• Title/Summary/Keyword: 전자회절패턴

Search Result 78, Processing Time 0.023 seconds

Calculation of Diffraction Patterns for Incidence of Planewave on Both Sides of a Dielectric Wedge by Using the Neumann Expansion (쇄기형 유전체의 앙면에 평면파 입사시 Neumann전개를 이용한 회절패턴 계산)

  • Kim, Se-Yun;Ra, Jung-Woong
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
    • /
    • v.26 no.5
    • /
    • pp.23-31
    • /
    • 1989
  • The electromagnetic diffraction problem for the incidence of E-polarized planewave on both interfaces of an arbitrary-angled dielectrc wedge is solved in conjunction with the edge condition near the tip of dielectric wedge in the static limit. The diffraction coefficients obtained by the tip of the wedge, the diffraction coefficients presented in this paper approach more closely to the exact pattem of a perfectly conducting wedge as the relative dielectric constants of the dielectric wedge increase.

  • PDF

A Simple Method to Determination the Rotation Angle Between an Image and its Diffraction Pattern with LACBED Patterns (LACBED 패턴으로부터 전자현미경 상에 대한 회절도형의 회전각을 측정하는 간단한 방법)

  • Kim, Hwang-Su;Kim, Jong-Pil
    • Applied Microscopy
    • /
    • v.33 no.3
    • /
    • pp.187-193
    • /
    • 2003
  • When electron microscope images and selected area diffraction patterns of crystalline materials are being compared, it is important to know for the rotation of the diffraction pattern with respect to the image caused by the magnetic lens in the Electron Microscope. A well-known method to determine this rotation is to use a test crystal of $MoO_3$. But this method of determination of the rotation angle contains an uncertainty of $180^{\circ}$. Thus one has to devise another way to eliminate this uncertainty. In this paper we present a new and simple method of determining this rotation without any complexity. The method involves a process of obtaining LACBED patterns of crystalline materials. For the J2010 electron microscope, the rotation is determined to be $180^{\circ}$ and this angle remains unchanged for changing of the magnification and the camera length.

Gibbsite 상전이에 관한 전자빔 조사효과의 EF-TEM을 이용한 정량화

  • 김영민;정종만;이수정;김윤중
    • Proceedings of the Korea Crystallographic Association Conference
    • /
    • 2003.05a
    • /
    • pp.11-11
    • /
    • 2003
  • 전자현미경내에서 일부 무기 및 금속 시료들은 전자빔 조사에 의해 시료구조가 손상되거나 비정질화 또는 상전이 등과 같은 구조전이 현상들을 겪게 된다. 즉, 전자빔 조사에 의해 시료는 원자간 결합이 끊어져 나타나는 Knock-on damage, 시료 원자 주위의 전자들과의 상호 작용에 의해 나타나는 Ionization damage, 빔 에너지의 시료온도 상승 기여에 의한 Radiolysis damage 등의 현상들을 경험하게 된다. 이러한 현상은 전자현미경의 가속전압, 전자밀도, 시료 조건 등에 따라 그 지배기구가 다르며 동일한 시편이라도 시료의 두께와 시편온도를 결정하는 전자빔 조사선량에 따라 그 양상과 전이 속도가 달라진다. 본 연구에서는 전자빔 조사에 의해 구조 전이를 겪게 되는 대표적 무기수화물의 하나인 Cibbsite에 대해 전자빔 조사효과에 대한 정량적 고찰을 에너지 여과 투과전자현미경 (EF-TEM)을 이용하여 시도하였다. 전자빔 조사는 120분까지 실시하였고 각 시간별로 에너지 필터와 Imaging plate를 이용하여 Gibbsite의 회절패턴과 미세조직 변화를 기록하였다 빔조사 시엔 illumination angle을 1.25mrad(Dose rate : 334 × 10³ e/sup -//sec·n㎡)으로 하였으며 사진기록 시엔 최소 illumination angle인 0.04mrad(Dose rate : 413 e/sup -//sec·n㎡)을 사용하였다. 시료의 관찰방향은 [001]방향이고 관찰시료두께는 약 50nm로 평가되었으며 시료의 화학변화는 EDS를 이용하여 분석하였다. 회절자료의 Intensity는 ELD/CRISP 프로그램을 이용하였으며 빔조사선량은 평행조사빔이 시료와 상호 작용하는 면적과 상호작용하지 않을 때의 빔을 회절모드에서 faraday cup으로 측정한 빔전류로 부터 계산하였다. Gibbsite에 대한 전자빔 조사 시 1분 이내에 급격한 Hydroxyl Ion(OH-)의 이탈로 인해 Cibbsite의 구조는 거시적 비정질화가 되며 시간증가에 따라 χ-alumina → ν-alumina → σ-alumina or δ-alumina의 순으로 상전이를 겪는다. 전자빔 조사 시 관찰된 회절자료의 가시적 변화를 통해 illumination angle 1.25mrad(Dose rate : 334 × 10³ e/sup -//sec·n㎡)일 경우 약 3초 이내에 비정질화가 시작됨을 알 수 있었고 이는 약 1 × 10/sup 6/ e/sup -//sec·n㎡ 의 전자선량에 해당되며 이를 기준으로 각각의 illumination angle에 대한 임계전자선량을 평가할 수 있었다. 실질적으로 Cibbsite와 같은 무기수화물의 직접가열실험 시 전자빔 조사에 의해 야기되는 상전이 영향을 배제하고 실험을 수행하려면 illumination angle 0.2mrad (Dose rate : 8000 e/sup -//sec·n㎡)이하로 관찰하고 기록되어야 함을 본 자료로부터 알 수 있었다.

  • PDF

B-site Cationic Ordering Structures of Donor-Doped Relaxor Ferroelectric $Pb({Mg_{1/3}}{Nb_{2/3})}O_3$ (전자 주게가 첨가된 완화형 강유전체 $Pb({Mg_{1/3}}{Nb_{2/3})}O_2$의 B자리 양이온 질서배열구조)

  • Cha, Seok-Bae;Kim, Byeong-Guk;Je, Hae-Jun
    • Korean Journal of Materials Research
    • /
    • v.10 no.7
    • /
    • pp.478-481
    • /
    • 2000
  • Single phase $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3$ ceramics doped by 10 mol% of electron donors such as $La^3,\; Pr^{3+,4+},\; Nd^{3+},\; Sm^{3+}$, were synthesized and their B-site cationic ordering structures were investigated by XRD and TEM. In the XRD patterns, only fundamental reflections were observed for the undoped $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3$, while the (h/2 $\textsc{k}$/2ι/2)(h,$\textsc{k}$,ι all odd) superlattice reflections resulting from the 1:1 ordering induced unit cell doubling were also observed for the donor-doped $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3$. In the TEM selected area diffraction patterns, the (h/2 k/2 l/2)(h,k,l all odd) superlattice reflection spots as well as the fundamental reflection spots were observed for all the samples, but the relative intensities of the superlattice reflection spots to the fundamental reflection spots were significantly enhanced by the donor-doping. In the TEM dark-field images, antiphase boundaries were observed only for the donor-doped $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3$. It was therefore experimentally verified that doping by electron donors such as $La^3,\; Pr^{3+,4+},\; Nd^{3+},\; Sm^{3+}$, enhances the B-site cationic 1:1 ordering in $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3$. These experimental results were interpreted in terms of the charge compensation mechanism.

  • PDF

A Method to Determine the Wavelength of Electron Beam from LACBED Pattern (LACBED 패턴으로부터 전자빔의 파장 측정 방법)

  • Kim, Hwang-Su
    • Applied Microscopy
    • /
    • v.33 no.3
    • /
    • pp.179-185
    • /
    • 2003
  • The operating accelerating voltage in the electron microscopy may differ from the nominal voltage specified by the manufacture. Thus it is necessary, at least once, to determine the wavelength of electron beam for the nominal accelerating voltage. Particularly in QCBED technique, the wavelength of the incident electron beam on a specimen must be determined as accurately as possible. In this paper we present a simple method to determine accurately the wavelength of electrons from LACBED patterns of a known crystalline materials, which is analogous to a method based on Kikuchi patterns reported previously. This method is to utilize three diffraction lines not belonging to the same zone, which nearly intersect at the same point. For an application of the method, the wavelength of electrons for the 200 kv nominal acceleration voltage of JEM2010 is determined to be 0.002496(3) nm ($201.5{\pm}0.4$ kv) with an uncertainty of 0.12%.

Diffraction of Electromagnetic Waves by Right Angle Dielectric Wedge (직각 쐐기형 유전분에 의한 전자파 회절)

  • Ju, Chang-Seong;Ra, Jeong-Ung;Sin, Sang-Yeong
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
    • /
    • v.18 no.5
    • /
    • pp.35-45
    • /
    • 1981
  • An asymptotic solution of electromagnetic waves scattered by a right-angled dielectric wedge for plane wave incidence is obtained. Scattered fields are constructed by waves reflected and refracted from dielectric interfaces (geometric-optical fields) and a cylindrical wave diffracted from the edge. The edge diffracted field is obtained by adding a correction to the edge diffraction of physical optics approximation, where the correction field is calculated by solving a dual series equation amenable to simple numerical calculation. Validity of this result is assured by two limits of relative dielectric constant $\varepsilon$ of the wedge. The total asymptotic field calculated results in a Rawlins' Neumann series solution for small $\varepsilon$, and the edge diffraction pattern is shown to approach that of a perfectly conducting wedge for large $\varepsilon$. Calculated field patterns are presented and the accuracy of physical optics approximation is discussed.

  • PDF

초고집적 소자제조용 감광재료의 특성 및 레지스트 공정

  • Lee, Jae-Sin
    • ETRI Journal
    • /
    • v.11 no.1
    • /
    • pp.123-135
    • /
    • 1989
  • 본 논문에서는 $0.5\mum$의 최소선폭을 가지는 초고집적 소자제조에 필요한 레지스트 재료의 특성 및 레지스트 공정을 살펴보았다. 일반적인 레지스트 특성변수들 중에서 소자의 고집적화에 따라 중요한 미세형상 정의 및 건식식각에 의한 패턴전사에 관련된 변수들을 깊이 살펴보았다. 미세형상 정의에 필요한 레지스트 특성의 한계는 회절에 의한 분해능 한계 이론을 적용하였고, 패턴전사에 필요한 한계는 반응성 이온식각 과정을 고려하여 유추하였다. 마지막으로 굴곡이 있는 기판 상에서의 초미세 형상 정의를 위한 여러가지 레지스트 공정을 간단하게 비교 검토하였다.

  • PDF

Diffraction Efficiency Analysis for Reconstruction of Digital Hologram based on SLM (SLM 기반의 디지털 홀로그램 복원에 대한 회절효율 특성 분석)

  • Seo, Young-Ho;Lee, Yoon-Huck;Kim, Dong-Wook
    • Journal of Broadcast Engineering
    • /
    • v.24 no.3
    • /
    • pp.452-462
    • /
    • 2019
  • A digital hologram, which is one of the next generation visual systems, can be generated and displayed in various formats, and a digital hologram is created in accordance with the characteristics of the system for display. Diffraction efficiency can be used as a measure of the characteristics of digital holograms generaged under various conditions in various display environments. In this paper, diffraction efficiency for computer-generated hologram (CGH) under various conditions was measured. This paper discusses the generation conditions that should be considered in hologram display. We compared each condition by measuring the intensity of the first order diffraction pattern of the fringe generated under the Fresnel condition for the phase hologram. Through this paper, we showed the tend about characteristics of the diffraction efficiency according to object point, reconstruction distance, laser and SLM.

NEAR=FIELD DIFFRACTION PATTERN BY A SPHERICAL AIR CAVITY IN A DIELECTRIC MEDIUM (유전체 매질내에 있는 구형공동에 의한 근거리 회절패턴)

  • 강진섭;라정웅
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
    • /
    • v.32A no.2
    • /
    • pp.19-30
    • /
    • 1995
  • Diffraction patterns of the copolarized and the crosspolarized total electric fields by a spherical air cavity in a dielectric medium are analyzed in the forward near-field region when the wavelength of the incident plane wave is comparable to one half of the cavity radius. It is shown that double nulls and dips of the copolarized and the crosspolarized total electric fields exist in the measurement plane tansverse to the propagating direction of the incident field, and their dependences on the frequency, the distance of the measurement plane, and the measurement angle are analyzed.

  • PDF

Development of A New Fourier Transform Lithography Method in Nano Meter Scale (새로운 나노미터급 프리어 변환 리소그래피법 개발)

  • Kim Chang Kyo;Hong Chinsoo;Lee Eui Sik;Park Sung Hoon
    • Proceedings of the KAIS Fall Conference
    • /
    • 2005.05a
    • /
    • pp.125-127
    • /
    • 2005
  • 나노미터 크기의 임의형상 패턴을 형성하기 위해서 새로운 프리어 변환 리소그래피법을 개발하였다. 나노미터급 리소그래피에서 자외선과 엑스레이 같은 전자기파가 나노미터 크기로 형상을 새긴 마스크 위에 조사되면 회절현상이 발생하여 불명확한 패턴을 얻게 된다. 극자외선을 사용하지 않고도 상대적으로 긴 파장의 레이저빔을 특수하게 제작된 마스크를 통해 볼록렌즈에 조사할 경우에 프리어 평면이라 알려진 평면위에 나노미터 크기의 패턴을 형성할 수 있다는 것을 증명하였다. 이 방법은 매우 단순한 장치로 구성할 수 있다는 장점을 가질 수 있다.

  • PDF