• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
• /
• 2013.05a
• /
• pp.753-756
• /
• 2013

This paper analyzed the change of subthreshold current for channel dimension of double gate(DG) MOSFET. The nano-structured DGMOSFET to reduce the short channel effect had to be preciously analyze. Poisson's equation had been used to analyze the potential distribution in channel, and Gaussian function had been used as carrier distribution. The subthreshold current had been analyzed for device parameters such as channel dimension, and projected range and standard projected deviation of Gaussian function. Since this potential model was verified in the previous papers, we used this model to analyze the subthreshold current. Resultly, we know the subthreshold current was influenced on parameters of Gaussian function and channel dimension for DGMOSFET.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
• /
• v.3 no.4
• /
• pp.365-374
• /
• 1998

The SHE(Selected Harmonic Elimination) PWM scheme which eliminates specific lower order harmonics can generate h high quality output waveforms in 3-level PWM inverters. However. its application has limited since SHE switching a angles cannot be calculated on-line by a microprocessor-implemented control system. Based on off-line optimization. in which multiple SHE solutions were found and analysed for 2 to 5 switching angles per quarter in the 3-level SHE PWM pattern. this paper presents an algebraic algorithm for an ordinary microprocessor to calculate approximate SHE S switching angles on-line with such high resolution that it makes no practical difference between the accurate and the a approximate SHE switching angles. By employing the variable of the dc-link voltage Vdc' the proposed SHE PWM p pattern can ideally compensate the dc input fluctuation together with selected harmonics eliminated.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
• /
• 2012.05a
• /
• pp.716-718
• /
• 2012

This paper have presented the change for subthreshold characteristics for double gate(DG) MOSFET based on scaling theory and the shape of Gaussian function. To obtain the analytical solution of Poisson's equation, Gaussian function been used as carrier distribution and consequently potential distributions have been analyzed closely for experimental results, and the subthreshold characteristics have been analyzed for the shape parameters of Gaussian function such as projected range and standard projected deviation. Since this potential model has been verified in the previous papers, we have used this model to analyze the subthreshold chatacteristics. The scaling theory is to sustain constant outputs for the change of device parameters. As a result to apply the scaling theory for DGMOSFET, we know the subthreshold characteristics have been greatly changed, and the change of threshold voltage is bigger relatively.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
• /
• v.17 no.5
• /
• pp.1196-1202
• /
• 2013

This paper have analyzed the change of breakdown voltage for channel doping concentration and device parameters of double gate(DG) MOSFET using two dimensional potential model. The low breakdown voltage becomes the obstacle of power device operation, and breakdown voltage decreases seriously by the short channel effects derived from scaled down device in the case of DGMOSFET. The two dimensional analytical potential distribution derived from Poisson's equation have been used to analyze the breakdown voltage for device parameters such as channel length, channel thickness, gate oxide thickness and channel doping concentration. Resultly, we could observe the breakdown voltage has greatly influenced on device dimensional parameters as well as channel doping concentration, especially the shape of Gaussian function used as channel doping concentration.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
• /
• v.17 no.4
• /
• pp.917-921
• /
• 2013

This paper have analyzed the change of breakdown voltage for conduction path of double gate(DG) MOSFET. The low breakdown voltage among the short channel effects of DGMOSFET have become obstacles of device operation. The analytical solution of Poisson's equation have been used to analyze the breakdown voltage, and Gaussian function been used as carrier distribution to analyze closely for experimental results. The change of breakdown voltages for conduction path have been analyzed for device parameters such as channel length, channel thickness, gate oxide thickness and doping concentration. Since this potential model has been verified in the previous papers, we have used this model to analyze the breakdown voltage. Resultly, we know the breakdown voltage is greatly influenced on the change of conduction path for device parameters of DGMOSFET.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2013.02a
• /
• pp.560-560
• /
• 2013

플라즈마 내의 전자 에너지 분포는 방전 특성 및 전자 가열 메커니즘에 대한 정보를 줄 수 있을 뿐만 아니라, 소자 생산 공정에서 공정 조건 제어 및 소자 품질 향상에 중요한 역할을 하는 변수이다. 그에 따라서, 반도체공정에서 널리 쓰이는 유도 결합 플라즈마 또는 용량성 결합 플라즈마 장치의 외부 변수에 따른 전자 에너지 분포 변화에 대한 연구가 많이 진행되어왔다. 본 연구에서는, 극판 전극이 인가된 유도 결합 플라즈마 구조에서 낮은 압력의 아르곤과 산소 기체 방전에 대하여 전자 에너지 분포를 측정하였다. 극판 전압만이 인가되었을 경우에는 두 개의 온도를 갖는 전자 에너지 분포를 측정하였으나, 소량의 안테나 전력을 인가할 경우 하나의 온도를 갖는 전자 에너지 분포를 측정할 수 있었다. 이러한 분포함수의 급격한 변화는 유도 결합 전기장과 용량성 결합 전기장의 혼재에 따른 전자 가열 효과이며, 극판에서의 전압, 전류 그리고 위상 측정을 통하여 전자 가열 메커니즘을 확인하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 2008.07a
• /
• pp.2108-2109
• /
• 2008

매년 증가하고 있는 누전사고에 대한 대책수립을 위해 누전검출장치 및 누전조사작업을 시행하고 있지만, 대부분 전압변화 및 영상전류 및 z임피던스에 의한 계측이 주를 이루고 있다. 본 논문에서는 누전지역에서의 누설전류에 자속밀도 분포를 조사함으로 손쉬운 누전검출장비 개발 및 비접촉에 의한 누전검출장비 개발과 누전환경에서의 기초 연구자료를 제공하고자 정상선로에서의 자속밀도 분포 및 전압변화에 따른 자속밀도 분포를 조사하였다. 그 결과 정상도선에서는 거리변화에 따른 자속밀도가 감소하였으며, 이에 반해 침수된 누전지역에서는 자속밀도변화가 거의 없음을 확인할 수 있었으며, 전압 증가에 따라 누전지역의 전류값이 정상상태보다 더 크게 변화하는 것을 확인할 수 있었다.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
• /
• v.8 no.4
• /
• pp.351-358
• /
• 2003

This paper describes distribution characteristics of switching surge voltage in stator windings of induction motor driven by IGBT PWM inverter. To analyze the voltage distribution between the turns and coils of stator winding, equivalent circuit model of induction motor including cable was proposed and high frequency parameter is computed by using finite-element method (FEM). From the electro-magnetic transient program (EMTP) simulation of the whole system for induction motor, feeder cable, and PWM inverter, the variable effect on rising time of the inverter, cable length, and switching frequency on the voltage distribution is also presented. In order to experiment, an induction motor, 380[V], 50[HP], with taps from one phase are built to consider the voltage distribution so that these results can be helpful when filter was designed to remove high dv/dt.

• Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
• /
• 2009.10a
• /
• pp.33-36
• /
• 2009

콘덴서는 유도성 부하의 늦은 역률 보상으로도 사용되며, 비선형 부하에서 발생하는 고조파를 저감하기 위해 리액터에 직렬로 연결하여 사용되기도 한다. 콘덴서는 전압이 증가할 경우 전류도 함께 증가하고, 주파수가 증가할 경우 콘덴서에 흐르는 전류가 증가하기 때문에 전류의 증가는 바로 열의 증가로 콘덴서 절연에 스트레스로 작용하여 고장의 원인을 제공할 수 있다. 본 연구에서는 콘덴서에 인가되는 전압의 크기와 주파수를 변화시킬 경우 콘덴서에서 발생하는 열을 열화상 카메라로 측정하여 외부 및 내부에서의 온도분포를 분석하였다. 측정결과 전압과 주파수가 증가할 경우 콘덴서에서 열이 매우 높게 분포함을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 2000.07c
• /
• pp.1527-1529
• /
• 2000

본 연구는 펄스 정전 응력법을 이용하여 공간전하분포를 교류전압 하에서 측정을 하였다. 이와 동시에 교류 고전압에서의 방전발생과 방전패턴의 변화를 측정하고, 공간전하분포와 방전과의 상관관계를 분석하였다. 교류 전압에서의 공간전하는 교류 한 주기를 18$^{\circ}$ 간격으로 등분하여 각 위상에서 그 분포를 측정하였으며, 공간전하분포와 방전패턴 사이의 관계를 분석하였다 실험 결과 유전체 장벽 방전이 많이 일어나는 위상에서의 공간전하분포 역시 크게 변하는 것을 볼 수 있었다. 이러한 사실을 통해 공간전하분포 특성이 유전체 장벽 방전 특성의 연구에 있어서 중요한 부분임을 알 수 있다.