• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2008.11a
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• pp.989-991
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• 2008

최근 플래시 메모리 기반의 저장장치가 하드디스크 영역에서 광범위하게 사용되고 있다. 하지만 단점을 가지고 있는데 느린 쓰기 및 지우기 속도가 그것이다. 본 논문에서는 플래시 메모리의 쓰기 및 지우기 동작을 줄일 수 있는 플래시 메모리 기반의 저장장치를 위한 새로운 버퍼 관리 기법을 제안한다. 제안된 ABM 기법은 플래시 메모리 기반의 저장장치에서 약 30%의 성능향상을 보이고 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.450-450
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• 2013

플래시 메모리는 소형화가 용이하고, 낮은 구동 전압과 빠른 속도의 소자 장점을 가지기 때문에 휴대용 전자기기에 많이 사용되고 있다. 현재 사용되고 있는 플로팅 게이트를 이용한 플래시 메모리 소자는 비례축소에 의해 발생하는 단 채널 효과, 펀치스루 효과 및 소자 간 커플링 현상과 같은 문제로 소자의 크기를 줄이는데 한계가 있다. 이 문제를 해결하기 위해 FinFET, nanowire FET, 3차원 수직 구조와 같은 구조를 가진 플래시 메모리에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 비례축소의 용이함과 낮은 누설 전류의 장점을 가진 FinFET 구조를 가진 낸드 플래시 메모리의 전기적 특성에 대해 조사하였다. 메모리의 집적도를 높이기 위하여 비대칭 FinFET 구조를 가진 더블 게이트 낸드 플래시 메모리 소자를 제안하였다. 비대칭 FinFET 구조는 더블 게이트를 가진 낸드 플래시에서 각 게이트 간 간섭을 막기 위해 FinFET 구조의 도핑과 위치가 비대칭으로 구성되어 있다. 3차원 TCAD 시뮬레이션툴인 Sentaurus를 사용하여 이 소자의 동작특성을 시뮬레이션하였다. 낸드 플래시 메모리 소자의 게이트 절연 층으로는 high-k 절연 물질을 사용하였고 터널링 산화층의 두께는 두 게이트의 비대칭 구조를 위해 다르게 하였다. 두 게이트의 비대칭 구조를 위해 각 fin은 다른 농도로 인으로 도핑하였다. 각 게이트에 구동전압을 인가하여 멀티비트 소자를 구현하였고 각 구동마다 전류-전압 특성과 전하밀도, 전자의 이동도와 전기적 포텐셜을 계산하였다. 기존의 같은 게이트 크기를 가진 플로팅 게이트 플래시 메모리 소자에 비해 전류-전압곡선에서 subthreshold swing 값이 현저히 줄어들고 동작 상태 전류의 크기가 늘어나며 채널에서의 전자의 밀도와 이동도가 증가하여 소자의 성능이 향상됨을 확인하였다. 또한 양족 게이트의 구조를 비대칭으로 구성하여 멀티비트를 구현하면서 게이트 간 간섭을 최소화하여 각 구동 동작마다 성능차이가 크지 않음을 확인하였다.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2009.11a
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• pp.891-892
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• 2009

본 논문에서는 PDP 제어를 위해 사용되는 플래시 메모리의 데이터를 원활하게 관리하고 결과 데이터를 플래시 메모리에 저장하는 프로그램인 FlashMn의 기능 및 활용 방안에 대하여 설명한다.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2013.05a
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• pp.887-889
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• 2013

플래시 메모리는 기존 저장 매체와는 달리 읽기 연산보다 쓰기 연산의 수행비용이 매우 크고, 덮어쓰기가 불가능한 특성이 존재한다. 본 논문에서는 플래시 메모리의 고유의 특성들이 기존의 디스크 기반 로그 기반 회복 방안과 그림자 페이지 기반 회복 방안의 성능에 미치는 영향을 분석한다. 더 나아가, 플래시 메모리 환경을 위해 제안된 회복 방안들의 장, 단점을 분석하고, 이를 바탕으로 추후 플래시 메모리 환경을 위한 회복 방안 설계 시 고려해야 할 사항들을 제안한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.301.1-301.1
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• 2014

모바일 전자기기 시장의 큰 증가세로 인해 플래시 메모리 소자에 대한 수요가 급격히 증가하고 있다. 특히, 저 전력 및 고집적 대용량 플래시 메모리의 필요성이 커짐에 따라 플래시 메모리 소자의 비례축소에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 하지만 10 nm 이하의 게이트 크기를 가지는 플래시 메모리 소자에서 각 셀 간의 간섭에 의한 성능저하가 심각한 문제가 되고 있다. 본 연구에서는 10 nm 이하의 낸드 플래시 메모리 소자에서 인접한 셀 간의 간섭으로 인해 발생하는 전기적 특성의 성능 저하를 관찰하고 메커니즘을 분석하였다. 4개의 소자가 배열된 낸드플래시 메모리의 전기적 특성을 3차원 TCAD 시뮬레이션을 툴을 이용하여 계산하였다. 인접 셀의 프로그램 상태에 따른 측정 셀의 읽기 동작과 쓰기 동작시의 전류-전압 특성을 게이트 크기가 10 nm 부터 30 nm까지 비교하여 동작 메커니즘을 분석하였다. 게이트의 크기가 감소함에 따라 플로팅 게이트에 주입되는 전하의 양은 감소하는데 반해 프로그램 전후의 문턱전압 차는 커진다. 플래시 메모리의 게이트 크기가 줄어듦에 따라 플로팅 게이트의 공핍영역이 차지하는 비율이 커지면서 프로그램 동작 시 주입되는 전하의 양이 급격히 줄어든다. 게이트의 크기가 작아짐에 따라 인접 셀 과의 거리가 좁아지게 되고 이에 따라 프로그램 된 셀의 플로팅 게이트의 전하가 측정 셀의 플로팅 게이트의 공핍영역을 증가시켜 프로그램 특성을 나쁘게 한다. 이 연구 결과는 10 nm 이하의 낸드 플래시 메모리 소자에서 인접한 셀 간의 간섭으로 인해 발생하는 전기적 특성의 성능 저하와 동작 메커니즘을 이해하고 인접 셀의 간섭을 최소로 하는 소자 제작에 많은 도움이 될 것이다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.44 no.6 s.360
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• pp.34-41
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• 2007

We popose a programmed on-line to FSM-based Programmable BIST(Buit-In Self-Test) with selected command, to select a test algorithm from a predetermined set of algorithms that are built in the Flash memory BIST. Thus, the proposed scheme greatly simplifies the testing process. Besides, the proposed FSM-based Programmable BIST is more efficient in terms of circuit size and test data to be applied, and it requires less time to configure the Flash memory BIST. We also will develop a programmable Flash memory BIST generator that automatically produces Verilog code of the proposed BIST architecture for a given set of test algorithms. If experiment the proposed method, the proposed method will achieves a good flexibility with smaller circuit size compared with previous methods.

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.51 no.12
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• pp.72-82
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• 2014

Recently, the size of semiconductor industry market is constantly growing, due to the increase in diffusion of smart-phone, tablet PC and SSD(Solid State Drive). Also, it is expected that the demand for TLC NAND-type flash memory would gradually increase, with the recent release of TLC NAND-type flash memory in the SSD market. There have been a lot of studies on SLC NAND flash memory, but no research on TLC NAND flash memory has been conducted, yet. Also, a test of NAND-type flash memory is depending on a high-priced external equipment. Therefore, this study aims to suggest a structure for an autonomous test with no high-priced external test device by modifying the existing SLC NAND flash memory and MLC NAND flash memory test algorithms and patterns and applying them to TLC NAND flash memory.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2009.04a
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• pp.647-650
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• 2009

IPTV(Internet Protocol Television)는 차별화된 초고속 광대역 네트워크를 기반으로 기존 TV의 단점을 보완하여 차세대 DTV 시장을 주도할 것으로 예상된다. IPTV의 저장용량이 증가하는 추세에 따라 SSD(Solid State Disk)가 NAND 플래시 메모리를 대체 할 것으로 예상된다. 본 논문에서는 IPTV의 저장장치인 SSD의 수명을 증가시키고 플래시메모리의 특성인 마모도 제한을 고려하지 않은 지움 정책(Garbage-Collection)을 사용하는 YAFFS(Yet Another Flash FileSystem)의 문제점을 해결하기 위해 블록을 내용기반 리스트로 관리하고 블록스왑을 사용하는 내용기반 지움 정책을 제안한다. 기존 파일시스템 보다 수명을 향상 시키는 내용기반 파일시스템을 설계 및 구현하여 성능을 분석하였다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 1999.11a
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• pp.993-996
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• 1999

본 논문에서는 휴대용 MP3플레이어에서 사용하는 파일관리프로그램에서 플래시에 데이터를 저장하고 관리하는데 따른 파일관리시스템을 설계하고 이를 구현하기 위한 기술을 논하고자 한다. 휴대용 기기에서 문제가 되는 것이 데이터의 보존을 위해 전원공급을 계속해서 해주어야 하는 문제가 가장 중요한데 이러한 제약을 극복하기 위해 전원이 공급되지 않더라고 기존의 데이터를 그대로 유지할 수 있도록 플래시메모리를 사용한다. 그러나 전원공급의 문제를 플래시로 해결했지만 플래시를 사용하는데 따른 저장공간의 제약과 데이터의 읽기 쓰기 등의 방법에서 다른 메모리와 차이가 있기에 이러한 단점을 보완해서 일반 메모리와 동일하게 사용할 수 있도록 하는 파일 관리가 필요하게 된다. 이를 위해 특정 영역을 파일정보를 담는 공간으로 할당하여 데이터 관리를 효율적으로 할 수 있도록 하고 데이터의 갱신과 저장이 용이하도록 하였다.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2010.04a
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• pp.26-28
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• 2010

플래시 메모리는 현재 다양한 분야에서 전통적인 하드디스크를 점차 대신하고 있다. 이에 따라서 플래시 메모리에 사용될 파일시스템에도 많은 연구가 이루어 지고 있다. 플래시 메모리, 특히 NAND 플래시에 사용되는 가장 대표적인 파일시스템으로 JFFS 와 YAFFS 를 들 수 있는데 YAFFS가 JFFS 보다 전반적으로 우수하다고 하나 마운트 과정 및 메모리 사용에 있어 비효율적인 면이 존재한다. 본 논문에서는 임베디드 시스템에서 정적 파일을 활용해 YAFFS2 파일시스템의 마운트 시간 및 메모리 사용량을 줄이는 방법을 소개한다.