• Title/Summary/Keyword: 전자공명

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자기장을 인가한 솔레노이드형 유도 결합 플라즈마 장치에서의 전자 싸이클로트론 공명 플라즈마 특성

  • Lee, Jae-Won;Kim, Yeong-Do;Lee, Yeong-Gwang;Jeong, Jin-Uk
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.02a
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    • pp.516-516
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    • 2012
  • 약한 자기장 (~20 G)이 인가된 유도 결합 플라즈마 장치는 고효율, 높은 균일도의 플라즈마를 생성할 수 있다. 그러므로 이 장치에 대한 변수 제어뿐만 아니라, 전자 싸이클로트론 공명(Electron cyclotron resonance) 현상에 의한 방전 특성에 대한 연구는 매우 중요하다. 그에 연관된 여러 연구가 있었지만, 대부분의 연구는 평판형 유도 결합 플라즈마에서 진행되었다. 그에 따라서, 본 연구는 솔레노이드 형태의 유도 결합 플라즈마 장치에서 플라즈마 변수에 대한 약한 자기장의 영향을 살펴보았다. 실험에 사용된 인가주파수는 13.56 MHz에서 27.12 MHz였으며, 다양한 압력과 전력에서 실험이 진행되었다. 이러한 솔레노이드 형태의 유도 결합 플라즈마에서의 플라즈마 변수는 국부적인 특성을 보였으며, 평판형 유도 결합 플라즈마와 비교/분석을 진행하였다.

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Superexchange in the Dense Paramagnet $CuF_{2}$ (밀집된 상자성체 $CuF_{2}$의 초교환 상호작용)

  • Jun Hyeong Kim;Chang Hoon Lee;Cheol Eui Lee
    • Journal of the Korean Magnetics Society
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    • v.5 no.3
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    • pp.171-174
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    • 1995
  • We have studied the paramagnetic $CuF_{2}$ using the techniques of pulsed nuclear magnetic resonance(NMR). The powder sample revealed two well-separated lines from the distinct $^{19}F$ sites at room temperature and at 77 K. The distinct frequency shifts of the two lines appear to arise from electron transfers. Furthermore, the two sites have very short spin-lattice relaxation times ($T_{1}$). The frequency-shifted site has the shorter $T_{1}$ than the unshifted one, reflecting the difference of the electron environments of the two sites.

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Design of Electronic Ballast Reducing Acoustic Resonances Phenomina in Metal Halide Discharge Tube (메탈 할라이드 방전관 내의 음향 공명을 감소시킨 전자식 안정기 설계)

  • 김기정;박종연
    • The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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    • v.4 no.5
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    • pp.405-412
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    • 1999
  • Meta! Halide Discharge(]\1HD) Iamps have good color rendition, long life and good focusing capability but h have flickers bv acoustic resonances. We have designed the electronic ballast for reducing acoustic resonances in high pressure discharge tube. The ballast consists of main two parts, the first part is a half-bridge inverter to make a square wave form a and the st'Cond part is a flyback converter to combine the low frequency and high frequency component. As a r result of this study, we conclude that MHD lamps of 70 watt 따c very well light(D without acoustic resonance p phenomena by the elestronic ballast.

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Symmetry of GaAsN Conduction-band Minimum: Resonant Raman Scattering Study (GaAsN 전도띠 바닥의 대칭성: 공명라만산란연구)

  • Seong M.J.
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.15 no.2
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    • pp.162-167
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    • 2006
  • The symmetry of the conduction-band minimum of $GaAs_{1-x}N_{x}$ is probed by performing resonant Raman scattering (RRS) on thin layers of $GaAs_{1-x}N_{x}(x{\leq}0.7)$ epitaxially grown on Ge substrates. Strong resonance enhancement of the LO(longitudinal optical)-phonon Raman intensity is observed with excitation energies near the $E_0$ as well as $E_+$ transitions, However, in contrast to the distinct LO-phonon line-width resonance enhancement and activation of various X and L zone-boundary phonons brought about slightly below and near the $E_+$ transition, respectively, we have not observed any resonant LO-phonon line-width broadening or activation of sharp zone-boundary phonons near the $E_0$ transition. The observed RRS results reveal that the conduction-band minimum of GaAsN predominantly consists of the delocalized GaAs bulk-like states of ${\Gamma}$ symmetry.

A Study on the Properties of hydrogen Plasma in the Electron Cyclotron Resonance Plasma Chemical Vapor Deposition System (전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학적 기상 증착 장치에서의 수소플라즈마 특성연구)

  • 김우준;구자춘;황기웅
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.3 no.3
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    • pp.331-336
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    • 1994
  • Electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition (ECRPCVD) 장치에서 공정변 수에 따른 수소플라즈마 특성을 조사하였다. 균일한 플라즈마 밀도를 얻기 위하여 전자공명층이 기판과 평행하게 형성되도록 정자장 코일을 설계하였으며 기판근처에 부가적으로 형성된 multicusp field 에의 해서 기판 근처에서의 플라즈마 균일도를 개선시킬수 있었다. 또한 절연된 공진실과 기판에의 독립적인 DC bias에 의해서 기판으로 입사하는 하전입자들이 에너지와 유량을 조잘할 수 있었다. 이러한플라즈마 특성을 갖는 ECRPCVD장치를 다양한 특성을 갖는 박막 합성에 응용할 수 있으리라 사료된다.

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Fabrication and electrical properties of InGaAs/InP reaonant tunneling diode (InGaAs/InP 송명 터널다이오드의 제작과 전기적 특성)

  • 유병수;이우선
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.6 no.4
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    • pp.324-328
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    • 1993
  • 본 논문에서는 전자파 디바이스의 고속화를 위해서 OMVPE를 이용하여 InGaAs/InP공명 터널 다이오드를 제작하고 전기적특성을 연구하였다. 공명 터널 다이오드의 전압-전류특성, 장벽폭에 따른 P/V비와 RTD의 양자 우물 효과가 연구되었는데 P/V비는 장벽폭이 증가함에 따라서 지수함수적인 감소를 보였다.

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