• 한국인터넷방송통신학회논문지
• /
• 제10권6호
• /
• pp.235-241
• /
• 2010

정전기 발생에서 가장 직접적이고 주요인자는 주변 습도 상태이다. 대부분의 정전기 발생은 마찰에 의해 발생되는 마찰전기이며, 공기 중에 포함된 수분의 양에 따라 물체 주위에 하나의 얇은 전도 층을 형성하게 되어 발생하는 정전기 충전 전압을 물체 표면 전체에 흩어지게 하는 함수 역할을 하게 된다. 정전기 방전 현상은 순간적인 전압상승을 야기하며 경우에 따라서는 아주 치명적인 손상을 입히게 된다. 무기체계의 조립, 취급, 수송, 저장의 과정에서 쉽게 나타날 수 있는 정전기 방전 현상을 미연에 방지하기 위한 방법을 설계 하고 분석 한다. 이러한 방법은 각종 무기체계 개발 관련자들의 정전기 방전 보호를 위한 설계 지침을 제시하며, 정전기에 대한 대책을 수립할 수 있도록 규정과 지원을 해 줄 수 있다.

• 한국산학기술학회논문지
• /
• 제13권11호
• /
• pp.5558-5565
• /
• 2012

도로 방호울타리는 차량의 이탈을 방지하는 시설로, 도로의 형태나 제한속도 등을 기준으로 하여 7 종류의 방호울타리를 규정하고 있다. 하지만, 최근 차량의 성능이 향상되면서 과적, 과속의 위험이 있고, 국내외 방호울타리 관련 차량사고를 보면 추락사고가 빈번하게 발생하고 있어, 현재의 방호울타리 설계충격도가 다소 부족한 것으로 나타나고 있다. 본 연구에서는 고속도로에 주로 적용하는 SB5 강재 방호울타리와 SB6 콘크리트 방호울타리의 차량방호 성능을 검증하기 위하여 차량충돌해석을 수행하여, 방호울타리의 파괴 및 차량전도 조건을 산출하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 1991년도 추계학술대회 논문집 학회본부
• /
• pp.321-324
• /
• 1991

In this study, $(Sr{\cdot}Pb)TiO_3$ series ceramics which is used in high voltage were fabricated by the mixed oxide method, and the electrical conduction mechanism and D.C. breakdown voltage characteristics of the specimens in accordance with the contents of $Bi_2O_3{\cdot}3TiO_2$ were investigated. As a result, the leakage current was increased with the contents of $Bi_2O_3{\cdot}3TiO_2$ and the measuring temperature. At room temperature, the leakeage current was showed a tendency of saturating when D.C. electrical field of $l5{\sim}30$[kV/cm] was applied to the specimen. As a result of breakdown voltage characteristics. breakdown strength was decreased when the contents of $Bi_2O_3{\cdot}3TiO_2$ were increased. On the other hand, in the temperature region below $60[^{\circ}C]$, the electronic breakdown was occured, and in the temperature region from 60 to $200[^{\circ}C]$, the thermal breakdown was occured by the Joule heat and the dissipation factor.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제14권5호
• /
• pp.437-443
• /
• 2003

정밀 전기.전자기기들이 외부의 전원장해와 과도 전압에 의하여 오동작되거나 부품이 파괴되어 기기의 기억장치가 지워지기도 하며, 전도성 노이즈의 형태로 다른 기기에 장해원이 될 수도 있는 등 그 피해가 늘고 있어 이에 대한 보호대책이 요구되고 있다. 따라서 본 논문에서는 디지털 영상기기인 PDP를 측정대상기기(EUT)로 하여 임피던스에 적합한 노이즈 저감 필터를 제작하고, 더불어 관통형(Feed-through) 커패시터 와 높은 투자율을 가진 페라이트 비드로 이루어 진 필터를 함께 적용한 PDP용 광대역 EMC 필터를 제작하고, 그 특성을 평가하였다. 본 연구에서 제작한 필터의 삽입손실은 10 MHz~l.5 GHz에서 40 dB 이상 감쇠되어 CISPR Pub. 22규격과 IEC 61000-4-4의 level 4까지 만족하는 우수한 필터임을 확인하였다.

• 지질공학
• /
• 제7권1호
• /
• pp.37-52
• /
• 1997

본 연구는 여러 호간구조물의 안정구모물의 안정해석에 관한 실제적인 적용성에 관련된 것으로, 호안구조물의 안정해석에는 4가지 종류의 호안단면을 고려하였다. 안정해석의 결과로서, 상치블럭의 안전율은 T.T.P.피복경상제가 형식 중에서 가장 컸으며, 피복재료의 강성과 완만한 사면경사에 영향을 받는다. 제체의 직선사면 활동 및 원호활동파괴에 대한 안전율은 사석경사제가 모든 형식중에서 가장 컸으며, 완만한 사면경사와 피목재료의 강성의 증가의 영향을 받는다. 제체의 전도 및 지반지지력에 대한 안전율은 경사호안이 직립호안 보다 크며, 완만한 사면경사와 구조물 폭의 증가에 영향을 받는다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
• /
• pp.1205-1206
• /
• 2008

본 실험에서는 CMOS 공정에서 사용하는 실리콘 트렌치 공정을 이용하여 분절된 트렌치 바디 접촉구조를 형성, 60 V급 전력 MOSFET 소자를 제작하였으며, 결과 소자의 면적을 증가시키지 않고도 제어되지 않은 유도성 스위칭 (UIS) 상황에서 낮은 전도 손실과 높은 항복 에너지 ($E_{AS}$)를 구현하였다. 분절된 트렌치 접촉구조는 소자의 사태 파괴시 n+ 소스 아래의 정공전류를 억제한다. 이는 트렌치 밑 부분에서부터 이온화 충돌이 일어나기 때문이며, 이는 기생 NPN 바이폴라 트랜지스터의 활성화를 억제하여 항복 에너지를 증가시킨다. 기존 소자의 항복 전압은 69.4 V이고 제안된 소자의 항복 전압은 60.4 V로 13% 감소하였지만, 항복 에너지의 경우, 기존소자가 1.84 mJ인데 반하여 제안된 소자는 4.5 mJ로 144 % 증가하였다. 트렌치의 분절 구조는 n+ 소스의 접촉영역을 증가시켜 온 저항을 감소시키며 트렌치 바디 접촉구조와 활성영역의 균일성을 증가시킨다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 2008년도 추계종합학술대회 B
• /
• pp.583-587
• /
• 2008

본 연구는 LCD 용 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정에서 가장 중요한 광 식각 공정을 중심으로 전체 공정을 개발하고, 공정의 안정성을 개선하여 소자의 신뢰성을 높이고자 한다. 본 연구의 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터는 Inverted Staggered 형태로 게이트 전극이 하부에 있다. 실험 방법은 게이트전극, 절연층, 전도층, 에치스토퍼 및 포토레지스터층을 연속 증착한다. 스토퍼층을 게이트 전극의 패턴으로 남기고, 그 위에 $n^+a-Si:H$ 층 및 NPR(Negative Photo Resister)을 형성시킨다. 상부 게이트 전극과 반대의 패턴으로 NPR층을 패터닝하여 그것을 마스크로 상부 $n^+a-Si:H$ 층을 식각하고, 남아있는 NPR층을 제거한다. 그 위에 Cr층을 증착한 후 패터닝하여 소오스-드레인 전극을 위한 Cr층을 형성시켜 박막 트랜지스터를 제조한다. 여기서 각 박막의 패터닝은 광 식각 공정으로 각 단위 박막의 특성에 맞는 광식각 공정이 필요하다. 제조한 박막 트랜지스터에서 가장 흔히 발생되는 문제는 주로 광식각공정시 발생하며, PR의 잔존이나 세척 시 얇은 화학막이 표면에 남거나 생겨서 발생되기도 하며, 이는 소자를 파괴시키는 주된 원인이 될 수 있다. 이와 같이 공정에 보다 엄격한 기준의 PR 패터닝, 박막의 식각 그리고 세척 등의 처리공정을 정밀하게 조절하여 소자의 특성을 확실히 개선 할 수 있었다.

• 한국전산구조공학회:학술대회논문집
• /
• 한국전산구조공학회 2011년도 정기 학술대회
• /
• pp.71-74
• /
• 2011

최근 국제적으로 지진 발생 규모가 증대하고 있으며, 우리나라를 비롯한 많은 나라에서 구조물 및 주요 시설물에 대한 내진설계에 관심이 증대되고 있다. 지진방재는 건물자체의 안전성뿐만 아니라 내부설비 및 소장품에 대한 안전성까지 종합적으로 검토되어야 하며 이를 위한 대책이 필요한 실정이다. 본 연구의 주요목적은 예측 불가한 자연재해인 지진에 대해 일반적인 면진성능을 갖는 기초격리장치로서의 기능을 충실히 수행할 수 있는지를 확인하기 위하여 면진장치를 사용한 구조물의 면진효과를 검증하는 것이다. 또한 설계된 스프링의 탄성계수에 따른 실제 지진 시 응답의 차이를 알아보기 위하여 공진실험 및 진동대 실험을 실시하여 면진테이블 시스템의 면진성능을 평가하였다. 진동대 실험은 미국 "NEBS Requirements"에서 규정하는 요구응답스펙트럼에 상응하는 임의 지진파를 적용하였고 각각 x축과 z축 가진 후, x-y-z 축을 동시에 가진하여 수행하였다. 시험응답스펙트럼(Test Response Spectrum)은 요구응답스펙트럼(RRS)에 포락하도록 시험하여 최대가속도는 x축 방향 가진 시 90%의 감쇠효과가 나타났으며, 3축 방향 가진 시 x축 방향은 58%, y축 방향은 31%의 감쇠효과가 나타났다. 최대상대변위는 설계스트로크 140mm에 대하여 최대 85.54mm의 변위가 발생하여 안정적인 거동을 나타내었다. 본 연구에서 제안한 면진테이블 시스템은 중요 첨단장비 및 문화재 등의 전도 및 파괴를 방지하는 데 효과적일 것으로 판단된다.

• 대한화학회지
• /
• 제34권3호
• /
• pp.221-226
• /
• 1990

MeOH-MeCN, $MeOH-Me_2CO의 이성분 혼합용매계에서 치환 페나실토실레이트류의 가용매 분해반응을 55$^{\circ}C$에서 전기 전도도법으로 연구하였다. 기질의 치환기가 전자받개 이거나 전자주개가 모두 페나실토실레이트 보다 반응속도를 증가시켰으며 m-NO_2$의 경우는 80% MeOH-10% MeCN에서 최대 반응속도를 나타내었다. 전이상태 파라미터의 비인 l/m값으로 부터 기질의 치환기가 전자받개에서 전자주개로 변함에 따라 전이상태는 기질과 친핵체의 결합형성이 감소되고, 기질과 이탈기의 결합파괴가 증가되는 dissociative $S_N2$ 반응메카니즘으로 진행됨을 알 수 있었으며 이 결과는 PES모형과 QM해석 방법에 의한 전이상태 구조변화의 논의와도 일치하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
• /
• pp.88-88
• /
• 2007

Chemical mechanical polishing (CMP) 공정은 그 어원에서 알 수 있듯이 슬러리의 화학적인 요소와 웨이퍼에 가해지는 기계적 압력에 의해 결정되는 평탄화 기술이다. 최근, 금속배선공정에서 높은 전도율과 재료의 값이 싸다는 이유로 Cu률 사용하였으나, 디바이스의 구조적 특성을 유지하기 위해 높은 압력으로 인한 새로운 다공성 막(low-k)의 파괴와, 디싱과 에로젼 현상으로 인한 문제점이 발생하게 되었다. 이러한 문제점을 해결하고자, 본 논문에서는 Cu 표면에 Passivation layer를 형성 및 제거하는 개념으로 공정시 연마제를 사용하지 않으며, 낮은 압력조건에서 공정을 수행하기 위해, 전해질의 농도 변화에 따른 선형추의전압전류법과 순환전압전류법을 사용하여 전압활성화에 의한 전기화학적 반응이 어떤 영향을 미치는지 연구하였다.