• Title/Summary/Keyword: 전류-전압법

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The analysis of the transmission line constant measured (송전선로 선로정수 실측 분석)

  • Jeon, Myeong-Ryeal;Oh, Sei-Ill;Jang, Sung-Ik;Chang, Sung-Chil
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2007.07a
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    • pp.40-41
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    • 2007
  • 송전선로 선로정수는 전력계통 운영 Data 파일의 중요요소로서 정상분, 영상분, 임피던스 및 어드미턴스가 있다. 이들 선로정수는 계산프로그램을 이용하여 산출 활용하고 있으며 발변전소 준공시험시 정수 실측값은 참고자료로 활용하였다. 기존의 전압을 인가하여 측정한 전압강하법으로는 유도전압의 영향으로 운전중인 변전소에서는 측정이 불가하였으나 신규 도입한 선로정수 측정장비는 전류를 회로의 주입하여 이때 발생하는 전압을 측정하는 방법으로 전류원의 주파수 가변이 가능하여 상용주파수의 유도전압대역을 피해가면서 측정할 수 있는 장점이 있다. 이러한 측정장비들의 발달로 계산값과 실제 측정값과의 차이를 확인, 분석하고자 선로정수를 실측하게 되었다.

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전기 화학적 방법으로 성장한 SnO2 나노구조의 광학적 및 전기적 특성

  • Lee, Dae-Uk;Yun, Dong-Yeol;Kim, Tae-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.368.2-368.2
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    • 2014
  • $SnO_2$을 이용한 반도체는 기체 센서, 트랜지스터, 태양전지와 같은 여러 분야에 적용 가능하기 때문에 많은 각광을 받고 있다. $SnO_2$을 이용한 반도체 소자는 높은 화학적 안정성과 독특한 물리 화학적 특성을 지니고 있을 뿐만 아니라 부피에 대한 높은 표면적 비율을 가지고 있다. 우수한 $SnO_2$나노구조를 얻기 위해서 전자관 박막증착, 졸겔법, 물리적 증기증착, 열증착과 같은 다양한 방법들이 사용되었다. 다양한 합성 방법들 중에서 전기화학 증착법은 높은 성장율, 대면적 공정, 낮은 가격과 같은 장점을 가지고 있어 많은 연구가 진행되었지만, $SnO_2$ 구조의 성장조건에 따른 체계적인 연구는 진행되지 않았다. 본 연구는 indium-tin-oxide (ITO)로 코팅된 유리 기판 위에 전기화학 증착법을 사용하여 다양한 성장 조건에 따라 성장된 $SnO_2$나노구조들의 물리적 특성들을 관찰하였다. ITO 유리 기판 위에 성장된 $SnO_2$나노구조는 음극의 전구체와 전류의 상호작용에 의해 생성되는 산소 분자의 환원에 의해 형성된다. $SnO_2$나노구조의 모양은 전기화학 증착의 성장 환경에 따라 달라진다. $SnO_2$나노구조를 관찰하기 위해 시간에 따른 전압-전류, X-ray광전자분광법, 주사형전자현미경, X-ray회절분석법을 사용하여 측정하였다. ITO 유리 기판 위에 성장한 $SnO_2$ 소자에 서로 다른 인가 전압을 가해 주었을 때에 따른 전류밀도를 측정하였다. 일정한 인가전압에서 $SnO_2$나노구조의 X-ray광전자분광법 측정 을 통해 화학적 결합과 X-ray회절분석법 통한 $SnO_2$ 성장 방향을 관찰하였다. 주사형전자현미경 측정을 통하여 $SnO_2$의 표면을 관찰하였다

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Electrochemical Sensing Property of Harbor Pollutants using Viologen Derivative (Viologen 유도체를 이용한 항만오염물질의 전기화학적 특성)

  • Choi, Yong-Sung;Ji, Yoo-Kang;Park, Soo-Bong;Lee, Kyung-Sup
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2008.05a
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    • pp.997-999
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    • 2008
  • In this paper, viologen derivative is used as charge transfer material to develop sensors for detecting the organic pollutants which are the main reason of harbor pollution. We fabricated self-assembled monolayers of viologen derivative on gold electrode of QCM and investigated an electrochemical behavior property. We also determined electrochemical sensing property about environmental pollution materials such as bezene, phosphate and surfactant through quantitative and qualitative analysis of charge transfer using intrinsic property of viologen derivative by temperature and concentration change. From the achieved results, we can apply and develope the detecting sensors for harbor pollutants.

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Loop-node Analysis of Large-scale Network (망(網)-마디혼합해석기법에 의한 대형회로망 해석)

  • Hwang, Jae-Ho
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2000.07d
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    • pp.3175-3177
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    • 2000
  • 전압원과 전류원 및 RLC 수동소자들로 구성된 대형회로망에서 망(網)과 마디를 복합시킨 새로운 회로망 해석법을 제시하였다. 종래의 수식적 유도 과정이 불필요하며 도식적 추출에 의해 대형회로망을 간단히 해석한다 각 전원은 직렬 또는 병렬 임피던스를 반드시 수반하고 있지 않아도 무방하다. 망 설정과 마디 선정 과정에서의 전원 처리에 의해 회로망의 도형화 시켰고, 그로부터 행렬 형태의 부분 식을 도출하였다. 망해석법에 의한 방식과 마디해석법에 의한 기법이 가지전류방향 행렬에 의해 합성된다. 합성된 최종 식은 컴퓨터 몫이다.

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A study on Stripping Voltammetric Determination of Ag(I) by Poly(3-methylthiophene) Conducting Polymer Film Electrode Containing 18-crown-6 (18-crown-6을 포함하는 poly(3-methylthiophene) 전도성 고분자 막전극에 의한 Ag(I)의 벗김 전압-전류법적 정량에 관한 연구)

  • Lee, Ihn Chong;Sohn, Jeong-In;Kim, Kuk Gin
    • Analytical Science and Technology
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    • v.7 no.2
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    • pp.181-186
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    • 1994
  • Using poly(3-methylthiophene) conducting polymer film electrodes, feasiblity for Ag determination by stripping voltammetry has been studied. Ag ions accumulated by complexation with 18-crown-6, which are existing on the surface of the polymer film electrode, migrate inside of polymer film through potential scanning within limited potential range, and then are reduced and oxidized on the glassy carbon substrate. Therefore, the polymer film must have proper thickness and porosity for easy penetration of Ag ions. On the basis of these experimental results, $5.0{\times}10^{-6}M$ Ag(I) in aqueous solution could be determined.

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A Study on the Stability of Langmuir-Blodgett(LB) Films of L-${\alpha}$-Phosphatidylethanolamine Monolayer (L-${\alpha}$-Phosphatidylethanolamine 단분자층 LB막의 안정성에 관한 연구)

  • Park, Keun-Ho
    • Journal of the Korean Applied Science and Technology
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    • v.31 no.1
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    • pp.44-49
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    • 2014
  • We were investigated by cyclic voltammetry to the stability through the electrochemical characteristics of phospholipid(L-${\alpha}$-phosphatidylethanolamine, LAPE) monolayer LB films. LAPE monolayer LB films was deposited by the LB method on the indium tin oxide(ITO) glass. The electrochemical properties was measured by cyclic voltammetry with a three-electrode system in 0.5 N, 1.0 N, 1.5 N and 2.0 N $KClO_4$ solution. The measuring range is continuously oxidized to 1650 mV, with an initial potential of -1350 mV was reduced. Scanning rates of 50, 100, 150, 200, and 250 mV/s was set. As a result, LB monolayer films of LAPE was appeared on irreversible processes by the oxidation current from the cyclic voltammogram. Diffusion coefficient (D) of LAPE was calculated 195, 15.9, 5.75, 1.38 and $0.754cm^2s^{-1}{\times}10^{-9}$ at 0.01 N, 0.05 N, 0.10 N, 0.15 N and 0.20 N $KClO_4$ solutions, respectively.

Virtual impedance based droop method for high-capacity parallel inverters under unbalanced line impedances (불평형 라인 임피던스를 가진 고용량 병렬형 인버터 구동을 위한 가상임피던스 기반의 드룹제어)

  • Lim, Kyungbae;Ko, Seungwoo;Choi, Jaeho
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2015.07a
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    • pp.83-84
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    • 2015
  • 본 논문에서는 무효전력 오차를 야기하는 유도성-저항성 복합성의 불평형 임피던스 선로 하에서 가상 인덕터와 가상 저항을 사용한 드룹 제어 기반의 병렬형 인버터 시스템에 관해 다루고 있다. 여기서 무효 전력 분담 에러는 각 선로 임피던스의 전압 강하를 고려함에 따라 개선 가능하다. 그러나 병렬형 인버터 시스템이 고전류, 고용량일 경우 지령 출력 전압 크기는 정격 전압 크기에 미치지 못하게 되며 이는 가상 인덕터 및 저항값과 출력 전류의 곱을 통한 가상 임피던스의 전압강하 산출법에 기인한다. 이러한 이유로 본 논문에서는 기존의 드룹 방식에 선로 임피던스 전압 강하 뿐만 아니라 가상 임피던스의 전압 강하도 추가되었고 이를 통해 병렬형 인버터의 전압 출력이 정격 출력값의 범위 안에서 구동하도록 하였다. 가상 인덕터와 가상 저항의 적용법에 대한 비교에 기반을 둔 제안된 드룹 방식은 PSIM 시뮬레이션을 통해 검증되었다.

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RC Circuit Parameter Estimation for DC Electric Traction Substation Using Linear Artificial Neural Network Scheme (선형인공신경망을 이용한 직류 전철변전소의 RC 회로정수 추정)

  • Bae, Chang Han;Kim, Young Guk;Park, Chan Kyoung;Kim, Yong Ki;Han, Moon Seob
    • Journal of the Korean Society for Railway
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    • v.19 no.3
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    • pp.314-323
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    • 2016
  • Overhead line voltage of DC railway traction substations has rising or falling characteristics depending on the acceleration and regenerative braking of the subway train loads. The suppression of this irregular fluctuation of the line voltage gives rise to improved energy efficiency of both the railway substation and the trains. This paper presents parameter estimation schemes using the RC circuit model for an overhead line voltage at a 1500V DC electric railway traction substation. A linear artificial neural network with a back-propagation learning algorithm was trained using the measurement data for an overhead line voltage and four feeder currents. The least square estimation method was configured to implement batch processing of these measurement data. These estimation results have been presented and performance analysis has been achieved through raw data simulation.

A Design of Current-mode Buck-Boost Converter using Multiple Switch with ESD Protection Devices (ESD 보호 소자를 탑재한 다중 스위치 전류모드 Buck-Boost Converter)

  • Kim, Kyung-Hwan;Lee, Byung-Suk;Kim, Dong-Su;Park, Won-Suk;Jung, Jun-Mo
    • Journal of IKEEE
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    • v.15 no.4
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    • pp.330-338
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    • 2011
  • In this paper, a current-mode buck-boost converter using Multiple switching devices is presented. The efficiency of the proposed converter is higher than that of conventional buck-boost converter. In order to improve the power efficiency at the high current level, the proposed converter is controlled with PWM(pulse width modulation) method. The converter has maximum output current 300mA, input voltage 3.3V, output voltage from 700mV to 12V, 1.5MHz oscillation frequency, and maximum efficiency 90%. Moreover, this paper proposes watchdog circuits in order to ensure the reliability and to improve the performance of dc-dc converters. An electrostatic discharge(ESD) protection circuit for deep submicron CMOS technology is presented. The proposed circuit has low triggering voltage using gate-substrate biasing techniques. Simulated result shows that the proposed ESD protection circuit has lower triggering voltage(4.1V) than that of conventional ggNMOS(8.2V).