• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.19 no.7
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• pp.1617-1622
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• 2015

This paper analyzes the ratio of tunneling current for channel doping concentration of sub-10 nm asymmetric double gate(DG) MOSFET. The ratio of tunneling current for off current in subthreshold region increases in the region of channel length of 10 nm below. Even though asymmetric DGMOSFET is developed to reduce short channel effects, the increase of tunneling current in sub-10 nm is inevitable. As the ratio of tunneling current in off current according to channel doping concentration is calculated in this study, the influence of tunneling current to occur in short channel is investigated. To obtain off current to consist of thermionic emission and tunneling current, the analytical potential distribution is obtained using Poisson equation and tunneling current using WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin). As a result, tunneling current is greatly changed for channel doping concentration in sub-10 nm asymmetric DGMOSFET, specially with parameters of channel length, channel thickness, and top/bottom gate oxide thickness and voltage.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.21 no.3
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• pp.56-61
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• 2007

In this paper, a circulating current reduction approach for the parallel operation of fuelcell systems with Z-source inverters is investigated. The carrier phase shifted SPWM(Sinusoidal Pulse Width Modulation) is used as a modulation method since it has an advantage in reducing output current harmonics. However, when this technique is applied to the parallel operation of Z-source inverters, it additionally produces circulating currents. A coupled circulating current reactor is used to reduce circulating current generated by the parallel operation of Z-source inverters and to reduce output current harmonics. The proposed circulating current reduction approach using coupled circulating current reactors is verified through simulation and experiment.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.1199-1200
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• 2008

N형 공핍 모드의 탑 게이트 다결정실리콘 박막 트랜지스터에 비대칭 오프셋 구조를 적용하였다. 이로써 드레인 부근의 전계를 감소시켜, on전류의 큰 손실 없이 누설 전류를 86% 감소시켰다. 박막 트랜지스터는 유리 기판위에 교류 자계 유도 결정화를 이용하여 제작하였고, 마스크 추가 없이 오프셋 구조를 형성하였다. 또한 비정질 실리콘과 n+ 층은 이온 주입을 하지 않고 증착하였다. 이 방법은 능동 구동 디스플레이에서 소비 전력 감소와 이미지 유지에 도움이 될 수 있다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.11a
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• pp.99-101
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• 2002

개선된 FB-SOA 및 낮은 턴-오프 시간의 특성을 가지는 수평형 애노드-스위칭 사이리스터(LAST)의 고온에서의 전류-전압 특성을 연구하였다. LAST는 고온에서도 훌륭한 전류 포화 특성을 가져 개선된 FB-SOA의 특성을 보였다. 고온에서 LAST의 순방향 전압 강하는 감소되었다. 또한 LAST는 온도가 상승함에 따라 포화 전류가 감소하여. 병렬연결 동작 시에 전류 균형 특성을 기대할 수 있다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.11 no.3
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• pp.187-192
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• 2000

We analyze the parametric amplification by the nonlinear characteristics in a semiconductor laser using a perturbation theory and discuss its result. The parametric gain increases with increase of the pump modulation current. It is due to shift of the resonance frequency as the pump modulation current increases. However, it decreases with increase of the bias current and damping constant. Also, it needs phase matching between the pump modulation current and signal modulation current to maximize the parametric gain. The gain decreases for a large signal modulation current due to the saturation of the amplified power. power.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.312.1-312.1
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• 2013

PID (Potential Induced Degradation)는 높은 시스템 전압을 갖는 PV모듈에서 발생하는 현상으로 PV모듈의 출력을 급격하게 감소시키는 현상을 말한다. PV시스템의 높은 전압은 태양전지와 PV모듈의 프레임 사이에 전위차를 발생시키고 이로 인하여 누설전류가 흐르게 된다. 누설전류는 태양전지 표면에 전하를 축적 시켜 발전 효율을 감소시키게 된다. 이러한 누설전류는 온도와 습도가 높을수록 많이 발생하는 것으로 알려져 있다. 본 논문에서는 PV모듈을 구성하는 재료가 PID에 의한 출력변화에 어떠한 영향을 주는지에 관한 연구를 수행하였다. PID가 쉽게 발생하는 태양전지를 이용하여 일반적으로 PV모듈을 제작 할 때 사용되는 전 후면 재료를 이용하여 각각의 출력변화에 대한 연구를 수행하였다. PV모듈의 전 후면 재료를 각각 다르게 하여 이에 따른 PID 발생 정도를 출력 변화로 확인하였으며 PID의 원인이 되는 누설전류에 어떠한 변화를 주는지 분석하였다. PV모듈의 후면 재료는 PV모듈 내부로의 수분 침투와 관련하여 PID 발생에 영향을 주고 전면재료인 저철분 강화유리는 PV모듈 내부에 전하를 공급하여 누설전류가 발생하게 하는 역할을 하는 것으로 판단된다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2019.07a
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• pp.1-3
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• 2019

본 논문은 연속적인 입력 전류와 낮은 스위치 전압 스트레스를 갖는 플라이백 컨버터를 제안한다. 보조 권선과 직류 차단 캐패시터를 사용하여 기존 플라이백 컨버터(CFB)의 불연속적인 입력 전류의 리플을 저감시킨다. 이를 통해 입력 전류의 di/dt를 감소시켜 낮은 EMI 특성을 갖도록 한다. 그 결과 입력 필터 크기를 줄일 수 있으며 낮은 실효 입력 전류 때문에 인공위성의 캐패시터 수명을 연장 시킬 수 있다. 또한, 하나의 스위치와 다이오드를 추가하여 스위치 전압 스트레스를 감소시킨다. 그러므로 제안 회로는 스위칭 손실이 작으며, 작은 온 저항($R_{ds(on)}$)을 갖는 스위치 적용이 가능하여 도통 손실을 저감시켰다. 본 논문에서는 제안 회로의 모드 분석과 이론적인 분석을 제시한다. 제안 회로는 현재 인공위성에 사용하는 입출력 사양인 입력 전압 50 V, 출력 전압 15V, 출력 전력 100W의 사양으로 시뮬레이션을 진행하였다. 이 결과를 통해 제안 회로의 타당성을 증명한다.

• The Korean Journal of Pharmacology
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• v.20 no.1 s.34
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• pp.23-32
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• 1984

The effects of morphine on the transmembrane potential and the short circuit current in the isolated frog skin were studied under different experimental conditions. The measurem ents of the transmembrane potential and the short circuit current were carried out according to Ussing and Zerahn's method. Experimental results were summerized as follows: 1) $5{\pm}10^{-3}$M of morphine markedly depressed the transmembrane potential and the short circuit current of the naive preparation. The peak of these inhibitory effects of morphine was observed about 1 hour after administration of the drug. 2) However $10^{-4}$M of naloxone did not affect these effects of morphine. 3) Decrease of $K^+$, increase of $K^+$ or $Ca^{2+}$ in the perfusate, markedly potentiated the inhibitory action of morphine on both transmembrane potential and short circuit current of the frog skin, and addition of $Mn^{2+}$ to the solution depressed the effect of morphine on the transmembrane potential, while the inhibitory effect of morphine on the short circuit current was diminished in the $Ca^{2+}$-free ringer solution, and increase of $Mg^{2+}$ concentration depressed those effect of morphine on both electrical parameters. 4) In the morphine treated preparations, transmembrane potential and short circuit current were decreased in the early phase of drug treatment ($1{\sim}2$ days), but gradually increased to the significantly high level from the control (48 days after treatment). In these preparations, the effects of morphine on both electrical parameters were also potentiated in the early phase, but markedly diminished in the late phase of treatment. From the above results, it is postulated that the pharmacological actions of morphine as well as development of the tolerance by morphine may be partially related to the changes of ion fluxes and/or permeabilities of skin by the drug.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.216.1-216.1
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• 2015

본 연구에서는 용액 공정 기반 AZTO (Aluminum-Zinc-Tin Oxide, AlZnSnO) 박막 트랜지스터를 제작하여 Al (Aluminum) 도핑과 열처리 온도의 가변을 통한 특성 향상을 확인하였다. ZTO 용액의 Zn:Sn 비율(4:7)을 고정하고 Al 도핑(0~8.3%)과 열처리 온도($350{\sim}550^{\circ}C$)를 가변하였다. 실험 결과 Al 도핑이 증가할수록 드레인 전류는 감소하고 문턱 전압이 양의 방향으로 이동하면서 포화 이동도와 아문턱 기울기가 감소하였다. 열처리 온도가 증가할 때는 드레인 전류가 증가하고 문턱 전압은 음의 방향으로 이동하며 이동도와 아문턱 기울기가 증가하였다. Al 도핑은 강한 금속-산소 결합에 의해 oxygen vacancy와 전자 농도가 감소하게 하여 드레인 전류, 이동도, 아문턱 기울기의 감소와 양의 방향 문턱 전압 이동을 야기한다. 열처리 온도가 높아지면 반도체 층의 분자 구조가 더 밀집되고 oxygen vacancy 가 증가하며, 이는 전자 농도의 증가로 이어져 Al 도핑의 효과와 반대의 경향을 보인다. 실험 결과를 통해 Al:Zn:Sn=0.5:4:7의 비율과 $350^{\circ}C$ 열처리 조건에서 문턱 전압과 이동도, 아문턱 기울기, 전류 온오프 비($I_{on}/I_{off}$)가 각각 3.54V, $0.16cm^2/Vs$, 0.43 V/dec, $8.1{\times}10^5$으로 우수한 특성을 확인하였다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.14 no.5
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• pp.43-49
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• 2000

In this paper, a new control method is presented to reduce acoustic resonance phenomena of metal halide lamps with electronic ballasts. A behavior of frequency controlled resonant inverter is analyzed and the transfer function is obtained. An integrator as a current controller for ballast is employed. By using both a disturbance of the lamp power and spread spectrum effects for reducing acoustic resonance, an amplitude modulation is done by using the current controller with 200[Hz] sinusoidal wave. Arc stabilities of MH 250[W] lamps are studied with changing the modulation index. Experiments with two MH 250[W] lamps, made by different manufacturers, showed the validity of the proposed method.