• Title/Summary/Keyword: 전력반도체

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A Study on the PN Junction Breakdown Characteristics with Design and Process Parameters of FLR in Power Device Design (전력 반도체 소자의 설계에 있어서 FLR의 Design 및 Process Parameter에 따른 PN접합의 항복특성에 관한 고찰)

  • Song, Dae-Sik;Kang, Ey-Goo;Hwang, Sang-Joon;Sung, Man-Young;Lee, Cheol-Jin
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 1995.07c
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    • pp.1146-1148
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    • 1995
  • To improve the breakdown characteristics of vertical power devices, field limiting ring(FLR) is popularly used. In this paper, at vertical power device having $300{\sim}600V$ breakdown voltage, FLR thecnique is considered, by two dimensional computer simulator, with the various of parameters; number of FLR, seperation distance of first FLR from the main juncton and second FLR from the first FLR, doping concentration and thickness of epi-layer, etc.. Below $40{\mu}m$ epi thickness, and for the case of one FLR, the maximum breakdown voltage, 580V is obtained.

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3D IC Using through Silicon via Technologies (TSV 기술을 이용한 3D IC 개발 동향)

  • Choi, K.S.;Eom, Y.S.;Lim, B.O.;Bae, H.C.;Moon, J.T.
    • Electronics and Telecommunications Trends
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    • v.25 no.5
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    • pp.97-105
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    • 2010
  • 모바일과 유비쿼터스 센서 네트워크 센서 시대가 도래함에 따라 가볍고, 작고, 얇고, 멀티기능을 구현할 수 있는 부품에 대한 요구가 증대하고 있다. 이에 대한 여러 가지 솔루션 중 MCM의 개념을 수직 방향으로 확장시킨 3D IC가 최근 각광을 받고 있다. 이는 물리적인 한계에 부딪힌 반도체 집적 공정의 한계를 극복하여 지속적으로 무어의 법칙에 맞춰 집적도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 소재와 공정이 달라도 3차원적으로 집적이 가능하여 메모리와 프로세서로 대표되는 디지털 칩뿐만 아니라 아날로그/RF, 수동소자, 전력소자, 센서/액추에이터, 바이오칩 등을 하나로 패키징 할 수 있는 장점이 있기 때문이다. 이를 통해 성능 향상, 경박단소, 저비용의 부품 개발이 가능하기 때문에 미국, 유럽, 일본 등 선도국뿐만 아니라 싱가포르, 타이완, 중국 등에서도 활발한 연구가 진행되고 있으며 CMOS 이미지 센서 모듈 생산에 TSV 기술이 이미 적용되고 있다. 본 고에서는 3D IC를 위한 TSV 및 적층 요소 기술을 소개하고 이를 통해 개발된 사례와 표준화 동향에 대하여 소개하고자 한다.

MEMS Pressure Sensor Technology and Industry Trends (MEMS 압력센서의 기술 및 산업동향)

  • Je, C.H.;Choi, C.A.;Lee, S.Q.;Yang, W.S.
    • Electronics and Telecommunications Trends
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    • v.30 no.6
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    • pp.21-30
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    • 2015
  • 압력센서란 두 물체 간의 상호 작용하는 힘의 크기를 나타내는 물리적 양을 측정하는 디바이스로서 힘의 전달 크기, 힘의 방향 등을 측정하는 데 매우 광범위하게 사용되고 있는 센서이다. 사용하는 분야는 의료, 자동차, 항공, 공업계측, 가전, 환경제어분야 등의 전반적 산업제품과 산업시설에 응용되고 있으며, 측정원리는 힘의 변화에 따른 재료의 변위, 변형, 진동수, 변화, 열전도율 변화 등을 이용하는 것으로 종전의 기계식 감지방법에서 현재는 센서장치의 소형화를 위하여 반도체소자 제작기술과 Micro Electro Mechanical System(MEMS)기술을 이용하는 초소형, 저전력형 센서개발로 계속 발전하고 있다. 본고에서 멤스(MEMS) 압력센서의 최근 제품 기술 개발과 시장 및 산업동향을 알아보고 향후 더욱더 확장될 압력센서제품 기술의 기초 정보를 제공하고자 한다.

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양극산화 이산화티탄 나노튜브 광전극

  • Park, Min-A;Kim, Jin-Yeong
    • Ceramist
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    • v.18 no.2
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    • pp.78-85
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    • 2015
  • 이산화티탄 나노튜브와 같이 방향성을 가지고 성장한 반도체는 염료감응 태양전지의 새로운 박막구조로서 많은 관심을 받고 있다. 감응형 태양전지의 전력 생산에 필요한 빛 흡수, 전하주입, 전하운반체수송 등이 박막에서 이루어진다는 점에서 박막은 태양전지의 광전효율을 결정하는 중요한 요소이다. 특히 이산화티탄 나노튜브가 가지는 물리적, 전기적, 광학적 특성을 조절함으로써 이산화티탄 나노입자를 이용한 태양전지의 광전효율을 빠르게 따라잡을 수 있었다. 본고에서는 이산화티탄 나노튜브의 구조와 합성에 대해 검토하고 나노입자와 나노튜브 각각의 구조가 감응형 태양전지에서 빛의 수집과 전하 수집에 주는 영향에 대해 논의하고자 한다. 뿐만 아니라 나노튜브의 구조적, 전기적 특성에 따른 태양전지 제작과정의 차이를 알아본다.

Field Emission Display 개발동향 및 전망

  • 송윤호;이진호;권상직
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.15 no.12
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    • pp.11-18
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    • 2002
  • 전계 방출 디스플레이(Field Emission Display : FED)는 금속 또는 반도체로 만들어진 극미세 구조의 전계 에미터(field emitter)에 전기장을 인가하여 진공 속으로 방출되는 전자를 형광체에 충돌시켜 화상을 표시하는 디스플레이 소자로서, 원리적으로 브라운관(CRT)의 우수한 표시 특성을 그대로 가지면서 경량 박형화가 가능하기 때문에 'Thin CRT'라고 불리기도 한다 FED는 원리적으로 고휘도, 저소비전력, 빠른 응답속도, 광시야각, 고해상도, 우수한 칼라 표시. 넓은 사용온도 범위 등 CRT 및 평판 디스플레이의 장점을 모두 갖추고 있는 이상적인 디스플레이 소자로 평가되어 1990년대 초반부터 세계 유수의 연구 기관들이 본격 적 인 연구 개발을 추진하여 왔지만, 아직까지 평판 디스플레이 시장에 진입 할 만큼 기술 개발이 이루어지지 못하고 있다. 본 고에서는 FED의 근간이 되는 전계방출 소자의 원리 및 종류, FED의 핵심요소 기술, 최근 연구 개발 동향, FED의 응용 분야 및 상용화 가능성 등에 대하여 살펴보기로 한다.

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Characteristics of New Small Scale Boost PWM Chopper Circuit (새로운 소용량 승압형 PWM 초퍼 회로의 특성)

  • Kim, Hyui-Chil;Park, Han-Seok
    • Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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    • v.23 no.9
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    • pp.98-107
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    • 2009
  • Actually, The hard switching high frequency PWM DC-DC converters are existing accompany, the high frequency of pulse modulation carrier frequency increase of switching loss of power semiconductor switching elements, there are have some problem points of EMI etc. This compliance with a voltage surge or the electric current surge are where the switching transient phenomenon accompanies. In order to solve like this problem effectively it described the principle of operation of New Small Scale Boost PWM Chopper circuits from the present paper, draw Characteristics from simulation and experiment.

A study on the switching character and loss of power semiconductor device (전력용 반도체 디바이스의 스위칭 특성과 손실에 관한 연구)

  • Kim, Yong-Ju;Han, Suk-Woo;Ma, Young-Ho;Kim, Han-Sung;Yu, Gwon-Jong
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 1990.11a
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    • pp.263-266
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    • 1990
  • In order to high-respone and high-reliability of devices, it depended upon how we can increase the high-frequency of the Inverter, UPS and it's application. but using high-frequency of self turn-off devices, it is important to reduce switching device loss and spike voltage of turn off. This paper proposed new methode about computer simulation of device loss also experimental results with switching device characteristic are presented.

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Some problems on brushless exciting system of generator (발전기에 있어서 Brushless 여자방식의 문제점)

  • 오병인
    • 전기의세계
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    • v.17 no.2
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    • pp.27-31
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    • 1968
  • 최근 각종 회전전기의 설계제작에 있어서 그경제성과 신뢰성을 높이고저 가능한 한고속화 내지는 단일화 경향에 있다. 예로써 1,500MV급 주발전기라면 8MW라는 려자전력이 필요하므로 이를 종래의 직결직류려자기방식으로서는 정류조건에서 제한을 받게된다. 고로이러한 난문제의 해결책으로서 직류여자기의 감속, 별치의 M-G Set, 또는 이중전기자법등이 고찰되고 있으나 역시 과담한 경제문제를 수반하게 된다. 또한 각종산업의 발달에 따라 요구되는 부하특성과 가혹한 환경조건에서 운전되어야할 경우가 증가되고 있다. 즉 염소Gas, 아유산 Gas, 인화유기 또는 공해상등을 막론한 주위조건에서 방식방폭의 안정성과 소형경량화의 경제성등을 설계의 주요목적으로 본다. 이것은 회전전기의 고정자와 회전자간에 전달되는 전기적 Energy가 회전기계의 가장 약점인 탁동부분을 통과하기 때문이다. 여기에서 탁동부를 제거할 수단으로 Brushless 려자방식이 고안되었으며 오래전부터 그 Idea가 창안되어 있었으나 최근 갑자기 극소용량급에서 초대용량급에 이르기까지 Brushless화 되었음은 재료과학에서 본 자기증중기 또는 반도체공학의 발달이 크게 영향하였다. 필자는 여기에 발전기를 중심으로 Brushless 려자방식의 종류와 문제점을 검토하여 금후 발전될 전망에 대하여 간단히 논한다.

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Trends on the Development of Carbon Nanotube-Based Digital X-ray Tube (탄소나노튜브 기반 디지털 엑스선 튜브 기술개발 동향)

  • Song, Y.H.;Kang, J.T.;Kim, J.W.;Choi, Y.C.;Park, S.;Jeong, J.W.
    • Electronics and Telecommunications Trends
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    • v.31 no.2
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    • pp.116-123
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    • 2016
  • 병원의 X선 및 CT 영상, 반도체 소자 내의 결함분석, 공항의 보안검색 등 다양한 분야에 X선이 사용되고 있다. 지금까지는 이러한 X선을 발생시키기 위해 고온으로 가열하여 전자를 방출시키는 열전자원이 사용됐으나, 높은 소비전력과 디지털 구동의 어려움 등의 단점이 존재한다. 이러한 한계를 극복하기 위해 전계방출원 기술, 특히 탄소나노튜브를 이용한 나노전자원의 제조 및 디지털 엑스선 튜브 응용 기술에 관한 연구가 최근 활발히 진행 중이다. 이 글을 통해 디지털 시대에 부합하는 탄소나노튜브 기반 나노전자원 및 이를 이용한 디지털 엑스선 튜브의 개념 및 제조기술을 소개하고, ETRI 및 다른 기관들에서 개발 중인 최신 기술개발 동향을 소개하고자 한다.

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Synchronization Strategy of the Points of Turn-Off Time Using the Miller Effect on Connecting the Semiconductor Devices in Series (전력용 반도체 소자의 직렬연결시 밀러효과를 이용한 소호시점 동기화 전략)

  • Sim, Eun-Yong;Seo, Beom-Seok;Hyun, Dong-Seok
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 1991.07a
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    • pp.596-599
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    • 1991
  • This paper describes a novel switching algorithm of series connected power semiconductors for high voltage applications. In order to improve the reliability and efficiency of high voltage static power converters, we study on the switching characteristics of series connected power semiconductors and then propose "a servo control of snubber capacitor value" for the dynamic voltage balancing under turn-off state in series connected power semiconductors. Finally, we illustrate the validity of this algorithm by computer simulation and experimental results.

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