• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2019년도 춘계학술대회
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• pp.477-478
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• 2019

본 연구에서는 단전자트랜지스터 제작의 용이성과, 고기능화를 위한 실험을 진행하였다. 기존의 양자점 대신에 절연체 사이에 철 알갱이가 분포되어 있는 Fe-MgF2그래뉼라막으로 제작하면 전자빔증착만으로 쉽게 제작할 수 있고 둘 이상의 게이트 전압을 인가하여 다양한 출력 값을 기대할 수 있다. 단전 자트랜지스터가 동작하기 위한 막의 두께를 조사하였고 2.1 nm에서 터널링이 일어남을 확인하였다.

• 한국정밀공학회지
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• 제25권4호
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• pp.134-139
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• 2008

A spirally arrayed nano-pattern is designed as a model pattern for the next generation optical storage media. The pattern consists off types of embossed rectangular dot, which are 50nm, 100nm, 150nm and 200nm in length and 50nm in width. The height of the dot is designed to be 50nm. The pitch of the spiral track of the pattern is 100nm. A ER(Electron resist) master for this pattern is fabricated by e-beam lithography process. The ER is first spin-coated to be 50nm thick on a Si wafer and then the model pattern is written on the coated ER layer by e-beam. After developing this pattern written wafer in the solution, a ER pattern master is fabricated. The most conventional e-beam machine can write patterns in orthogonal way, so we made our own pattern generator which can write the pattern in circular or spiral way. This program generates the patterns to be compatible with the e-beam machine from Raith(Raith 150). To fabricate 50nm pattern master precisely, a series of experiments were done including the design compensation for the pattern size, optimization of the dose, acceleration voltage, aperture size and developing. Through these experiments, we conclude that the higher accelerating voltages and smaller aperture size are better for mastering the nano pattern which is in order of 50nm. With the optimized e-beam lithography process, a spiral arrayed 50nm pattern master adopting PMMA resist was fabricated to have dimensional accuracy over 95% compared to the designed. Using this pattern master, a metal pattern stamp will be fabricated by Ni electro plating for injection molding of the patterned plastic substrate.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제16권4호
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• pp.33-39
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• 2009

마스크리스 리소그래피(maskless lithography)에 응용하기 위한 마이크로렌즈 어레이(microlens array, MLA)가 석영의 습식 식각과 UV 접착제(UV adhesive)의 코팅을 바탕으로 개발되었다. 제작된 MLA의 초점거리는 ${\sim}45\;{\mu}m$ 정도였으며, 집광되는 광선의 초점은 ${\sim}1\;{\mu}m$로 측정되었다. MLA를 통과하며 초점을 맺은 빔(beam)의 크기 및 세기가 charge coupled device (CCD) 카메라와 빔 프로파일러(beam profiler)를 이용하여 각각 측정되었으며, 일정한 세기의 점들이 초점면에서 고르게 관찰되었다. 초점거리는 코팅된 UV 접착제의 두께에 따라 변화하였으며, UV 접착제의 두께가 두꺼울수록 짧아지는 경향을 보였다. 일반적인 마스크 얼라이너(mask aligner)를 이용한 MLA의 UV 포커싱(UV focusing)이 감광막(photoresist, PR) 상에서 실시되었으며, MLA를 통과한 빛이 감광막 위에 일정하게 집광되었다. 마스크 얼라이너와 MLA 사이의 거리 변화에 따라 감광막에 구현된 패턴 사이즈가 조절 되었다. 고온에서 오랜 시간이 지난 후에도 소자의 특성은 전혀 변함이 없었다.

• 한국진공학회지
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• 제20권5호
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• pp.339-344
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• 2011

C-plane 사파이어 기판 위에 펄스 레이저 증착법으로 증착시킨 n-type ZnO 박막에 대한 Ti/Au 금속의 Ohmic 접합특성을 TLM (transfer length method) 패턴 전극을 통하여 연구하였다. 여기서, Ti와 Au 금속박막은 전자빔 증착기와 열 증착기로 각각 35 nm와 90 nm 두께로 증착하였으며, TLM패턴은 광 리소그래피 법으로 면적이 $100{\times}100{\mu}m^2$인 전극패턴을 6~61 ${\mu}m$ 간격으로 형성하였다. Ti/Au 금속박막과 ZnO 반도체 사이의 전기적인 성질을 개선하고 응력과 계면 결함을 감소시키기 위해, 산소 가스 분위기로 $100{\sim}500^{\circ}C$ 온도에서 각각 1분간 급속열처리를 하였다. $300^{\circ}C$의 온도에서 열처리한 시료에서 $1.1{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm^2$의 가장 낮은 비저항 값을 보였는데, 이것은 열처리 동안 티타늄 산화막 형성과정에서 ZnO 박막 표면 근처에 산소빈자리가 형성됨으로써 나타나는 전자농도의 증가가 주된 원인으로 고려되었다.