• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.20 no.6 s.96
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• pp.87-96
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• 2005

반도체 산업의 눈부신 발전은 진공관을 대신할 다이오드와 트랜지스터를 발명함으로써 저전력, 소형화에 성공하였기 때문이며, 또한, IC의 발명으로 이를 집적화하여 대량생산이 가능하고, 제품 제작을 용이하게 함으로써 제품 제작가격을 낮출 수 있게 되었기 때문이다. 이와 마찬가지로 가스 레이저를 대신할 반도체 레이저의 발명은 광통신의 핵심 부품인 광원의 저전력, 소형화를 실현시킴으로써 광통신 시대를 열게 하였다. 반도체 레이저의 발명으로 저전력, 소형화에는 성공하였으나, 비싼 광통신 부품은 본격적인 광통신 시대 실현에 걸림돌이 되고 있다. 반도체 산업의 주역인 IC 칩과 같은 저전력이며, 집적화가 가능하고, 대량 생산이 용이하여 가격이 저렴한 광 부품이 필요하다. 이런 이유로 광 부품 중 핵심 기술인 광원에 있어서는 표면방출레이저(VCSEL)가주목 받고 있다. 본 고에서는 각 파장 대역별로 표면방출레이저 소자의 기술 및 현황을 설명하고, 이들의 다양한 응용 분야 그리고 현재의 표면방출레이저 소자 시장 동향을 살펴 본다.

• 전기의세계
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• v.46 no.2
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• pp.13-22
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• 1997

최근 메모리 산업의 침체로 인하여 비메모리 분야의 관심이 높아지고 있다. 비메모리 분야 하면 주로 ASIC(Application Specific IC)이 떠오르지만, 대부분이 소량 다품종의 디지탈 시스템이기 때문에 사업이 쉽지 않다. 새로이 개발되어 각광을 받고 있는 전력 MOS, IGBT, MCT 등은 작은 패턴의 셀이 칩 내부에서 병렬 연결되어 있기 때문에 메모리 제조공정과 유사하다. 전력반도체 기술을 선도하고 있는 일본, 미국, 유럽의 기업체도 국내의 메모리 생산기술이 세계적인 수준이라고 찬사를 보내고 있다. 따라서 메모리 기억용량이 증가하면 새로운 생산공정이 구축되고, 이때 밀려나게 된 장비를 전력소자 제작에 사용할 수 있다면, 감가 상각된 장비의 재활용을 통한 원가절감 등 여러가지 면에서 도움이 될 수 있으리라 사료된다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2012.07a
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• pp.317-318
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• 2012

최근 전력변환장치에서 널리 사용되고 있는 반도체 소자인 IGBT는 소형 최적화 및 다기능을 갖도록 고집적화설계가 요구되고 있다. 또한, 대용량 소자로 조립공정을 간단히 할 수 있는 제품을 필요로 하고 있다. 본 논문은 고객이 전력변환장치를 설계하는 경우에 개발기간 단축과 최적화된 설계를 할 수 있는 전력용반도체 SKiiP 4에 대해서 소개하고자 한다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.27 no.1
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• pp.74-85
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• 2012

차세대 화합물 반도체 플랫폼으로 각광을 받고 있는 GaN 전자소자 글로벌 연구개발 동향에 관하여 기술하고자 한다. GaN 전자소자는 와이드 밴드갭(Eg=3.4eV)과 고온 안정성($700^{\circ}C$) 등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF 전력증폭기와 고전력용 전력반도체 응용에 큰 장점을 가진다. GaN 전자소자 기술동향에서는 먼저 미국, 유럽, 일본을 중심으로 한 대형 국책 연구프로젝트 분석을 통한 RF 전력증폭기 연구개발 방향을 살펴보고, 후반부에서는 이동통신 기지국, 선박 및 군용 레이더 트랜시버용 고출력 RF 전력증폭기의 응용 분야에 관하여 알아본다. 이러한 총체적인 동향분석을 통하여 차세대 반도체의 신시장 개척과 선진입을 위한 GaN 전자소자의 연구개발 방향과 조기상용화의 중요성을 함께 생각해보고자 한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2012.07a
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• pp.113-114
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• 2012

최근 전력용반도체 모듈 시장이 발전함에 따라 고전압 제품에 대한 수요가 증가하고 있다. 하지만 1700V급 이상의 고전압용 IGBT 모듈을 구동하기 위한 게이트 드라이버의 경우 해외의 제품은 단가가 매우 높은 것이 현실이다. 이에 따라 1700V급 이상의 전력반도체 모듈용 게이트 드라이버를 손쉽게 구현할 수 있도록 단가 경쟁력과 향상된 성능을 갖춘 게이트 드라이버를 연구하게 되었다. 본 논문에서는 1700V급 이상의 전력용반도체 모듈용 게이트 드라이버를 제작하고 각 부분의 파형을 설명하였다.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.10 no.1
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• pp.61-69
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• 2005

The topology of NPC inverter coupled with the large number of devices used increases the probability of device failure. It's necessary to develop an optimal remedial strategy which can be used to continue the application when fault occurs. The fault tolerance is obtained by the use of the proposed method. The proposed method utilizes that the one phase load with the failed power device could be connected to the center-tap of the DC-link capacitor in order to dc-link voltage with balance and the sinusoidal phase current with constant amplitude under the single power device fault condition. The strategy described in this paper is expected to provide an economic alternative to more expensive redundancy techniques.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2015.07a
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• pp.518-519
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• 2015

전력효율을 높일 수 있는 DC 전송이 주요 관심사가 됨에 따라 전력품질에 대한 기술이 요구된다. DC 그리드의 전력품질을 위해서는 반도체 차단기는 필수요소이다. 따라서 본 연구에서는 신속한 차단이 가능하고 재투입과 재차단 기능을 갖는 반도체 차단기를 제안한다. 제안한 회로는 단락 사고를 모의하고 시뮬레이션과 실험을 통해 시스템의 동작 특성을 검증하였다.

• KIPE Magazine
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• v.9 no.6
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• pp.15-21
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• 2004

• KIPE Magazine
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• v.24 no.6
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• pp.76-81
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• 2019

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2005.07a
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• pp.140-142
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• 2005

SMPS의 손실에는 switching loss, conduction loss, core loss가 있다. 최근 SMPS에서는 switching loss를 줄여 효율을 높이고자 반도체 스위치 2개를 사용하는 공진형 구조가 증가하고 있다하지만 공진형 구조는 반도체 스위치에서 소비되는 conduction loss로 의해 기존의 컨버터에 비해 무부하시 전력 소모가 크다. 그러나 최근 시장은 무부하시 소비되는 대기전력의 규제가 이슈가 되고 있다. 본 논문에서는 active clamped flyback converter에서 무부하시 반도체 스위치의 conduction loss의 감소를 위해 Clamp 회로의 보조 스위치는 동작시키지 않고, flyback converter로만 동작하도록 설계하여 무부하시에는 기존의 flyback converter의 동작과 같이 도통 손실이 급속히 줄도록 하였다. 또한 스위칭 손실을 줄이기 위해 주 스위치의 동작 주파수를 감소시켜 SMPS의 무부하시의 소모를 감소시켰다. 70W급 SMPS의 제작과 실험을 통해 위의 방법을 증명하고자 한다.