• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.8 no.3
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• pp.447-452
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• 2013

In this paper, the leakage current detection and auto shut-off module for a concent has been developed. Existing leakage current detection modules are detecting resistive leakage current, using a resistive leakage current detection chip but the proposed leakage current detection module separates and detects resistive leakage current in the synthesis leakage current by only programming in a power processor MCU(MSP430). The module implemented by proposed method has early detection and auto shut-off feature at more than resistive leakage current 5mA, and has the advantage of easily adjusting resistive leakage current less or more than 5mA, because of resistive leakage current detection function being implemented by a program in MCU.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.11 no.5
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• pp.426-430
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• 2006

This paper deals with a novel utilization method of the predicted current in the high performance PI current controller with a control time delay. The inevitable error of the predicted current in the linear servo drive using a permanent magnet linear synchronous motor is analyzed and a modified cross-coupling decoupling synchronous frame PI current controller is proposed in order to improve the current control response under both the control time delay and the inevitable current prediction error. Simulation and experimental results show that the proposed current controller has an improved current control performance under both the control time delay and the inevitable current prediction error in the servo drive system.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2018.07a
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• pp.78-80
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• 2018

본 논문은 용량성 결합 플라즈마 응용 시스템을 위한 전류형 토폴로지 기반의 전력 변환장치 구조를 제안한다. 제안된 시스템은 독립적으로 제어된 두 개의 고 정밀 펄스 전류를 부하로 출력하는 병렬 연결된 전류형 전력 변환장치로 구성된다. 전체 회로 토폴로지는 네 가지 세부 부분; 바이어스 전류 발생기, 바이어스 전류 모듈레이터, 슬롭 전류 발생기, 슬롭 전류 모듈레이터로 구성되어 있다. 제안된 시스템은 빠른 과도 특성을 위해 1200V/90A급 SiC MOSFET 스위치를 사용하였다. 제안된 전력 변환장치는 4.5kV의 출력전압, 40A급 출력전류와 100ns급 전류 상승/하강 특성을 충족시키도록 설계되었다. 본 연구는 펄스 전류형 전력 변환회로를 제안함으로써 전압형 전력 변환장치에 비해 전압 스파이크 및 전압 파형 왜곡을 줄여 보다 정확한 출력 전압을 발생시킴으로써 용량성 결합 플라즈마 시스템의 안정도 및 정밀도를 향상시킬 수 있다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TE
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• v.39 no.4
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• pp.335-340
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• 2002

In this paper, the stress induced leakage currents of thin silicon oxides is investigated in the ULSI implementation with nano structure transistors. The stress and transient currents associated with the on and off time of applied voltage were used to measure the distribution of high voltage stress induced traps in thin silicon oxide films. The stress and transient currents were due to the charging and discharging of traps generated by high stress voltage in the silicon oxides. The transient current was caused by the tunnel charging and discharging of the stress generated traps nearby two interfaces. The stress induced leakage current will affect data retention in electrically erasable programmable read only memories. The oxide current for the thickness dependence of stress current, transient current, and stress induced leakage currents has been measured in oxides with thicknesses between 113.4${\AA}$ and 814${\AA}$, which have the gate area $10^3cm^2$. The stress induced leakage currents will affect data retention and the stress current, transient current is used to estimate to fundamental limitations on oxide thicknesses.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.10
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• pp.754-764
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• 2001

Class A bipolar second-generation current conveyor (CCII) with low current-input impedance and its offset-compensated CCII for high-accuracy current-mode signal processing are proposed. The CCIIs consist of a regulated current-cell for current input, a emitter follower for voltage input, and a cascode current mirror lot current output. In these architecture, the two input stages are coupled by current mirror to reduce the current input impedance. Experiments show that the CCII has impedance of 8.4 Ω and offset voltage of 40 mV at current input terminal. To reduce this offset, the offset-compensated CCII adopts diode-connected npn and pnp transistor in the proposed CCII. Experiments show that the offset-compensated CCII has current input impedance of 2.1 Ω and offset voltage of 0.05 mV. The 3-dB cutoff frequency of the CCIIs when used as a voltage follower extends beyond 30 MHz. The power dissipation is 7.0 mW

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• v.40 no.9
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• pp.805-811
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• 2016

This paper proposes an estimation algorithm of phase currents of inverter systems with the planar bus bars for brush-less DC (BLDC) motors. The planar bus bar can improve the characteristic of the EMC(Electro-Magnetic Compatibility). In these inverters, a single current sensor of the dc-link measures the sum of a smooth capacitor current and phase currents of brush-less DC motor. Thus, it is essential to extract phase currents from the measured single current to control BLDC motor. Therefore, in this paper, the phase current is estimated by analyzing equivalent circuits of the BLDCM in ON and OFF periods of switching elements. The usefulness of the proposed algorithm is verified through experimental results.

• Electric Engineers Magazine
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• v.214 no.6
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• pp.27-31
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• 2000

일반적으로 차단기의 차단 용량은 대칭 실효치로 표시하고 있다. 그러나 실제 전력 계통의 고장 전류는 고장 최초 몇 사이클 동안에는 상당한 직류분 전류가 포함되어 있어 비대칭 전류가 흐르게 마련이다.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• v.9
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• pp.338-342
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• 1999

We simulated the current limiting characteristics of resistive and inductive SFCLs with 100 ${\omega}$ of impedances for a single and double line-to-ground faults in the 154 kV grid between two substations nearby Seoul. The transient current at the faults includes not. only high AC current up to 44 kA but also significant DC component as high as 4 kA. The DC current is greater and lasts longer for the double line-to-ground fault than for the single line-to-ground fault. The inductive SFCL limited the fault current more effectively than the resistive one. The DC component, however, was greater and diminishes slower for the inductive SFCL than for the resistive one.

• The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.1 no.2
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• pp.82-87
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• 1987

본 연구에서는 GTO Thyristor로 구성하고 개선한 대용량 전류형GTO Inveter를 설계하였다. 부하로서는 유도전류기를 사용하였으며, 그 동작 특성을 비교 검토한 결과 전류콘덴서를 사용하지 않으므로 전류시 Chopper 회로에 과도현상을 줄였으므로 회로에 안정성이 향상됨을 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.132-132
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• 2012

압력 $10^{-9}$ Torr 이하의 초고진공(ultrahigh vacuum) 영역에서의 압력 측정에는 수 mA의 열전자로 잔류 가스를 이온화시켜 그 이온 전류를 측정하는 이온게이지를 주로 사용한다. 압력이 $10^{-12}$ Torr영역 이하인 극고진공(extreme high vacuum: XHV) 영역에 진입하면, ESD (electron stimulated desorption) 효과 등에 의한 이온 게이지 자체의 가스방출률이 커져 정확한 압력 측정이 곤란해 진다. 극고진공 영역에서 이온 게이지는 수 와트(W) 이상의 전력을 사용하여 수 mA의 열전자를 방출시키나, 신호인 이온 전류의 양은 1pA 이하이기 때문에 열전자에 의해 발생되는 백그라운드 전류에 묻혀 신호 전류가 측정되지 않는다고 할 수 있다. 100 nm 이하의 곡률을 가진 뾰족한 금속 탐침에 강한 전기장을 걸어주면 고체 내부의 전자가 터널링 효과에 의해 진공 중으로 방출되며, 이를 전계방출(Field Electron Emission) 효과라 부른다. 전계 방출 전류량은 탐침 표면의 일함수에 의존하며, 일함수가 클수록 지수함수 적으로 감소한다. 금속 표면에 진공 중의 잔류 가스가 부착하면 일함수가 증가한다. 가열에 의해 전계방출 탐침의 표면을 세정한 후에 전자 빔을 방출 시키면, 표면에 가스 분자가 흡착하여 방출 전류량은 점점 감소한다. 감소 속도는 압력에 비례하며, W(310) 탐침의 경우 $10^{-10}$ Torr 영역에서는 수분만에 최초 전류값의 1% 이하로 감소한다. 전계방출 전류의 감소속도가 압력에 비례하는 현상을 이용하여 압력을 측정하였다. Extractor Ionization Gauge 측정값 $5{\times}10^{-12}-3{\times}10^{-10}$ Torr의 범위에서 (111) 방향으로 정렬된 텅스텐 단결정 탐침을 사용하여 방출전류의 로그값을 시간의 함수로 semilog그래프를 그리면, 그래프는 직선을 그리며 그 기울기가 압력에 비례함을 알 수 있었다. 기울기 값과 게이지 측정값은 $10^{-11}{\sim}10^{-10}$ Torr 영역에서 거의 완벽한 비례관계를 보여주었으나, $10^{-12}$ Torr 영역에서 게이지 측정값은 기울기 값에서 추출한 압력치보다 높은 값을 보여주었으며, 이는 게이지 백그라운드 전류에 의한 차이라고 생각된다. W (310) 탐침의 방출전류는 그 감소속도가 W (111) 탐침과 마찬가지로 압력에 비례하였으나, 전류-시간 그래프는 가열 세정 직후에 전류가 거의 감소하지 않는 $2{\times}10^{-10}$ Torr에서 약 10분간 지속되는 '안정 영역'이 존재함을 보여주었다. '안정 영역'은 $10^{-11}$ Torr 영역에서는 수십분, $10^{-12}$ Torr 영역에서는 수시간 이상으로 증가하였다. 초-극고진공 영역에서의 잔류가스 주성분인 수소에서 물, 일산화탄소등의 가스로 바뀌면 '안정 영역'은 사라졌고, 이는 '안정 영역'이 수소 흡착에 의해서만 나타나는 고유 현상임을 말해준다.