• Title/Summary/Keyword: 전율

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Warpage of Co-fired High K/Low K LTCC Substrate (고유전율/저유전율 LTCC 동시소성 기판의 휨 현상)

  • Cho, Hyun-Min;Kim, Hyeong-Joon;Lee, Chung-Seok;Bang, Kyu-Seok;Kang, Nam-Kee
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.11 no.3 s.32
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    • pp.77-82
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    • 2004
  • In this paper, warpages of heterogeneous LTCC substrates comprised of high K/low K hi-layered structure were investigated. The effect of glass content in high K LTCC layer on the warpage of substrate during co-firing process was examined. Shrinkage and dielectric properties of high K and low K green sheets were measured. In-situ camber observation by hot stage microscopy showed different camber development of heterogeneous LTCC substrates according to glass content in high K green sheet. High K green sheet containing $50\%$ glass was matched to low K green sheet in the shrinkage. Therefore, LTCC substrate of Low K/High K+$50\%$ glass structure showed flat surface after sintering.

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A Fabrication of From and a Measurement of Relative Permittivity of Illite Found in Young-dong Area (영동산 일라이트의 성형 및 비유전율 측정)

  • Lee, Won-Hui;Choi, Hong-Ju;Koo, Kyung-Wan;hur, Jung
    • The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.12 no.5
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    • pp.747-754
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    • 2001
  • This paper describes measurement of relative permittivity of illite found in young-dong area. A measurement of relative permittivity of the illite was made using cylindrical cavity resonators with a moveable cap. A concentric dielectric-rod inserted the cylindrical cavity resonator and an exact field representation of non-decaying mode of the resonator are introduced for the measurement of relative permittivity. The exact electromagnetic fields in cylindrical cavity with a concentric dielectric rod is analysed. The relative permittivity of dielectric in the cavity is calculated by analyzing a characteristic equation. The characteristic equation is solved by using the ContourPlot graph of Mathematica. We know that the field representation of non-decaying mode is exact. As a result, the relative permittivity of dielectric materials was 7.820 for a sample with binder and 7.894 for a pure sample.

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SoP (System on Package)를 위한 기판 재료의 요구 특성

  • 이효종
    • Ceramist
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    • v.8 no.3
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    • pp.25-30
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    • 2005
  • 최근 SOP에 대한 관심이 늘어나고 있으며 그에 따라 새로운 재료에 대한 관심도 증폭되고 있다. 예전의 단순한 신호 전달의 매개체 역할에서 벗어나 많은 수동 소자나 RF소자들을 내장하고 궁극적으로는 능동 소자까지 단일 기판위에 탑재하기 위해서는 기존의 RF 적인 전기적인 요구 특성 위에 많은 부가 특성들이 요구된다. 특히 SI이나 GaAs같은 능동 소자들과의 Assembly과정에서의 신뢰성을 확보하기 위해 낮은 선팽창 계수나 높은 탄성 계수 등의 기계적인 특성들이 요구되고 있으며 또한 점차 복잡한 회로 구조 등을 구현하기 위해 무수축이라는 새로운 공법 또한 요구되어 지고 있다. 그리고 사용주파수가 점차 높아짐에 따라 한편으로는 저유전율과 저손실의 재료가 요구되고 있으며 다른 한편으로는 embedded Capacitance의 요구에 맞춰 고유전율의 기판재료 또한 요구되어 지고 있다. 따라서 궁극적으로는 회로 구현의 목적에 따라 저유전율과 고유전율의 이종 재료의 접합이라는 문제 또한 자연스럽게 대두되고 있다. 이처럼 SoP에 대한 시장의 요구가 증가함에 따라 새로운 재료개발의 요구 또한 늘어나게 될 것으로 예상된다.

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Using the TDR in specific inductive capacity for Partial Discharge Signals Detection Method (이종 비유전율에서 TDR을 이용한 PD발생 위치 추적방법)

  • Choi, Mun-Gyu;Cha, Hanju
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2015.07a
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    • pp.1477-1480
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    • 2015
  • 본 논문은 TDR(Time Domain Reflectometry)을 이용하여, 비유전율내에서 PD(Partial Discharge) 발생 시 부분방전 위치를 추적할 수 있는 한분야의 방법으로 비율전율간의 이동속도를 적용하여 PD위치를 쉽게 겁근할 수 있는 방법이다. 기존에는 절연유와 SF6 가스의 연결부에서 부분방전 발생 시 30cm/ns의 이동속도를 이용하여 위치를 추적함으로써 약 31% 오차가 발생하였다. 절연유내에서의 이동속도를 20cm/ns의 상수를 적용하여 현장에 적용결과 PD위치의 오차를 저감할 수 있었으며, PD발생 부분을 절연유와 SF6 가스구역으로 구분을 할 수가 있었으며, 이를 통하여 점검예산을 확보할 수 있는 계기가 되었다. 비유전율 상수를 이용한 이동속도를 산출하여 PD위치를 추적하는 방법을 활용하면, 기존의 PD발생위치 추적을 보다 용이하게 접근할 수 있는 방법이라 생각한다.

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Error Analysis for Microwave Permittivity Measurement using Post Resonator Method (Post Resonator 방법에 의한 마이크로파 유전율 측정에서의 오차 분석)

  • Cho, Mun-Seong;Lim, Donggun;Park, Jae-Hwan;Park, Jae-Gwan
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.19 no.3
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    • pp.43-48
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    • 2012
  • Errors of relative permittivity calculation caused by the variation of sample aspect ratio (diameter/height) and measuring geometry were analyzed by computer simulation and measurement. Firstly, the $S_{21}$ spectrum of the sample (permittivity 38) was simulated in the post resonator measuring apparatus by HFSS simulation. Then, the relative permittivity was calculated from the $TE_{011}$ mode resonant frequency. The relative permittivity varied by ca. 0.3% with sample aspect ratio variation (D/H=0.8~1.6). The relative permittivity varied by ca. 1~10% when the 1~10% of air-gap was introduced in between the dielectric disk and upper conductor. All the simulation results showed consistent tendency with real measurement.

A Study of Antibody Conversion Rate During a Mycoplasma pneumoniae Epidemic Period(the Second Half of 2003) (Mycoplasma pneumoniae 유행 시기(2003년 하반기)의 항체 양전율에 대한 조사)

  • Kim, Do Kyun;Yu, Jinho;Yoo, Young;Koh, Young Yull
    • Clinical and Experimental Pediatrics
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    • v.48 no.5
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    • pp.500-505
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    • 2005
  • Purpose : This study was designed to estimate the prevalence of Mycoplasma pneumoniae infection during an epidemic period by means of examining the antibody conversion rate and to investigate the association of the antibody conversion with age, initial antibody titer, and atopy. Methods : We chose 191 children whose antibody titer to M. pneumoniae was negative, 1 : 40, or 1 : 80 during the first half of 2003. After the second half of 2003 when the M. pneumoniae epidemic occurred, follow-up collection of sera was performed during the first half of 2004. M. pneumoniae antibody titer was measured by Serodia-Myco II particle agglutination test. Results : Of 191 children, antibody conversion was detected in 83 children(43.5 percent). No significant difference was found between the conversion and non-conversion group with respect to age, sex and atopy. Dividing the subjects into four groups by age, results on the antibody conversion rate revealed no significant differences between the groups. Assessed by initial antibody titer, a diminished trend of conversion rate was observed in children with 1 : 80 titer but the difference was not significant. There was no significant difference in the antibody conversion rate between atopic and non-atopic children. Conclusion : Based on the antibody conversion rate in this study, the prevalence of M. pneumoniae infection during an epidemic period was estimated to be 43.5 percent. This high infection rate suggests that during an epidemic, we should bear in mind M. pneumoniae as an important etiologic agent for respiratory infection in children.

Influence of Internal and External Factors on the Inventory Turnover Change Rate (기업 내부적 및 외부적 요인이 재고자산회전율 변화율에 미치는 영향)

  • Seo, Yeong-Bok;Park, Chan-Kwon
    • Journal of Convergence for Information Technology
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    • v.11 no.9
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    • pp.94-108
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    • 2021
  • This study is to identify the internal and external factors of a company that can affect the rate of change in the inventory turnover ratio. In addition, by appropriately managing or responding to these factors, changes in the inventory turnover ratio do not occur abruptly, so that the company's business and financial performance can be improved. To confirm this, factors such as gross profit margin, cash flow volatility, advertising expenses, inflation, exchange rate rise, and leading economic index were selected, and these factors were predicted to affect the change rate of inventory turnover. Data of 85,878 companies were obtained from domestic securities listings, KOSDAQ listings, and externally audited companies, and multiple regression analysis was performed using the data. Gross profit margin and cash flow volatility have a significant positive (+) effect, advertising expenses have a negative (-) significant effect, and inflation and exchange rate rises have a negative (-) significant effect. As an influence, the leading economic index was tested to have a significant positive (+) effect. Through this, it is suggested that manufacturing companies can improve their business performance and achieve operational efficiency by well understanding and appropriately managing factors that can affect the change rate of inventory turnover.

Frequency-Dependent Resistivity and Relative Dielectric Constant of Soil on Water Content (수분함유량에 따른 토양의 저항률 및 비유전율의 주파수의존성)

  • Choi, Jong-Hyuk;Cha, Eung-Suk;Lee, Bok-Hee
    • Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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    • v.24 no.1
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    • pp.98-104
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    • 2010
  • In order to evaluate the performance of a grounding system against lightning or fault currents including high frequency components, the grounding impedance should be considered rather than the steady state ground resistance. To evaluate the ground impedance, the frequency dependence of resistivity and relative dielectric constant of the soil have to be analyzed. This paper deals with the frequency dependence of the resistivity and relative dielectric constant of three types of soil on water content. As a result, the resistivity of soil is getting lower with increasing of water content. It is nearly independent of the frequency in the range less than 1[MHz], and is decreased over the frequency range above 1[MHz]. On the other hand, the relative dielectric constant is rapidly decreased with the frequency in the range less than 1[MHz], but it is nearly independent on the frequency over the range of 1[MHz]. It was found from the experiments that the frequency-dependant resistivity and relative dielectric constant of soil should be considered when designing the grounding systems for protection from lightning or switching surges.

리모트 플라즈마 원자층 증착 기술 및 high-k 응용

  • Jeon, Hyeong-Tag;Kim, Hyung-Chul
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2010.05a
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    • pp.6.1-6.1
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    • 2010
  • 원자층 증착 기술 (Atomic Layer Deposition)은 기판 표면에서 한 원자층의 화학적 흡착 및 탈착을 이용한 nano-scale 박막 증착 기술이기 때문에, 표면 반응제어가 우수하며 박막의 물리적 성질의 재현성이 우수하고, 대면적에서도 균일한 두께의 박막 형성이 가능하며 우수한 계단 도포성을 확보 할 수 있다. 최근 ALD에 의한 박막증착 방법 중 플라즈마를 이용한 ALD 증착 방법에 대한 다양한 연구가 진행되고 있다. 플라즈마는 반응성이 좋은 이온과 라디컬을 생성하여 소스간 반응성을 좋게 하여, 소스 선택의 폭을 넓어지게 하고, 박막의 성질을 좋게 하며, 생산성을 높일 수 있는 장점이 있다. 그러나 플라즈마를 사용함으로써 플라즈마 내에 이온들이 가속되서 박막 증착 중에 기판 및 박막에 손상을 입혀 박막 특성을 열화 시킬 가능성이 있다. 따라서 플라즈마 발생 영역을 기판으로부터 멀리 떨어뜨린 원거리 플라즈마 원자층 공정이 개발 되었다. 이 기술은 플라즈마에서 생성된 ion이 기판이나 박막에 닫기 전에 전자와 재결합 되거나 공정 chamber에서 소멸하여 그 영향을 최소하고 반응성이 좋은 라디칼과의 반응만을 유도하여 향상된 막질을 얻을 수 있도록 하였다. 따라서 이 원거리 플라즈마 원자층 증착기술은 나노 테크놀러지 소자 개발하기 위한 나노 박막 기술에 있어서 그 활용이 점점 확대될 것이다. 그 적용으로써 리모트 플라즈마 원자층 증착 방법을 이용한 고유전 물질 개발이 있다. 반도체 소자의 고집적화 및 고속화가 요구됨에 따라 집적회로의 크기를 혁신적으로 축소하여 스위칭 속도(switching speed)를 증가시키고, 전력손실 (power dissipation)을 줄이려는 시도가 이루어지고 있다. 그 중 하나로 고유전율 절연막은 트렌지스터 소자의 스케일링 과정에 수반하여 커지는 게이트 누설 전류를 억제하기 위한 목적으로 도입되었다. 유전율이 크면 동일한 capacitance를 내는데 필요한 물리적인 두께를 늘릴 수 있어 전자의 tunneling을 억제할 수 있고 전력손실을 줄일 수 있기 때문이다. 이와 같은 고유전율 물질이 게이트 산화막으로 사용되기 위해서 높은 유전상수 열역학적 안정성, 낮은 계면 전하밀도, 낮은 EOT, 전극 물질과의 양립성 등의 특성이 요구되는데, 이에 따라 많은 유전물질에 대한 연구가 진행되었다. 기존 gata oxide를 대체하기 위한 가장 유력한 후보 재료로 주목 받고 있는 high-k 물질들로는 Al2O3, HfO2, ZrO2, La2O3 등이 있다. 본 발표에서는 ALD의 종류에 따른 기술을 소개하고 그 응용으로 고유전율 물질 개발 연구 (고유전율 산화물 박막의 증착, 고유전율 산화물의 열적 안정성 평가, Flatband 매카니즘 규명, 전기적 물리적 특성 분석)에 대해서 발표 하고자 한다.

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