• Title/Summary/Keyword: 전류소비

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Oxide Films Formed on Hot-Dip Aluminized Steel by Plasma Electrolytic Oxidation and Their Films Growth Stages (플라즈마 전해 산화법에 의해 용융알루미늄도금 강판 상 형성한 산화층과 그 성장 과정)

  • Choe, In-Hye;Kim, Chang-Min;Park, Jun-Mu;Park, Jae-Hyeok;Hwang, Seong-Hwa;Lee, Myeong-Hun
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2017.05a
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    • pp.165-165
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    • 2017
  • 지난 수 십 년 동안, 전 세계적으로 자원의 소비가 급격히 증가하게 되면서 최근 자원 고갈은 물론 환경오염이 커다란 이슈로 문제가 되고 있다. 이에 따라 재료 관련 분야에 있어서는 보다 효율적이고 친환경적인 방법으로 자원을 활용해야 된다는 필요성이 대두되었고 이와 같은 관점에서 목적하는 성분이 우수하고 환경 친화적인 표면처리 재료 개발연구가 활발하게 진행되고 있는 실정이다. 그 중 플라즈마 전해 산화(Plasma Electrolytic Oxidation, PEO)는 알루미늄, 마그네슘 등의 경금속의 경도를 향상시키고 높은 내마모성, 내식성을 갖게 하는 표면처리로써 그 관심이 증가하고 있다. 이 플라즈마 전해 산화는 일반적으로 공정비용 대비 효과적이고 환경 친화적이며 코팅 성능 면에서 우수하다고 알려져 있다. 이러한 고유한 특성으로 인해 플라즈마 전해 산화 코팅은 최근 몇 년 동안 기계, 자동차, 우주항공, 의학 및 전기 산업 등의 분야에서 그 적용이 점차 증가하고 있는 상황이다. 한편, 플라즈마 전해 산화 코팅을 하는 모재들의 경우 부동태 산화피막을 용이하게 형성할 수 있는 특성의 모재에 한정되고 있어서 그 응용확대에 한계가 있는 것이 사실이다. 따라서 본 연구에서는 플라즈마 전해 산화법을 사용하여 용융알루미늄도금 강판 상에 산화피막 형성을 시도하였다. 전원공급 장치의 양극은 전해질 속에 잠겨있는 작동전극에 연결하고 음극은 대전극 역할을 하는 스테인레스강 전해질 용기에 연결되었다. 전해질은 Sodium Aluminate 및 기타 첨가제를 함유한 것을 사용하였고 온도는 열교환기를 사용하여 $30^{\circ}C$ 이하로 유지되었다. 또한 여기서 전류밀도는 $5{\sim}10A/dm^2$, 실험 주파수는 700Hz, Duty cycle은 30 및 90%의 각 조건에서 공정처리 시간을 각각 30분 및 60분 동안 진행하였다. 이와 같은 조건에서 형성한 막들에 대해서는 주사형전자현미경(SEM)을 이용하여 코팅 막의 표면 및 단면의 모폴로지를 관찰하였음은 물론 EDS 및 XRD 측정을 통하여 원소조성분포 및 결정구조를 각각 분석하였다. 또한 이 코팅 막들에 대한 내식성은 5% 염수분무 환경 중 노출시험(Salt spray test), 3% NaCl 용액에서의 침지 시험 및 전기화학적 동전위 양극분극(Potentiodynamic Polarization) 시험을 진행하여 평가하였다. 이상의 실험결과에 의하면, 제작조건별 플라즈마 전해 산화 코팅 막의 모폴로지 및 결정구조가 상이하게 나타나는 것을 알 수 있었다. 코팅 막의 모폴로지 관찰 결과, 공정 시간에 비례하여 표면에 존재하는 원형 기공의 수는 감소하였으나 그 크기가 커지고 크레이터의 직경 또한 커진 것이 확인되었다. 이 기공은 마이크로 방전에 의해 형성된다고 알려져 있는데 공정 시간이 증가함에 따라 코팅 두께가 점차 증가하여 마이크로 방전의 빈도수가 줄어들고 그 강도는 증가하게 되어 기공 크기가 증가한 것으로 사료된다. 또한 공정시간이 긴 시편에서 표면에 크랙이 다수 존재하는 것으로 확인되었다. 이것은 방전에 의해 고온이 된 소재가 차가운 전해질과 만나게 되어 생긴 큰 온도구배로 인해 강한 열응력이 발생하여 균열을 초래한 것으로 보인다. 조성원소 분석 결과 원형 기공 주변의 크레이터 영역에는 알루미늄이 풍부하였으며 그 주변에 결절상을 갖는 구조에서는 전해질 성분의 원소가 포함되어 있는 것이 확인되었다. 이러한 코팅 막의 표면 특성은 내식성에 영향을 주게 된 원인으로 사료된다. 동전위 분극측정 결과에 의하면 플라즈마 전해 산화 공정 시간이 길어질수록 부식전류밀도가 증가하였다. 이것은 공정시간이 길어짐에 따라 강한 방전이 발생하여 기공의 크기가 증가하고 크랙이 발생하게 되면서 내식성이 저하된 것으로 판단된다. 종합적으로 재료특성 분석 및 내식성 평가를 분석한 결과, 플라즈마 전해 산화의 공정 시간이 너무 길게 되면 오히려 내식성은 저하되는 것이 확인되었다. 이상의 연구를 통하여 고내식 특성을 갖는 플라즈마 전해 산화 막의 유효성을 확인하였으며 용융알루미늄강판 상에 실시한 플라즈마 전해 산화 처리에 대한 기초적인 응용 지침을 제시할 수 있을 것으로 사료된다.

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A 1280-RGB $\times$ 800-Dot Driver based on 1:12 MUX for 16M-Color LTPS TFT-LCD Displays (16M-Color LTPS TFT-LCD 디스플레이 응용을 위한 1:12 MUX 기반의 1280-RGB $\times$ 800-Dot 드라이버)

  • Kim, Cha-Dong;Han, Jae-Yeol;Kim, Yong-Woo;Song, Nam-Jin;Ha, Min-Woo;Lee, Seung-Hoon
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.46 no.1
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    • pp.98-106
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    • 2009
  • This work proposes a 1280-RGB $\times$ 800-Dot 70.78mW 0.l3um CMOS LCD driver IC (LDI) for high-performance 16M-color low temperature poly silicon (LTPS) thin film transistor liquid crystal display (TFT-LCD) systems such as ultra mobile PC (UMPC) and mobile applications simultaneously requiring high resolution, low power, and small size at high speed. The proposed LDI optimizes power consumption and chip area at high resolution based on a resistor-string based architecture. The single column driver employing a 1:12 MUX architecture drives 12 channels simultaneously to minimize chip area. The implemented class-AB amplifier achieves a rail-to-rail operation with high gain and low power while minimizing the effect of offset and output deviations for high definition. The supply- and temperature-insensitive current reference is implemented on chip with a small number of MOS transistors. A slew enhancement technique applicable to next-generation source drivers, not implemented on this prototype chip, is proposed to reduce power consumption further. The prototype LDI implemented in a 0.13um CMOS technology demonstrates a measured settling time of source driver amplifiers within 1.016us and 1.072us during high-to-low and low-to-high transitions, respectively. The output voltage of source drivers shows a maximum deviation of 11mV. The LDI with an active die area of $12,203um{\times}1500um$ consumes 70.78mW at 1.5V/5.5V.

A Study On Design of ZigBee Chip Communication Module for Remote Radiation Measurement (원격 방사선 측정을 위한 ZigBee 원칩형 통신 모듈 설계에 대한 연구)

  • Lee, Joo-Hyun;Lee, Seung-Ho
    • Journal of IKEEE
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    • v.18 no.4
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    • pp.552-558
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    • 2014
  • This paper suggests how to design a ZigBee-chip-based communication module to remotely measure radiation level. The suggested communication module consists of two control processors for the chip as generally required to configure a ZigBee system, and one chip module to configure a ZigBee RF device. The ZigBee-chip-based communication module for remote radiation measurement consists of a wireless communication controller; sensor and high-voltage generator; charger and power supply circuit; wired communication part; and RF circuit and antenna. The wireless communication controller is to control wireless communication for ZigBee and to measure radiation level remotely. The sensor and high-voltage generator generates 500 V in two consecutive series to amplify and filter pulses of radiation detected by G-M Tube. The charger and power supply circuit part is to charge lithium-ion battery and supply power to one-chip processors. The wired communication part serves as a RS-485/422 interface to enable USB interface and wired remote communication for interfacing with PC and debugging. RF circuit and antenna applies an RLC passive component for chip antenna to configure BALUN and antenna impedance matching circuit, allowing wireless communication. After configuring the ZigBee-chip-based communication module, tests were conducted to measure radiation level remotely: data were successfully transmitted in 10-meter and 100-meter distances, measuring radiation level in a remote condition. The communication module allows an environment where radiation level can be remotely measured in an economically beneficial way as it not only consumes less electricity but also costs less. By securing linearity of a radiation measuring device and by minimizing the device itself, it is possible to set up an environment where radiation can be measured in a reliable manner, and radiation level is monitored real-time.

Study on the channel of bipolar plate for PEM fuel cell (고분자 전해질 연료전지용 바이폴라 플레이트의 유로 연구)

  • Ahn Bum Jong;Ko Jae-Churl;Jo Young-Do
    • Journal of the Korean Institute of Gas
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    • v.8 no.2 s.23
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    • pp.15-27
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    • 2004
  • The purpose of this paper is to improve the performance of Polymer electrolyte fuel cell(PEMFC) by studying the channel dimension of bipolar plates using commercial CFD program 'Fluent'. Simulations are done ranging from 0.5 to 3.0mm for different size in order to find the channel size which shoves the highst hydrogen consumption. The results showed that the smaller channel width, land width, channel depth, the higher hydrogen consumption in anode. When channel width is increased, the pressure drop in channel is decreased because total channel length Is decreased, and when land width is increased, the net hydrogen consumption is decreased because hydrogen is diffused under the land width. It is also found that the influence of hydrogen consumption is larger at different channel width than it at different land width. The change of hydrogen consumption with different channel depth isn't as large as it with different channel width, but channel depth has to be small as can as it does because it has influence on the volume of bipolar plates. however the hydrogen utilization among the channel sizes more than 1.0mm which can be machined in reality is the most at channel width 1.0, land width 1.0, channel depth 0.5mm and considered as optimum channel size. The fuel cell combined with 2cm${\times}$2cm diagonal or serpentine type flow field and MEA(Membrane Electrode Assembly) is tested using 100W PEMFC test station to confirm that the channel size studied in simulation. The results showed that diagonal and serpentine flow field have similarly high OCV and current density of diagonal (low field is higher($2-40mA/m^2$) than that of serpentine flow field under 0.6 voltage, but the current density of serpentine type has higher performance($5-10mA/m^2$) than that of diagonal flow field under 0.7-0.8 voltage.

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