우주 비행체 전자장비의 신뢰도를 예측하고 최적화하기 위해 탑재장치 내 부품의 온도 예측이 필수적으로 요구된다. 본 논문에서는 전자장비 부품의 온도 예측방법에 관해 기술하고 있다. 본 예측 방법은 PCB 기판의 열전도도를 등방성모델로 설정하여 등가 열전도도를 계산하고 열력 모델을 이용하여 열 저항 행렬을 생성하였으며, 중첩의 원리를 이용하여 각 부품들의 온도를 예측하였다. 또한 본 논문의 온도 예측방법을 이용하여 전장품 소자의 열해석 결과와 상용 프로그램을 이용한 온도 계산 결과를 비교 분석하였다.
저차원 나노양자구조에서 전자적 구조와 광 이득에 대한 연구는 전자소자나 광소자의 효율을 증진시키는데 중요한 역할을 하고 있다. 전자적 부띠 구조를 결정하기 위해서는 변형효과와 비포물선 효과를 고려하여 계산하면 나노 양자구조의 전자적 구조를 비교적 정확하게 계산 할 수 있다. 양자우물에서의 광 이득은 전자적 구조에 따른 전도 대역의 전자와 가전자 대역의 정공 사이에 발생하는 쿨롱 상호작용에 의한 엑시톤 결합 에너지를 고려함으로 정확히 계산할 수 있다. 본 연구에서는 양자 우물의 격자 부정합에 따른 변형효과와 전도대역에서 전자 에너지의 비포물선 효과가 양자 우물의 전자적 성질에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. 또한, 온도변화에 따른 양자 우물의 전자적 구조를 계산하였고, 전자적 구조에 따라 엑시톤 결합 에너지가 광 이득에 미치는 영향을 계산하였다. 양자우물 구조에서 전자 및 정공의 부띠에너지, 파동함수 및 부띠천이 에너지를 가변메시 유한차분법으로 결정하였고, interacting pair Green's function 방법과 energy space integrated function 방법을 이용하여 광 이득을 계산하였다. 계산한 결과를 광루미네센스 측정으로 관측한 부띠에너지 천이와 비교하여 변형효과와 비포물선 효과가 전자적 구조에 미치는 영향과 엑시톤 결합 에너지가 광 이득에 미치는 영향에 대하여 비교하였다. 반도체 양자우물의 전자적 구조는 변형효과와 비포물선 효과에 의하여 영향을 받고 있는 것을 알 수 있었다. 또한, 전자-정공의 쿨롱 상호작용을 고려하여 계산한 광 이득이 온도 변화에 따라 관측한 실험 결과와 잘 맞는 것을 알 수 있었다. 이러한 결과는 격자 부정합한 화합물 반도체 양자우물의 저차원적인 전자적 구조와 광 특성을 이해하는데 많은 도움이 된다고 생각된다.
전자방출에서 에너지 교환과 역온도를 새롭게 계산하였다. 전자방출에서 대체전자들에 유용한 빈상태들을 만드는 요소로 터널링 효과를 이 계산에서 고려하였다. 그것은 방출부분에서 일어나는 대체 관정을 설명하기 위해서는 빈상태를 만드는데 터널링 기여가 필수적이기 때문이다. 이렇게 계산하여 온 도와 전장의 함수로 얻어진전자당 에너지 교환은 실험결과와 잘 일치하였다. 또한 전장의 함수로 얻어 진 역온도도 실험치와 만족할 만한 일치를 보여주었다. 이 결과는 대체전자들의 평균에너지에 대한 노 팅햄-플레밍과 헨더슨의 논쟁에서 후자의 견해를 지지하는 것이다.
플라즈마 진단법으로서 컷오프 탐침과 랑뮤어 탐침은 다양한 분야에서 많은 연구가 진행되었다. 하지만 고밀도 및 균일성 관점에서 많은 이점을 가지고 있는 자화유도결합플라즈마에서 컷오프 탐침의 적용 가능성에 대한 연구는 많이 부족하다. 본 연구에서는 두 가지 탐침법을 이용하여 전자밀도를 비교하고 각각의 특성을 분석하였다. 먼저 랑뮤어 탐침법을 이용하여 RF파워, 압력, 외부자기장에 따른 플라즈마 변수(전자밀도, 전자온도, 플라즈마 전위)를 측정하였다. 외부자기장을 인가하였을 때 전자구속으로 인하여 전 영역의 전자밀도는 증가하였지만 R방향의 전자밀도 분포는 균일하지 않았다. 반면 전자온도는 외부자기장을 인가하였을 때 챔버 중심에서 감소하였으며, 챔버 끝에서 전자온도는 증가하였다. 즉, R방향의 전자온도 분포는 U형태가 나타났다. 또한 컷오프 탐침으로 전자밀도를 측정한 결과 비교적 낮은 $10^{11}/cm^3$ 이하에서 정확한 컷오프 주파수를 확인하여 전자밀도를 구할 수 있었으며, 그 이상의 전자밀도를 갖는 경우 동축케이블의 손상 문제로 인하여 신뢰성 있는 결과를 얻기는 힘들다. 현재 이 문제를 해결하기 위한 연구가 지속적으로 진행 중이다.
신경망을 이용하여 반구형 유도결합형 플라즈마 장비에 대한 전자온도의 예측모델을 개발하였다. 신경망으로는 Radial Basis Function Network을 이용하였고, 신경망의 예측성능은 유전자 알고리즘을 이용하여 최적화하였다. 체계적인 모델링을 위해 $2^4$ 전 인자 (Full Factorial) 실험획법을 이용하여 $Cl_2$ 플라즈마에서의 데이터를 수집하였다. 최적화된 전자온도 모델의 예측성능은 0.143 eV이었다. 개발된 모델을 이용하여 공정변수에 따른 예측온도의 영향을 고찰하였다. 소스전력과 압력의 변화에 따른 전자온도의 변화는 작았다. 그러나 $Cl_2$ 유량과 특히 척위치의 증가에 따른 전자온도의 증가는 현저하였으며, 이는 고이온밀도의 형성에 기인하는 것으로 해석되었다.
$SF_6$ 기체 및 Ar/$SF_6$ 혼합 기체 방전은 실제 반도체 및 디스플레이 공정에서 널리 쓰이고 있지만, 측정상의 어려움으로 인하여 정량적인 데이터 및 기본 연구가 부족한 실정이다. 본 연구는 유도 결합 Ar/$SF_6$ 혼합 기체 플라즈마에서 다양한 압력과 혼합 가스 비율에 따른 전자 에너지 분포 측정을 통한 플라즈마 변수 연구에 관한 내용이다. 낮은 가스 압력에서 $SF_6$ 기체의 혼합 비율이 증가함에 따라서 상대적으로 적은 전자 밀도 감소와 전자 온도의 증가가 보였다. 하지만, 높은 가스 압력에서 $SF_6$ 기체의 혼합 비율이 증가함에 따라 상당한 전자 밀도 감소와 급격한 전자 온도 증가 (~ 9 eV)가 관찰되었다. 이러한 전자 온도와 전자 밀도의 극적인 변화는 $SF_6$ 기체 증가에 의한 전자-중성종 충돌과 음이온 생성으로 인한 것으로 여겨지며, 유체 모델 및 전자 가열 모드를 고려하여 해석하였다.
본 논문에서는 날씨가 더울 때, 가만히 있어도 땀이 주륵주륵 흐른다. 본격적인 더위가 시작되면 여름철 많은 곳에서 에어컨과 선풍기와 같은 가전제품을 사용한다. 이러한 제품들은 낮 시간뿐만이 아니라 수면 시에도 장시간 사용이 되는데, 특히 선풍기를 주로 사용했을 때, 이미 체온이 일정 온도로 떨어졌음에도 불구하고 지속적으로 사용이 된다면, 전력 낭비뿐만이 아니라, 선풍기에서 열이 발생하여 자칫 화재가 일어날 수도 있다. 이러한 문제를 막기 위해서 수면 중이나 일상생활을 하는 동안에 지정해 놓은 실내온도로 떨어질 경우 자동으로 정지하고, 지정해 놓은 온도 이상으로 실내온도가 올라갈 경우에는 다시 작동하는 선풍기를 개발하면 효율적으로 사용할 수 있다.
다목적 실용위성 1호는 고도 685km, $98^{\circ}$의 궤도 경사각를 가지며, 탑재된 이온층 측정 센서(Ionospheric Measurement Sensor)로 전자 온도와 전자 밀도를 측정하였다. 이 관측 자료로부터 22:50LT인 밤 시간에 $+60^{\circ}~-60^{\circ}$의 저위도 지역에서 자기적으로 안정한 상태(Kp <4)의 계절별 전자 밀도와 전자 온도의 분포를 구하였다. 관측 결과, 전자 온도와 전자 밀도의 분포는 계절과 경도에 따라 변화를 나타냈다. 대체로 전자 밀도는 자기 적도 부근에서 높아지고, 전자 온도는 낮아지는 경향을 보였다. 봄, 가을에는 전자 밀도와 온도 모두 자기 적도를 중심으로 대칭적으로 분포하였다. 그러나 여름에는 전체적으로 북반구 쪽으로 이동하여 전자 밀도의 극대점과 전자 온도의 극소점이 자기 적도 북쪽에 위치하였고, 겨울에는 이와 반대의 변화를 나타냈다. 또한, 각 계절에서 경도에 따라서도 전자 온도와 밀도 분포의 차이를 보였다. 이러한 차이가 생기는 원인은 경도와 계절에 따라 달라지는 F층의 중성 바람이 이온층 플라즈마에 영향을 주는 것에 의해 설명될 수 있다. 이 관측에서 얻은 전자온도와 밀도의 분포는 IRI95모델을 이용해 구한 분포와 차이를 보였다.
전자스핀 공명(ESR)으로 측정된 수소화된 비정질 게르마늄(a-Ge:H)의 D-센터에 대한 스핀밀도 의 온도의존성이 77∼350K의 온도범위에서 보고된다. a-Ge:H의 D-센터에 대하여 이 온도범위에서 온 도가 증가함에 따라스핀밀도의 감소가 관측되었으며, 그 결과는 전자상관에너지와 열적이온화효과에 근 거하는 결함 모델들의 예상치와 비교되었다. a-Ge:H에서의 스핀밀도의 감소는 전자상관에너지 모델로서 는 이해될수 없었고 상온에서의 결함계의 열적 이온화에 기인할 수 있는 것으로 생각된다.
본 논문에서는 USN 시스템 구현을 하기 위한 노드 감지기를 설계하고 성능을 분석하였다. 온도 응답특성에서 USN 노드는 100ms 이후에 안정된 특성을 보였고, ZF5585는 50ms 이후 안정되나 이후 출력이 안정되지 않고 빠른 출력을 내보내지 못하는 문제점이 개선되었다. 온도시간의 측정결과 USN 노드는 PT100에 비해 온도 측정시간이 균일하게 나타났고 측정시간도 짧았다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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