• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권4호
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• pp.396-403
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• 1996

In this paper, the (S $r_{0.85}$.C $a_{0.15}$)Ti $O_{3}$ of paraelectric grain boundary layer (GBL) ceramics were fabricated, and the analysis of microstructuye and the thermally stimulated current(TSC) were investigated for understanding effects of GBL's interfacial phenomenon on variations of electrical properties. As a result, the three peaks of .alpha., .alpha. and .betha. were obtained at the temperature of -20 [.deg. C], 20[.deg. C] and 80[.deg. C], respectively. The origins of these peaks are that the .alpha. peak observed at -20[.deg. C] looks like to be ascribed to the ionization excitation from donor level in the grain, and the .alpha.' peak observed at 20[.deg. C] appears to show up by detrap of the trapped carrier of border between the oxidation layer and the grain, and the .betha. peak observed at 80[.deg. C] seems to be resulted from hopping conduction of existing carrier in the trap site of the border between the oxidation and second phase. and second phase.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 전자세라믹 방전플라즈마 연구회
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• pp.92-95
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• 2001

고분자 복합체 절연재료는 porcelain 이나 glass 같은 세라믹 소재의 재료와 비교하여 옥외사용 시간의 관점에서 더 뛰어난 특정을 발휘한다. 그러나 노화되었을 때, 이들 옥외용 절연재료의 성질은 발수성이나 흡수성등과 같은 절연재료의 표면특성에 의해 변화한다. 이러한 표면특성의 변화는 누설전류에 의한 트래킹 (tracking), 침식 (erosion) 및 섬락현상(flashover) 등의 유전체 파괴에 이르게 한다. 본 연구에서는 고분자 복합체 절연재료로 널리 이용되고 있는 EPDM의 발수특성을 향상시키기 위해 기존에 이용되던 무기물 첨가제인 alumina hydrate(ATH)이외에 발수성이 뛰어난 실리콘 고무를 상용화제를 이용하여 블렌드하고, 각종 유기 첨가제 및 무기물 보강제를 이용하여 EPDM/Silicone 복합체를 제조하였다. EPDM/Silicone 복합체의 인장강도 및 유전강도는 실리콘의 함량이 증가할수록 낮아졌으며, 촉진 노화시험을 실시한 결과 $120^{\circ}C$까지 인장강도 및 신율을 유지하였다. 유전강도의 측정결과 복합체의 접촉각과 표면에너지 측정결과 Silicone 고무의 함량이 증가할수록 접촉각은 증가하고, 표면에너지는 낮아졌다. 경사평판법에의한 내트래킹성 측정결과 실리콘 함량이 증가할수록 내트래킹성은 우수하였으며, 실리콘 함량이 30%인 복합체에서는 트래킹 및 침식이 진행되지 않았다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권5호
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• pp.606-610
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• 1995

In this study, Pb(Z $r_{0.52}$ $Ti_{0.48}$) $O_{3}$ ceramic thin films were fabricated from an alkoxide-based by Sol-Gel method. Pb(Z $r_{0.52}$ $Ti_{0.48}$) $O_{3}$ stock solution was made and spin-coated on the Pt/ $SiO_{2}$/Si substrate at 4000[rpm] for 30[sec.]. Coated specimens were chied at 400[.deg. C] for 10[min]. The coating process was repeated 6 times and then heat-treated at 500-800[.deg. C] and 1 hour. The final thickness of the thin films were about 4800[.angs.]. The ferroelectric perovskite phases precipitated under the sintering of 700[.deg. C] for 1 hour. Pb(Z $r_{0.52}$ $Ti_{0.48}$) $O_{3}$ thin films sintered at 700[.deg. C] for 1 hour showed good dielectric and ferroelectric properties.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제1권1호
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• pp.35-43
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• 1988

In this study, PLZT ceramics were fabricated by the freeze-drying and normal sintering method. The composition rate of the specimen was selected 9/65/35(La/Zr/Ti) which had good optical and dielectric properties, sintering time was varied 1, 10, 30, 50, 55, 60 and 65(hr) at 1250(.deg.C). After sintering, the optical and dielectric properties were investigated with the grain size. As the result of the experiment, the particle size of the powder prepared by freeze-drying method was less than 1(um). The relative dielectric constant was increased linearly with the sintering time and specimen sintered for 65(hr) had the highest value, 5780. Grain was grown with increasing time, in the case of specimen sintered for 60(hr), the grain size was 8.4(um). Transmittance was increased with the grain size. In the case of 8.4(um) grain size, the transmittance was 56(%). Curie temperature was decreased linearly by the surface-layer effect of space-charge. In the case of grain size, 1.8(um), 8.4(um), curie temperatures were appeared at 100(.deg.C) and 80(.deg.C), respectively.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권2호
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• pp.97-104
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• 1997

In this paper, in order to investigate the behavior of charged particles on (Sr.Ca)TiO$_{3}$ ceramics with paraelectric properties, the characteristics of electrical conduction and thermally stimulated current was measured respectively. As a result, the conduction mechanism is divided into three regions having different mechanism as the current increased. The region I below 200[V/Cm] shows the ohmic conduction. The region B between 200[V/cm] and 2000[V/cm] can be explained by the Poole-Frenkel emission theory, and the region III above 2000[V/cm] is dominated by the tunneling effect. The three peaks of TSC were obtained at the temperature of -20[.deg. C], 20[.deg. C] and 80[.deg. C], respectively. The origins of these peaks are that the .alpha. peak observed at -20[.deg. C] looks like to be ascribed to the ionization excitation from donor level in the grain, and the .alpha.' peak observed at 20 [.deg. C] appears to show up by hopping conduction of the trapped carrier of border between the oxidation layer and the grain, and the .betha. peak observed at 80[.deg. C] seems to be resulted from hopping conduction of existing carrier in the trap site of the border between the oxidation and second phase.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권5호
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• pp.611-618
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• 1995

The (Sr$_{1-x}$ .Ca$_{x}$)TiO$_{3}$+0.6[mol%]Nb$_{2}$O$_{5}$ (0.05.leq.x.leq.0.2) ceramics were fabricated to form semiconducting ceramics by sintering at about 1350[.deg. C] in a reducing atmosphere(N$_{2}$ gas). Metal oxides, CuO, was painted on the both surface of the specimens to diffuse to the grain boundary. They were annealed at 1100 [.deg. C] for 2 hours. The 2nd phase formed by thermal diffusing from the surface lead to a very high apparent dielectric constant. According to increase of the frequency as a functional of temperature, all specimens used in this study showed the dielectric relaxation, and the relaxation frequency was above 106 [Hz], it move to low frequency with increasing resistivity of grain. The specimens showed three kinds of conduction mechanisms in the temperature range 25-125 [.deg. C] as the current increased: the region I below 200 [V/cm] shows the ohmic conduction. The region rt between 200 [V/cm] and 2000 [V/cm] can be explained by the Poole-Frenkel emission theory, and the region III above 2000 [V/cm] is dominated by the tunneling effect.fect.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권5호
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• pp.640-647
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• 1995

In this study, the BaTiO$\sub$3/ capacitor add to MnO$\sub$2/ like depressor and shifter were investigated for temperature or voltage compensation by structural and electrical analysis. The relative density of BCTM, generating poly crystall and formation of lattice defect, has a 90[%] over as the CaTiO$\sub$3/ come out to control grain size. The current density of BCTM2 increased non-ohmic in high-electric field but that BCTM3 and BCTM4 had a few changing. The BCTM3 and BCTM4 unformated grain boundary shown temperature compensation properties, so that the dielectric constant was low value. The curie point was near 140[.deg. C] in BCTM1 and BCTM4, but BCTM3 and BCTM4 not shown the curie point. It is found that the charging energy of BCTM4 was changed 6[%] according to rising temperature from room temperature to 417[K]. The formation of BaMnO$\sub$3/ was low dielectric constant to change frequency and temperature.

• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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• 제25권2호
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• pp.10-13
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• 2023

본 연구에서는 현재까지 연구된 HTSC와 다른 새로운 HTSC 물질군으로 제시된 LSMIO에 대한 합성 및 박막 성장과 물성 측정을 진행하였다. LSMIO는 기존의 HTSC 물질들과 비교하여 초전도처럼 보이는 현상의 기작이 상이한 것으로 예상되어 초전도 현상에 대한 이해의 폭을 넓히는데 도움이 될 것으로 기대되는 물질이다. 박막 성장을 위해 고상 합성법을 적용하여 La_0.7Sr_0.3Mn_1-xIr_xO₃ 세라믹 타겟을 합성하였으며, XRD 패턴 분석 결과 La_0.7Sr_0.3Mn_0.88Ir_0.12O₃ 샘플을 1200℃에서 2회 소결하는 것이 최적의 합성 조건임을 찾아내었다. 해당 조성의 LSMIO 세라믹 타겟을 사용하여 레이저 강도를 0.4 J/cm²에서 1.2 J/cm²까지 조절하며 PLD를 사용해 박막을 증착 하였다. 모든 LSMIO 박막은 동일한 단결정 LSAT 기판 위에 같은 두께로 성장하여 기판과 시료 두께에 의한 효과는 배제하였다. RHEED 패턴과 박막 XRD 측정 결과 성장된 박막들은 epitaxial하게 100 UC로 성장되었음을 확인할 수 있었으며, 각 박막들은 저항 측정 결과 모체 화합물인 LSMO와 비슷한 저항 특성을 보이며, 레이저 강도가 강할수록 Curie 온도가 낮아지는 결과가 나타났다. LSMIO와 LSMO가 유사한 전기적 특성을 가지는 것을 볼 때, Curie 온도의 하락은 박막의 Sr 치환 비율의 감소에 의한 것으로 사료된다. 본 연구에서는 HTSC의 후보군인 LSMO에 Ir을 치환하여 결정 및 전자 구조의 다양한 변화 시도하고 그 특성을 관찰하였다. LSMIO 페로브스카이트 시스템에서는 자기 양자불안정 (magnetic quantum instability) 상태 부근에서 강자성요동 (ferromagnetic fluctuation)에 의해 초전도가 발현될 수 있다고 보고되었지만, [5, 14] 본 연구에서 성장된 LSMIO 박막은 일반적인 강자성 특성을 보이며 초전도 현상은 관찰되지 않았다. 차후, 아직은 시작 단계인 LSMIO 소재에 관한 연구 저변을 확대하고 다양한 조성비의 박막을 성장하여 물리적 특성과 근원에 대한 연구가 필요할 것으로 사료된다. 비록 초전도는 발현되지 않았지만 manganite 페로브스카이트 시스템에서 전이금속 원소의 치환 및 세라믹 타겟 합성, 그리고 박막 성장과 특성 분석에 걸친 전과정에 대한 연구를 진행하였다. 이를 바탕으로 차후 다양한 HTSC 소재의 합성 및 박막화와 그 특성을 평가하는 연구에 대한 통찰을 제공하기를 기대한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.100-100
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• 2009

ZnO 바리스터는 정전기 및 순간적인 surge로부터 전자기기 및 전자회로 등을 보호하기 위해 개발된 전자 세라믹스 소재이다. 최근 전자기기 등의 고속통신 추세에 따라 ZnO 바리스터는 높은 비선형 특성과 함께 보다 낮은 유전율 및 유전손실 특성이 특별히 요구되고 있다. 따라서 본 연구에서는 현재 양산되고 있는 Bi-계와 Pr-계 ZnO 바리스터가 아닌 새로운 조성계를 이용하여 Y 첨가량(0.1~3.0 at%)에 따른 ZnO 바리스터의 전기적 특성과 유전 특성을 살펴보았다. 시편은 일반적인 세라믹 공정에 따라 제조하여 $1200^{\circ}C$에서 3 시간 공기 중에서 소결하였으며, 소결 및 전기적 특성과 유전 특성(밀도, 미세구조, I-V 특성, 유전율, 유전손실, ZnO grain 비저항)은 FE-SEM, Keithley237, Agilent 4294a 및 Agilent 4991a 장비를 사용하여 Y 함량에 따른 ZnO 바리스터의 특성 변화를 고찰하였다. 그 결과, Y이 2.0 at% 첨가한 계의 바리스터 특성이 가장 우수하였다. 보다 구체적으로 살펴보면 다음과 같다. Y 함량이 증가함에 따라 상대밀도는 94~96%로 증가하였으며, 평균입경은 증가하였다. 또한 유전율은 580~215 (at 1 MHz)로 Y 함량이 증가할수록 낮아졌다. 이를 통하여 새로운 바리스터 조성계에서 Y의 첨가 효과에 대하여 논하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.310-310
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• 2010

ZnO 바리스터는 정전기 (ESD) 및 순간적인 써지(surge)로부터 전자기기 및 전자회로 등을 보호하기 위해 개발된 전자 세라믹스 소재이다. 최근 전자기기 등의 고속통신 추세에 따라 ZnO 바리스터는 높은 비선형 특성과 함께 보다 낮은 유전율 및 유전손실 특성이 특별히 요구되고 있다. 본 연구에서는 현재 양산되고 있는 Bi-계와 Pr-계 ZnO 바리스터가 아닌 새로운 조성계에 $Mn_3O_4$를 0.0~3.0 at% 첨가하여 소결 및 전기적 특성들 살펴보았다. 시편은 일반적인 세라믹 공정에 따라 제조하여 $1200^{\circ}C$에서 1 시간 공기 중에서 소결하였으며, 소결 및 전기적 특성과 유전 특성(밀도, 미세구조, I-V 특성, 유전율, 유전손실, ZnO 비저항)은 FE-SEM, Keithley237, Agilent 4294a 및 Agilent 4991a 장비를 사용하여 첨가제에 따른 ZnO 바리스터의 특성 변화를 관찰하였다. 그 결과 Mn이 0.2 at% 첨가한 계의 바리스터의 상대밀도는 95%, 비선형계수는 14, 유전율은 140 (at 1MHz), 손실값은 0.147 (at 1 MHz)를 나타내었다. 이를 통하여 새로운 바리스터 조성계에서 Mn의 첨가에 따른 효과에 대하여 논하였다.