• Title/Summary/Keyword: 전자하부

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우리 나라 중소수출업체의 인터넷 활용상의 장애요인과 성과

  • 문희철;이진석
    • Proceedings of the Korea Society for Industrial Systems Conference
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    • 1999.12a
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    • pp.81-99
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    • 1999
  • 인터넷 및 전자상거래의 확산과 함께 국내에서도 인터넷을 이용한 수출을 지칭하는 이른바 “인터넷 무역”내지 “전자무역”의 시대가 열리고 있다. 그러나 아직도 우리 나라의 대다수 중소기업들의 경우에는 보안, 신뢰, 인터넷관련비용, 기술, 제도적 지원의 미흡, 하부구조의 미비 등 인터넷 활용에는 많은 장애요인이 있는 것으로 알려지고 있다. 따라서 본 연구에서는 우리 나라 중소기업들이 인터넷무역을 구현하는데 영향을 미치는 주요 요인들은 무엇이며, 또 이들이 인터넷 무역을 구현하기 위해 노력하는 과정에서의 장애요인에는 어떠한 것들이 있는지, 그리고 그에 따른 성과에는 어떠한 차이가 있는가를 규명하였다. 실증분석 결과 산업의 경쟁강도와 하부구조 등 외부환경특성과 최고경영자의 태도, 전자상거래 담당인력, 수출대상국 수 등의 기업특성이 실행범위에 영향을 미치는 것으로 나타났으며, 인터넷무역의 실행범위가 넓을수록, 장애요인에 대한 인지도가 낮을수록 성과가 높은 것으로 밝혀졌다 그러나 장애요인과 실행범위에는 유의한 관계가 발견되지 않았다. 이는 기업들의 입장에서는 보다 적극적으로 인터넷을 다양한 무역범위에 활용할 필요가 있으며, 정부는 실효성있는 정책적 지원을 동해 인터넷무역의 장애요인을 완화시켜 나갈필요가 있음을 의미한다.

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하부전극 물질에 따른 CdTe박막 증착과 그에 따른 전기적 특성 평가

  • Kim, Dae-Guk;Sin, Jeong-Uk;Lee, Yeong-Gyu;Kim, Seong-Heon;Lee, Geon-Hwan;Nam, Sang-Hui
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.08a
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    • pp.327-328
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    • 2012
  • 의료분야의 진단 방사선 장비는 초기의 필름방식 및 카세트에서 진보되어 현재는 디지털방식의 DR (Digital Radiography)이 널리 사용되며 이에 관한 연구개발이 활발히 진행 되고 있다. DR은 일반적으로 직접방식과 간접방식으로 나눌 수 있다. 직접방식의 원리는 X선을 흡수하면 전기적 신호를 발생 시키는 광도전체(Photoconductor)를 사용하여 광도전체 양단 전극에 전압을 인가하여 전기장을 유도한 가운데, X선을 조사하면 광도전체 내부에서 전자-전공쌍(Electron-hole pair)이 생성된다. 이것은 양단에 유도된 전기장의 영향으로 전자는 +극으로, 전공은 -극으로 이동하여 아래에 위치한 하부기판을 통하여 이미지로 변조된다. 간접방식은 X선을 흡수하면 가시광선으로 전환하는 형광체(Scintillator)를 사용하여 조사된 X선을 형광체에서 가시광선으로 전환하고, 이를 Photodiode와 같은 광변환소자로 전기적 신호로 변환하여 방사선을 검출하는 방식을 말한다. 본 연구에서는 직접방식에서 이용되는 광도전체 중 흡수효율이 높고 Mobility가 뛰어난 CdTe를 선정하여 PVD (Physical vapor deposition)방식으로 300 m의 두께를 목표로 하여 증착을 진행하였다. Chamber의 진공도가 $2.5{\times}10^{-2}$ Torr로 도달 시점부터, Substrate와 Boat에 열을 가하였다. Substrate온도는 $350^{\circ}C$, Boat온도는 $300^{\circ}C$도로 설정하여 11시간 동안 진행하였다. Substrate온도는 $303^{\circ}C$, Boat온도는 $297^{\circ}C$도부터 증착이 시작되어 선형적인 증가세 추이를 나타내어 Substrate 및 Boat온도가 설정 값에 도달 하였을 때, $25{\sim}34.4{\AA}/s$ 증착율을 나타내었다. 하부전극의 물질에 따른 CdTe증착 효율성 평가를 진행한 후, 그에 따른 전기적 특성을 알아보았다. 하부전극의 물질로는 ITO (Indium Tin Oxide), Parylene이 코팅 된 ITO, Au, Ag를 사용하였다. 하부전극의 물질 상단에 Thermal Evaporation System을 사용하여 CdTe를 증착한 후, Cdte 상단에 Au를 증착 시켜 민감도(Sensitivity)와 암전류(Dark current)를 측정하였다. 증착 결과 ITO와 Ag상단에 증착시킨 CdTe박막은 박리가 되었고, Au와 Parylene이 코팅 된 ITO에는 CdTe박막이 안정적이게 형성이 되었다. 이 두 샘플에 대하여 동일한 조건으로 민감도와 암전류를 측정 시, Parylene이 코팅된 ITO를 하부전극으로 사용한 CdTe박막은 0.1021 pA/$cm^2$의 암전류와 1.027 pC/$cm^2$의 민감도를 나타낸 반면, Au를 하부전극으로 사용한 CdTe박막은 0.0381 pA/$cm^2$의 암전류와 1.214 pC/$cm^2$의 민감도를 나타내어 Parylene이 코팅된 ITO보다 우수한 전기적 특성을 나타내었다. 따라서 Au는 CdTe박막 증착 시, 하부전극 기판으로서 뛰어난 특성을 나타내는 것을 알 수 있었다.

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강자성체를 이용한 이중구조의 고균일도 플라즈마 발생장치

  • Kim, Hyeon-Jun;Jo, Jeong-Hui;Chae, Hui-Seon;Jo, Seong-Won;Jeong, Jin-Uk
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.492-492
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    • 2013
  • 반도체 공정을 위한 원격 유도 결합 플라즈마(remote ICP)에서 플라즈마 균일도를 향상하는 연구를 진행하였다. 본 연구에서는고 균일도 플라즈마 발생을 위해 단면적이 다른 2개의 반응 용기를 상부와 하부에 설치하였으며, 각각의 반응 용기 외곽에 방전 코일이 위치하도록 구성하였다. 상부의 반응 용기는 외곽에 유도 코일을 권선하였고, 하부의 반응 용기는 고밀도의 플라즈마 생성을 위해 강자성체를 이용하여 권선하였으며, 강자성체는 쿼츠관을 둘러 싼 구조로 되어 있다. 0.5-1 Torr 공정 압력 범위의 아르곤 기체에서 전체 2500 W의 전력을 인가하였고, 임피던스 정합회로로부터 각각 병렬로 연결된 방전 코일에 전력이 분배되어 인가되는 구조로 설계하였다. 반도체 공정을 위한 플라즈마 균일도를 분석하기 위해 wafer의 위치에서 부유 탐침법을 적용하여 wafer 중심부로부터 반경 방향으로 위치를 변화시키며 플라즈마 밀도와 전자온도를 측정하였다. 동일한 공정 조건에서 하부에 강자성체를 사용하여 권선한 이중 구조의 경우 하나의 방전 코일을 이용한 구조 대비 플라즈마 밀도가 증가하였고, 플라즈마 균일도가 크게 향상됨을 보였다. 강자성체를 이용한 하부 코일에 의해 wafer 외곽 부분의 밀도가 높은 분포를 갖는 플라즈마가 형성되고, 상부의 유도코일에 의해 wafer 중심부에 밀도가 높은 플라즈마가 형성되어 wafer의 플라즈마 균일도가 개선된다. 또한, 강자성체를 이용한 하부 코일에 의해 고밀도의 플라즈마가 형성되므로 반도체 공정을 위한 장비에서 플라즈마 균일도의 개선과 밀도의 향상으로 대면적 Dry Strip 공정 (450mm)에 적용 가능하다.

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A Study on Train Control System Accelerated Stress Modeling (열차제어시스템 가속 스트레스시험 모델링에 관한 연구)

  • Shin, Duc-Ko;Lee, Jae-Ho;Lee, Kang-Mi
    • Proceedings of the KSR Conference
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    • 2006.11b
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    • pp.624-630
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    • 2006
  • This paper studies a modeling to demonstrate predicted reliability of the train control system components by performing an accelerated stress test. There are two tests for demonstrating predicted reliability; test run at the whole system level, and accelerated life test and accelerated stress test at the component level. In this paper, we imposed accelerated stress on the system and studied the train control system modeling for the accelerated stress test, which demonstrates predicted reliability according to whether or not the equipment is operating. Reliability of train control system consisting of electronic components varies drastically according to temperature so we considered the Arrhenius equation and the activation energy of electronic components. We also used reliability modeling with weighted average and calculated time necessary to complete the accelerated stress test on train control system.

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Effects of PCB Surface Finishes on in-situ Intermetallics Growth and Electromigration Characteristics of Sn-3.0Ag-0.5Cu Pb-free Solder Joints (PCB 표면처리에 따른 Sn-3.0Ag-0.5Cu 무연솔더 접합부의 in-situ 금속간 화합물 성장 및 Electromigration 특성 분석)

  • Kim, Sung-Hyuk;Park, Gyu-Tae;Lee, Byeong-Rok;Kim, Jae-Myeong;Yoo, Sehoon;Park, Young-Bae
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.22 no.2
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    • pp.47-53
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    • 2015
  • The effects of electroless nickel immersion gold (ENIG) and organic solderability preservative (OSP) surface finishes on the in-situ intermetallics reaction and the electromigration (EM) reliability of Sn-3.0Ag-0.5Cu (SAC305) solder bump were systematically investigated. After as-bonded, $(Cu,Ni)_6Sn_5$ intermetallic compound (IMC) was formed at the interface of the ENIG surface finish at solder top side, while at the OSP surface finish at solder bottom side,$ Cu_6Sn_5$ and $Cu_3Sn$ IMCs were formed. Mean time to failure on SAC305 solder bump at $130^{\circ}C$ with a current density of $5.0{\times}10^3A/cm^2$ was 78.7 hrs. EM open failure was observed at bottom OSP surface finish by fast consumption of Cu atoms when electrons flow from bottom Cu substrate to solder. In-situ scanning electron microscope analysis showed that IMC growth rate of ENIG surface finish was much lower than that of the OSP surface finish. Therefore, EM reliability of ENIG surface finish was higher than that of OSP surface finish due to its superior barrier stability to IMC reaction.

Sensitivity Analysis and Estimation of the Depth of Investigation in Small-Loop EM Surveys (소형루프 전자탐사의 감도분석 및 가탐심도 추정)

  • Song Yoonho;Chung Seung-Hwan
    • Geophysics and Geophysical Exploration
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    • v.5 no.4
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    • pp.299-308
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    • 2002
  • We have derived an analytical expression for the sensitivity of the frequency domain small-loop electromagnetic (EM) surveys over a two-layer earth in order to estimate the depth of investigation with an instrument having the source-receiver separation of about 2 m. We analyzed the sensitivities to the lower layer normalized by those to the upper half-space and estimated the depth of investigation from the sensitivity analyses and the mutual impedance ratio. The computational results showed that the in-phase components of the sensitivity to the lower layer dominates those to the upper layer when the thickness of the upper layer is less than 20 m, while the quadrature components are not sensitive to the lower layer over the entire frequency range. Hence we confirmed that the accurate measurement of the in-phase component is essential to increase the depth of investigation in the multi-frequency small-loop EM survey. When conductive basement of 10 ohm-m underlies the upper layer of 100 ohm-m, an accurate measurement of the in-phase components ensures the depth of the investigation more than 10 m even accounting a noise effect, from which we conclude that the small-loop EM survey is quite effective in imaging the conductive plume down to a considerable depth. On the other hand, in the presence of the resistive basement of 1,000 ohm-m, the depth of investigation may not exceed 5 m considering the instrumental accuracy, which implies that the application of the small-loop EM survey is not recommended over the resistive environment other than detecting the buried conductor.

Study On The Ignitible, Preventive Measure & Fire Investigation Technique To Household Electric Washing Machine (세탁기의 발화성, 예방대안 및 원인조사기술에 관한 연구)

  • Joe, Hie-Su;Kim, Man-Woo;Kim, Won-Tae
    • Journal of Korean Institute of Fire Investigation
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    • v.11 no.1
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    • pp.29-62
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    • 2007
  • 본 연구는 국내의 가정에서 가장 많이 사용되고 있는 1조식전자동세탁기(이하 기기라 함)의 발화위험요소 중, 그 내부에 부속된 세탁조의 하부측을 경유하며 배선되는 전선(이하 하부배선이라 함)의 발화형태와 성상(性狀)을 조명하므로서, 예방대안과 원인조사의 요령을 구체적으로 제시하고자 하였다.

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Current Status of Digital Library Programs in USA (미국의 디지털 도서관 구축현황)

  • Choi, Ho-Nam
    • Journal of Information Management
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    • v.26 no.3
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    • pp.32-53
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    • 1995
  • A system of networked digital libraries will be a primary component of information infra-structure. The general strategy for digital libraries by the American university libraries is summarized as building of information infrastructure, content database construction, and project-based design. This paper describes the present feature and status of digital libray programs being implemented by the libraries of Michigan University, Carnegie Mellon University and Virginia PolyTech & State University.

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Implementation of QoS Control Function in SIP based VoIP System (SIP 기반 VoIP 시스템에서 QoS 제어기능 구현)

  • 라정환;윤덕호;김영한;김은숙;강신각
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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    • v.40 no.12
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    • pp.18-26
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    • 2003
  • In this paper, we design and implement a QoS control function in the SIP-based VoIP system. As a network infrastructure for VoIP service, we select the Intserv over Diffserv architecture where the network resources are managed by a call admission control mechanism. The SIP protocol extended to support QoS signaling procedure is modulized to operate independently with the infrastructure. The performance of the QoS-enabled VoIP system is verified by experiments.

Effect of electrode structure on electrical properties of thin film diode (박막 다이오드의 전기적 특성에 미치는 전극 구조의 영향)

  • Hong, Sung-Jei;Lee, Chan-Jae;Kim, Won-Keun;Han, Jeong-In
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2002.04b
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    • pp.73-76
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    • 2002
  • 박막 다이오드의 전기적 특성에 미치는 전극 구조의 영향을 관찰하였다. 박막 다이오드는 하부전극-절연층($Ta_{2}O_{5}$)-상부전극의 3층 구조로 설계 및 제작하였고, 하부 전극으로 Ta, 상부 전극으로 Cr 및 Ti를 각각 사용하였다. Cr을 상부 전극으로 사용한 결과 비대칭비가 1.8인 높은 비대칭 특성을 나타내었다. 그러나 Ti 상부 전극의 경우 반대의 경향을 나타내었다. 이들을 각각 $150^{\circ}C$에서 열처리한 결과 Cr 상부 전극 다이오드는 비대칭비가 1.4로 여전히 비대칭 경향을 나타내었으나, Ti 상부 전극의 박막 다이오드는 비대칭비가 1.1로 대칭에 가까운 우수한 특성을 나타내었다.

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