• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.389-389
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• 2010

우리 연구그룹에서는 분자 소자에서의 소자 구조와 전도도 간의 상관관계를 알아보기 위해서 분자동역학 전산모사와 전자밀도범함수이론 계산 및 전하수송성 계산을 자동으로 수행할 수 있는 소프트웨어를 개발하고 이를 적용해 다양한 나노소자를 연구하고 있다. 본 발표에서는 hexanedithiolate 단일 분자가 Au(111) 전극 사이에서 다양한 S-Au 접점 구조를 가지고 구성된 소자 모델에서 열적 진동이 소자 전도도에 끼치는 효과를 통계적으로 분석하여 단분자 소자 실험에서 제기된 여러 개의 conductance peak의 측정에 대한 논란에 대해 이론적인 규명을 시도할 것이다.

• Proceedings of the Korean Printing Society Conference
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• 2001.06a
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• pp.46-60
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• 2001

본 연구는 전기화학적으로 제조된 초환원수 수용액을 탈묵에 적용하기 위한 연구로서 수용액의 알카리도가 고지의 젖음성에 미치는 영향과 그에 따른 탈묵성에 미치는 영향을 고찰한 것이다. 초 환원수는 고전압 하에서 순수 물을 전기적으로 분해한 것으로서 양극에서 pH가 약 11이상의 것을 얻어 사용하였다. 물의 알칼리도에 따라서 탈묵제가 펄플에 젖음성의 영향을 살펴보았으며, 특히 펄프 입자의 표면 전하에 큰 영향을 미쳤다. 이에 따라서 잉크 입자의 탈착이 효과적으로 진행됨이 관찰되었으며, 탈착된 잉크 입자의 크기도 탈묵에 적절함으로서 탈묵 효과가 향상되었다. 이러한 현상을 사용된 계면활성제, 물의 알카리도, 펄프 및 잉크의 표면 전화, 친수/소수화도 등과 비교 검토하였다.

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2017.03a
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• pp.64-74
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• 2017

본 연구에서는 동역학 격자기반 대정준 Monte Carlo (Kinetic Lattice Grand Canonical Monte Carlo, KLGCMC) 모의실험 방법과 Poisson-Nernst-Planck (PNP) 계산 방법을 이용하여 이온채널의 전하분포, 채널 반지름, 그리고 이온의 농도와 이온의 크기가 이온전류와 이온전도도에 미치는 영향과, 이온 간 상관관계 (correlation)가 이온전류와 이온전도도에 미치는 영향을 조사하였다. 이로부터 이온 간 상호작용에 의해 이온 이동에 제약이 가해지는 이온 간 상관관계 효과는 채널 내 이온 수가 증가할수록 커지는 것을 알 수 있었다. 또한, 평균장 이론에 기반한 PNP 이론은 이온 간 상관관계 효과를 적절하게 기술하지 못하며, 이온 간 상관관계 효과가 중요해지는 이온 채널 관련 결맞음 공명 (coherence resonance) 등 특이 현상을 연구하기 위해서는 이온 간 상관관계를 기술할 수 있는 KLGCMC 모의실험 방법이 필요함을 알 수 있었다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.2
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• pp.145-152
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• 1996

태양전지의 앞면전극으로 사용될 SnO2박막을 spray pyrolysis 방법으로 증착하여 증착조건에 따른 박막 특성을 연구하였다. 증착온도가 증가함에 따라 SnO2박막의 우선방위가 (200)면에서 면밀도가 더 높은 (211), (110)면으로 바뀌었고 막의 미세구조도 거칠고 각진 구조에서 평탄한 구조로 변하였다. 또한 더 안정된 결정면 성장과 온도 증가에 의해 CI, F 등의 불순물 흡착이 어려워져 전자 전하농도가 감소하고 비저항 값이 증가하였다. 특히 50$0^{\circ}C$ 이상에서는 전하농도가 크게 감소하여 비저항이 크게 증가하였다. NH4F/Sn=2.3인 용액으로 40$0^{\circ}C$에서 증착된 SnO2박막은 약 90%이상의 광투과도를 갖고 균일한 도핑으로 인해 약 4$\times$10-4$\Omega$ .cm의 낮은 비저항 값을 나타내었다. 두께에 따른 판저항과 광투과도의 상반된 효과를 고려한 figure of merit으로부터 투명전극으로써 가장 적절한 두께는 약 500nm이었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.317-317
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• 2016

이 연구에서는 산화막/산화막/산화막 적층구조의 블로킹산화막/전하저장층/터널링산화막과 InSnZnO를 채널층으로 이용한 비휘발성 메모리 (NVM) 소자의 메모리 특성을 확인하였다. NVM 소자의 기본 전기적 특성의 경우 $19.8cm2/V{\cdot}s$의 높은 전계효과 이동도, 0.09V의 낮은 문턱전압, 0.127 V/dec의 낮은 기울기 및 $1.47{\times}107$의 높은 전류점멸비를 나타내었다. 또한, InSnZnO의 경우 가시광영역에서 85% 이상의 투과도를 가짐을 확인하였다. NVM소자의 경우, +12V의 Programming과 1ms의 Programming duration time에서 104s 이후 86%이상의, 그리고 10년 후 67% 이상의 우수한 전하보유시간 특성을 나타내었다. 이를 통해 투명플렉서블 메모리 시스템에 산화막/산화막/산화막 적층구조의 InSnZnO NVM소자의 응용 가능성이 높다고 판단한다.

• Journal of the Korean Electrochemical Society
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• v.7 no.3
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• pp.138-142
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• 2004

The polyaniline films of emeraldine base (EB) and leucoemeraldine base (LEB) form doped with cam-phorsulfonic acid (CSA) were prepared by casting the mixed solution of chloroform and m-cresol on ITO (indium tin oxide) electrode. By analyzing UV-vis spectra of the mixed solutions, the effects of the secondary doping by m-cresol were obtained. And the conductivity of polyaniline film was increased with increasing m-cresol content. As the results of analyzing cyclic voltammograms, it was known that the redox peak currents of polyaniline electrode prepared from LEB were larger and more reversible than those of polyaniline eleclrodes prepared from EB. The charge transfer resistances $(R_{ct})$ of polyaniline electrodes were reduced with increasing m-cresol content, showing smaller Rct for LEB/CSA than EB/CSA.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.44 no.3 s.357
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• pp.65-71
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• 2007

We propose a pixel-level automatic calibration circuit scheme that initializes a capacitive fingerprint sensor LSI to eliminate the influence of the surface condition and environment, which is degraded by dirt during long-time use, process variation and ambient temperature. The sample chip is fabricated on $0.35{\mu}m$ standard CMOS process. The calibration is executed by optimizing the reference voltage in each pixel to make the sensor signals of all pixels the same. The calibration control circuit is composed of the sensing circuit and charge pumping circuit, and calibrates all pixels in a short time. 16-level gray scale fingerprint images can be captured to increase the accuracy of identification. This confirms that the scheme is effective for capturing consistent clear images during long-time use.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.8
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• pp.646-649
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• 1997

(111)과 (100)우선방위의 정방정계의 Pb(Zr$_{0.2}$, Ti$_{0.8}$)O$_{3}$박막의 강유전체 특성과 신뢰성특성을 상부 전극의 두께를 변화시키면서 연구하였다. (111)우선방위의 박막이 (100)우선방위의 박막보다 큰 잔류분극과 항전계 값을 갖고 있어 정방형의 이력곡선 특성을 보여주었다. 스위칭전하의 상부전극의 두께 의존성은 상부전극을 열처리 할 때 유도되는 압축응력에 의한 stress효과로 설명할 수 있었다. 상부전극의 두께가 얇은 박막은 초기에는 작은 스위칭 전하를 갖고 있으나 스위칭 횟수가 증대됨에 따라 기계적인 응력의 감소로 인하여 부분 수위칭 영역이 확대되어 내구성이 향상되었다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.8 no.3
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• pp.298-305
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• 1995

Copper-indium diselenide, $CuInSe_2$, thin films have been fabricated by selenizing Cu/In stacked layers with different sputtered Cu/(Cu+ln) mole ratios at 450.deg. C for 1hr on alumina substrates. The selenium source was selenium vapor. Microstructure, crystallization, and composition of the selenized $CuInSe_2$ films were examined by using scanning electron microscope, X-ray diffraction, Auger electron spectroscopy, and secondary ion mass spectrometry. Electrical resistivity and hall effects were also measured to investigate the electrical properties. As the sputtered Cu/(Cu+In) mole ratio of In/Cu layer increased, the amounts of void and CuSe phase in the selenized films increased but the composition of $CuInSe_2$ phase was the same regardless of the sputtered mole ratio. Comparing the electrical properties of $CuInSe_2$ thin film before and after the chemical etching, it was seen that the electrical resistivity, carrier concentration, and carrier mobility of the selenized films were affected by the amount of CuSe phase which seemed to increase primarily the hole concentration of the selenized films.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.07b
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• pp.1074-1077
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• 2003

우리는 AC-PDP에서 휘도와 효율을 향상시키기 위하여 Ne-Xe(4%)와 He(7)-Ne(3)-Xe(3%)에 소량의 Ar 또는 Kr를 첨가하여 최적의 페닝 방전가스 혼합비를 연구하였다. 우리는 이것을 증명하기 위해 효율과 Q-V 방법을 이용하여 벽전하를 계산하였으며, 2차원 시뮬레이션에서의 결과값과 비교하였다. 200 Torr 압력에서 He-Ne-Xe 또는 Ne-Xe에 소량의 Ar(0.01-0.1%) 또는 Kr(0.01-0.1%)을 첨가시켰을 때, 우리는 20% 이상의 휘도의 증가와 25% 이상의 효율 증가를 발견하였고, 또한 벽전하도 25% 이상의 증가를 보였다. 400 Torr 압력에서 He-Ne-Xe-Kr(0.005%)에 소량의 Ar(0.005-0.1%)를 첨가시켰을 때는 8% 이상의 휘도의 증가와 18% 이상의 효율 증가, 12% 이상의 벽전하 증가를 확인하였다. 결론적으로 이 결과는 He, Ne, Ar, Kr 사이에 추가적인 페닝효과가 휘도와 효율을 향상시켰다는 것을 보여준다.