• Journal of Bio-Environment Control
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• v.22 no.4
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• pp.316-321
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• 2013

This study was carried out to analyze heat transfer characteristics and heat flow through air-inflated double layer PO film with thermal resistance method. The experiments was conducted in the laboratory controlled air temperature between 258.0 K and 278.0 K. The experimental materials were made up two layers PO film and an inflated-air layer. The thickness of air-inflated layer was fixed at 3 types of 110, 175, 225 mm. The electrical circuit analogy for heat transfer by conduction, radiation and convection was introduced. Experimental data shows that the dominant thermal resistance in heat transfer through the air-inflated double layer film was convection. Calculation errors were 1.1~18.5 W for heat flow. In result, the method of thermal resistance could be introduced for analysis of heat flow characteristics through air-inflated double layer film.

• Journal of computational fluids engineering
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• v.9 no.3
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• pp.66-72
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• 2004

전도 열전달 분야에서 두 물체가 접해 있는 경우, 접촉 열저항은 고려해야 할 중요한 요소이다. 특히 최근에는 전자부품의 과열방지를 위한 열 소산과 관련하여 접촉 열저항 문제는 중요하게 대두되고 있으며 이에 관련한 많은 이론적 연구와 응용연구가 수행되고 있다. 접촉 열저항은 주로 거친 두 물체표면의 불완전접촉에 기인한다. 본 연구에서는, 접촉하는 두 물체사이의 접촉면을 이상화시킨 비교적 간단한 문제를 이론적으로 해석함으로써 접촉면의 틈새 형상 및 비접촉면적비(비접촉면적/외관접촉면적)의 크기에 따른 접촉 열저항의 크기를 구하였다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2009.12a
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• pp.546-549
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• 2009

본 연구는 2008년 1월부터 2008년 12월까지 S 유치원 원아40명(실험군 20명, 대조군 20명)의 뇌파를 검사하여 뉴로피드백 훈련 전과 훈련 후의 스트레스 저항 능력을 보고자 하였다. 훈련 전과 후의 스트레스 저항 능력은 시계열 선형분석을 통하여 비교하였으며, 연구의 결과로 뉴로피드백 훈련을 적용한 집단에서 항 스트레스 지수에서 유의미한 차이를 보였다. 이 결과는 뉴로피드백 훈련이 유아들의 스트레스 저항 능력을 높여 주었으며 정서적 성향에 긍정적인 영향을 미쳤다고 본다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.60-60
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• 1999

단결정 다이아몬드의 열전도도는 약 22W/cm.K로 열전도도가 가장 큰 물질로 알려져 있으며, 비저항은 10$\Omega$.cm 이상의 높은 값을 갖는다. 대부분 열전도도가 큰 것으로 알려진 물질들은 Cu, Ag 등과 같이 전자의 흐름에 의하여 열이 전도되기 때문에 큰 전기전도도를 함께 갖는 것일 일반적이다, 그러나, 다이아몬드는 빠른 phonon의 이동에 의하여 열전도가 이루어지므로 전기적으로 절연 특성을 갖으면서도 큰 열전도가 가능하다. 단결정 다이아몬드는 고방열 절연체로서 이상적인 물질 특성을 보여준다. 전기절연성을 갖는 열전도층으로 다이아몬드를 이용하기 위해서는 저가로 제조가 용이한 화학기상증착법을 이용하여야 한다. 화학기상증착법으로 제조된 다결정 다이아몬드 박막의 열전도도는 약 21W/cm.K로 여전히 매우 높은 값을 갖는 것으로 알려져 있지만, 비저항 값은 인위적으로 도핑을 전혀 하지 않은 상태에서도 106$\Omega$.cm 정도의 낮은 값을 갖는다. 전혀 도핑을 하지 않았음에도 전도성을 갖는 특이한 특성을 다결정 다이아몬드가 보여 주고 있으므로 이에 대한 연구는 주로 전기 전도성을 갖는 특이한 특성을 다결정 다이아몬드가 보여주고 있으므로 이에 대한 연구는 주로 전기전도성의 원인을 규명하는데 집중되고 있다. 아직 명확한 전도 기구는 제안되고 있지 못하지만 전도성의 원인은 수소와 관련이 있고 전도는 표면을 통하여 이루어진다는 것이다. 산(acid)을 이용하여 다결정 다이아몬드 박막을 세척하면 전기 전도성이 사라지고 높은 저항값을 갖는 박막을 얻게 되는데 박막을 세척하는 공정은 박막의 표면만을 변호시키므로 표면에 있던 전기전도층이 용액 처리를 통하여 제거되므로 전도성이 사라진다고 생각하는 것이다. 그러나, 본 연구에서는 두께가 두꺼울수록 저항값이 증가하는 것이 관찰되었고 기존의 측정방식인 수평적인 저항 측정법에 대하여 수직적 방향으로 저항을 측정하면 저항값이 1/2 정도 작게 측정되었다. 다결정 다이아몬드에서 표면을 통하여 전류가 흐른다면 박막의 두께에 따른 변화가 나타나지 않아야 하고 수직적인 전류 측정법이 오히려 더 큰 저항을 보여주어야 한다. 기존의 표면 전도 모델로는 설명되지 못하는 현상들이 관찰되었고 정확한 전기 전도 경로를 확인하기 위하여 전해 도금법으로 금속들이 석출되는 모습을 관찰하였다. 이 방법을 통하여 다결정 다이아몬드에서 전류는 결정입계를 통하여 전도됨을 알 수 있었다. 온도에 따른 다결정 다이아몬드의 전기전도도 변화를 관찰하였고 이로부터 활성화 에너지 값을 구할 수 있었다. 다결정 다이아몬드의 전도도는 온도에 따라서 0.049eV와 0.979eV의 두 개의 활성화 에너지를 갖는 구간으로 나뉘어졌다. 이로부터 다결정 다이아몬드에는 활성화 에너지 값이 다른 두 종류의 defect level이 형성되는 것으로 추정할 수 있고 이 낮은 defect level에 의하여 전도성을 갖는 것으로 생각된다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2012.05b
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• pp.690-692
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• 2012

전도도가 우수한 알루미늄 및 알루미나 소재를 사용하여 LED 패키지를 제작하였다. 선택적 양극산화 공정을 적용하여 알루미늄 기판 상에 알루미나를 형성하고 이를 유전체로 사용하였다. 패키지 기판에 따른 열저항 및 광량 분석을 위해 알루미늄 기판과 알루미나 기판을 제작하여 성능 비교분석을 진행하였다. 알루미늄 기판이 알루미나 기판보다 우수한 열저항 및 발광효율 특성을 보여주었으며, 이러한 결과는 선택적 양극산화 공정을 사용한 알루미늄 기판이 고출력 LED 패키지용 기판으로 활용할 수 있음을 보여준다.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.9 no.2
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• pp.214-219
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• 1998

The transparent conducting tin oxide films were deposited on g1ass substrates by the ultrasonic spray pyrolysis. Examined were effects of deposition parameters on the electrical resistance, optical transmittance, crystal structure, and thickness of tin oxide films. As both the deposition time and concentration of tin(IV) chloride increase, the deposited tin oxide films exhibited the decrease of electrical resistance and optical transmittance in the visible and near infrared region. With increasing heat-treatment temperature in air, the deposited tin oxide films showed the enhanced electrical resistance and optical transmittance. This study suggests that the ultrasonic spray pyrolysis may be a promising deposition technique effectively to prepare transparent conducting films of good quality in a single step.

• Proceedings of the Korean Institute of Industrial Safety Conference
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• 1999.06a
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• pp.249-252
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• 1999

전도성 충진제가 포함된 결정성 고분자내에 대전류가 흐르게 될 경우 Joule 효과로 소재자체의 발열현상이 발생하며 온도가 증가함에 따라 고분자의 용융점 부근에서 급격한 열팽창으로 인하여 고분자 내에 분포되어 있던 전도성 충진재 입자사이의 간격이 증가하게 되며 전자들의 흐름이 방해를 받게 된다. 이에 따라 전기저항이 커져 전류의 흐름이 감소되는 철상이 발생하며 이를 PTC(Positive Temperature Coefficient)라 하고 온도 증감에 따른 전도성 충진제 간의 electron tunnelling과 고분자의 결정변화에 의해 민감한 전기저항변화 특성을 나타낸다. (중략)

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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• v.37 no.2
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• pp.119-124
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• 2013

In this study, the two-dimensional transient temperature of printed Ag nanoparticle ink during continuous wave laser sintering was calculated. Ag nanoparticle ink was printed on a glass substrate by inkjet printing. Then, a 532-nm continuous wave laser with different laser intensities was irradiated on the printed Ag nanoparticle ink for 60 s. During laser irradiation, the in-situ specific resistance of the sintered ink was measured. To obtain the transient temperature of the sintered ink during the laser sintering process, a two-dimensional transient heat conduction equation was derived by applying the Wiedemann-Franz law. It was found that the specific resistance of the sintered ink decreased with an increase in the sintering temperature of the printed ink.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 2003.05a
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• pp.385.1-385.1
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• 2003

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.21 no.4
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• pp.185-192
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• 2012

p-n junction temperature and thermal resistance of Light Emitting Diode (LED) package are affected by the chip size due to the change of the thermal density and the external quantum efficiency considering the heat dissipation through conduction. In this study, forward voltage was measured for two different size LED chips, 24 mil and 40 mil, which consist constitute 16-chip package. p-n junction temperature and thermal resistance were determined by thermal transient analysis, which were discussed in connection with the electrical characteristics of the LED chip and the structure of the LED package.