we find that the characteristics of nitride oxide gate device better than wet gate oxide device, especially hot carrier lifetime(nitride oxide gate device satisfied 30 years, but the lifetime of wet gate oxide was only 0.1 year), variation of Vg, charge to breakdown, electric field simulation and charge trapping etc.

A Study on Charge Transfer Complexes of 1,2,3,4-Tetrahydrocarbazole and Some Derivatives with Chloranil (1,2,3,4-테트라하이드로카바졸 및 그 유도체들과 클로라닐의 전하이동 착물에 관한 연구)

  • Seong-Bae Moon;Jung-Dae Moon
    • Journal of the Korean Chemical Society
    • /
    • v.37 no.11
    • /
    • pp.929-936
    • /
    • 1993
  • Charge transfer complexes of some electron donors with one electron acceptor have been studied to investigate the maximum absorption wavelength and absorbance by UV-Vis spectrometer in three kinds of solvents, such as ethylene chloride, methylene chloride, and chloroform, at the temperature ranges of 16∼25$^{\circ}$C. 1,2,3,4-Tetrahydrocarbazole (THC), 2-methyl, 3-methyl, and 3-ethyl THC were selected as electron donors while chloranil was used as an electron acceptor in this study. It is found that these complexes forms 1 : 1 complexes, and their maximum absorbance and formation constants decreases with respect to the function of the polarity of solvent and temperature. The polarity of solvents and the temperature have been influenced on the formation constants, which were described using the thermodynamic properties. Moreover, the electronic and steric effects of electron donors have also been effects.

  • PDF

Write-once-read-many-times (WORM) 특성을 갖는 유기물 나노 복합체 플렉서블 메모리 소자의 전하 수송 메커니즘과 메모리 효과에 대한 분석

  • Song, U-Seung;Yun, Dong-Yeol;Kim, Tae-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2012.02a
    • /
    • pp.380-380
    • /
    • 2012
  • 유기물 나노 복합체는 고집적/저전력/플렉서블 특성을 가지는 초고효율 비휘발성 메모리 소자를 제작하는데 많은 이점을 가지고 있어, 차세대 비휘발성 메모리 소자에 사용되는 소재로 매우 각광받고 있다. 그 중, WORM 특성을 가지는 메모리 소자는 1회 쓰기 후 수많은 읽기가 가능하기 때문에, 그 효율성이 매우 뛰어나 이목을 끌고 있다. 유기물 나노 복합체 중에서, poly(3-hexylthiophene) (P3HT)는 화학적/전기적 안정성과 전하의 이동도 특성이 뛰어나기 때문에 전자 소자에 응용하려는 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 $P_3HT$ 고분자를 polymethylmethacrylate(PMMA) 고분자에 분산시킴으로써, 상태를 기억하는 저장 매체로 사용하였다. 본 연구의 소자를 제작하기 위하여 약 9 : 1 비율을 가지는 PMMA 와 $P_3HT$를 용매인 클로로벤젠에 녹여 용액을 준비하였다. Indium Tin Oxide (ITO)가 코팅된 glass를 화학적 처리를 통해 청결하게 만든 후, PMMA와 $P_3HT$가 용해되어 있는 용액을 스핀 코팅 방법으로 박막을 형성하였다. PMMA 속에 $P_3HT$가 분산되어 있는 활성층 위에 상부 전극으로 Al을 열 증착 방식을 통하여 형성하였다. 제작된 WORM 특성을 갖는 유기물 나노 복합체 플렉서블 소자의 메모리 효과에 대한 분석을 위하여, -5V에서 5V까지 전압을 인가하여 전류-전압 특성을 측정하였다. 초기 낮은 전도도 (OFF 상태, 10-10A에서 10-4A)를 유지하다가, 쓰기 전압을 1회 가해준 후부터는 높은 전도도 (ON 상태, 10-5A 에서 10-2A)를 유지하는 특성을 관측하였다. 또한 WORM 특성을 갖는 메모리 소자로써의 능력을 보여주기 위하여, 1회 쓰기 전압 후 읽기 전압인 1V를 인가하여 높은 전도도 상태에 대한 상태 유지 능력을 측정하였고, 전하 수송 메커니즘을 규명하기 위하여 피팅 모델을 통해 설명하였다.

  • PDF

Aging Effect on Charge Sensitivity and Frequency Response of PZT Ceramics (PZT 세라믹스의 전하감도와 주파수 응답특성에 대한 경시변화 효과)

  • 신병철;임종인;윤만순;박병학;백성기
    • Journal of the Korean Ceramic Society
    • /
    • v.26 no.4
    • /
    • pp.588-590
    • /
    • 1989
  • Charge sensitivity and its frequency response characteristics were measured in poled and aged lead zirconate titanate(PZT) ceramics prepared by sintering. Aged PZT has lower charge sensitivity and lower mounted resonance frequency than just poled PZT.

  • PDF

중이온가속기 진공도 요구조건에 대한 고찰

  • In, Sang-Ryeol
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2015.08a
    • /
    • pp.100.1-100.1
    • /
    • 2015
  • 중이온가속기에서 잔류기체 분자와 가속 이온의 충돌이 발생하면 이온빔 전류의 손실을 야기하는 직접적인 효과 외에 잔류 기체분자 중에서 전리된 이온들이 반발력에 의해 용기 벽에 부딪힐 때 표면에 흡착되어 있던 기체분자들을 충격탈리(stimulated desorption)시킨다. 더 심각한 경우는 산란된 고속 이온이 용기 벽과 충돌하면서 핵반응을 일으켜 방사화 시키거나 벽에서 다량의 기체를 방출시키는 것이다. 최악의 경우에는 고속이온의 에너지에 의해 용기벽이나 부품들이 열적인 손상을 입을 수도 있다. 현재 설계 및 연구개발이 진행중인 기초과학원(IBS) RISP (Rare Isotope Science Project)의 RAON 중이온가속기는 입사기에서 실험영역까지 각 부분의 진공도 조건이 일반적으로 10-8~10-9 mbar 대에 있어서 이온빔 전류의 손실이나 전리 이온들에 의한 충격탈리는 무시할 수도 있지만 고속이온의 기체방출 수율이 ~104 정도로 높은 것을 감안할 때 고속이온의 충격탈리에 의한 압력 증가가 감내할 수준인지 검토할 필요가 있다. 압력증가는 추가적인 손실을 유발하고 이것은 다시 압력을 상승시키는 진공 불안정성(vacuum instability)을 야기할 수 있다는 축면에서 조심하는 것이 좋다고 판단된다. 고속 중이온과 잔류기체 분자와의 충돌에서 이온이 손실되는 반응에는 쿨롬(coulomb) 산란과 전하교환(charge exchange)이 있는데 전자는 후자에 비해 일반적으로 1/10000 가까이 낮아서 무시할 수 있고, 전자 포획(electron capture) 또는 전자 손실(electron loss, 이온의 전리에 해당)로 대별되는 전하교환 반응이 이온 손실을 주도하는 것으로 알려져 있다. 이 연구에서는 다양한 전하교환 반응 단면적을 아우르는 비례칙(scaling law)을 사용하여 대표적인 중이온인 U33+ 및 U79+의 손실 및 잔류 기체의 전리율을 계산하고 충격탈리에 의한 표면방출 및 압력상승을 일차적으로 고려하여 진공도 조건의 타당성을 입증하려고 한다.

  • PDF

CHARGE EXCHANGE EFFECTS IN COLLISIONAL IONIZATION EQUILIBRIUM OF C, N, AND O IONS (탄소, 질소 및 산소의 충돌이온화평형에서의 전하교환 효과)

  • Seon, Kwang-Il
    • Journal of Astronomy and Space Sciences
    • /
    • v.21 no.4
    • /
    • pp.343-350
    • /
    • 2004
  • The charge exchange (or transfer) due to collision with hydrogen has important effects on the physical characteristics of astrophysical plasma. In this paper, collisional ionization equilibrium in the temperature range of ${\sim}1,000--80,000K$ are investigated for C, N, and O ions including the effects of charge exchange. The calculated ionic abundance fractions are compared with those of previous works. The ionic abundance fractions calculated in the paper can be used in understanding the spectroscopic properties of warm interstellar medium. It is also found that the ratio between the degree of ionization of oxygen and that of hydrogen shows big difference with the previously well-known result for the environment where the collisional ionization is not important. This implies that investigations on the collisional ionization in the warm interstellar medium are required.