• 전기학회논문지P
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• 제57권4호
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• pp.444-450
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• 2008

There are several ways to bond to building grounding systems for reducing GPR(ground potential rise) and EMI resulting from power system faults or lightning stroke to building. In order to verify effective bonding practice, the GPR and voltage of equipment due to the direct stroke to building are calculated with ATP-EMTP model for transformer, transmission line and MOV(Metal oxide varistor). The simulated model shows a satisfactory accuracy compared with experimental result for the $8/20{\mu}s$ simulated current pulse. It is observed that separate grounding can cause dangerous voltage to the building equipment and the performance of surge protective device can improve when it is installed to the protected equipment in distance as short as possible.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.164-165
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• 2008

현재의 소자간 연결을 위해 사용되는 금속배선 PCB의 한계로 인해 보다 고속/대용량의 광PCB가 크게 각광받고 있다. 본 논문에서는 광PCB와 소자간의 전기적 연결을 위해 사용되는 솔더 범프를 전도성 에폭시를 사용하여 마이크로 머시닝 공정을 통해 구현하고 제작된 솔더 범프의 I-V 특성을 살펴보았다. 제작된 100 um $\times$ 100 um $\times$ 25 um 와 300 um $\times$ 300 um $\times$ 25 um 의 샘플에서 각각 30 m$\Omega$과 90m$\Omega$의 전기저항을 얻을 수 있었다. 이를 통해 향후 센서및 엑츄에이터 시스템과 광 MEMS 등의 여러 분야에서 전도성 에폭시 솔더 범프를 이용하여 우수한 성능의 플립칩 본딩을 구현할 수 있을 것이다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2008년도 학술대회 논문집 정보 및 제어부문
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• pp.367-368
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• 2008

한의학의 주요 방법 중 하나인 맥진은 한의사가 환자의 손목 부위를 손가락으로 진맥하여 환자의 맥동을 감지하는 행위이다. 하지만 이러한 맥진은 주관적이고 형이학적 이어서 맥진의 발전을 위해서는 맥진의 객관화와 정량화가 요구된다. 본 연구는 기존의 와이어 본딩(wire bonding)을 이용한 맥진 센서의 단점인 내성을 극복하기 위하여 FDB(Face Down Bonding) 방식을 이용하였으며, $3{\times}3$ 멀티 어레이 센서간의 crosstalk를 극복하고자 센서들을 격리시킬 수 있는 댐(dam)을 형성하였다. 또한, 댐을 감싸고 상단 및 하단에 들기를 형성하는 패드를 이용하여 피부에 접촉하도록 제작하였다. 센서의 특성을 평가하기 위하여 각 센서 출력 단자의 저항 값을 측정하였으며 센서 스펙에서 제공하는 값과 동일함을 확인하였고, 실제 요골동맥 부위에서 맥파를 측정하여 전형적인 요골동맥 맥과 파형이 측정됨을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제30권10호
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• pp.615-624
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• 2017

This study investigated the various physical and electrical effects of silicon direct bonding. Direct bonding means the joining of two wafers together without an intermediate layer. If the surfaces are flat, and made clean and smooth using HF treatment to remove the native oxide layer, they can stick together when brought into contact and form a weak bond depending on the physical forces at room temperature. An IR camera and acoustic systems were used to analyze the voids and bonding conditions in an interface layer during bonding experiments. The I-V and C-V characteristics are also reported herein. The capacitance values for a range of frequencies were measured using a LCR meter. Direct wafer bonding of silicon is a simple method to fuse two wafers together; however, it is difficult to achieve perfect bonding of the two wafers. The direct bonding technology can be used for MEMS and other applications in three-dimensional integrated circuits and special devices.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제11권1호
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• pp.29-36
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• 2004

초 박형 실리콘 칩을 이용하여 실리콘 칩들을 포함한 모듈 전체가 굽힘이 자유로운 유연 패키징 기술을 구현하였으며 bending test와 FEA를 통해 초 박형 실리콘 칩의 기계적 거동을 살펴보았다. 초박형 실리콘 칩(t<30$\mu\textrm{m}$)은 표면손상의 가능성을 배제하기 위해 KOH및 TMAH둥을 이용한 화학적 thinning 방법을 이용하여 제작되었으며 열압착 방식에 의해 $Kapton^{Kapton}$에 바로 실장 되었다. 실리콘칩과 $Kapton^\circledR$ 기판간의 단차가 적기 때문에 전기도금 방식으로 전기적 결선을 이를 수 있었다. 이러한 방식의 패키징은 이러한 공정은 flip chip 공정에 비해 공정 간단하고 wire 본딩과 달리 표면 단차 적어서 연성회로 기판을 비롯한 인쇄회로기판의 표면뿐만 아니라 기판 자체에 삽입이 가능하여 패키징 밀도 증가를 기대할 수 있으며 실질적인 실장 가능면적을 극대화 할 수 있다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
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• pp.2204-2205
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• 2008

2005년도에 저압 지중함에서 감전사고가 발생한 후 감전예방을 위한 다양한 개선대책이 현장에 적용되었다. 사고발생 직후에는 지중전선의 접속부에 테이핑처리에 의한 보완조치가 적용되었으며, 그 이후 전선 접속 부를 방수형접속재로 교체하는 작업이 시행되었으며 전선 접속부 위를 감전방지용 절연고무판으로 덮거나 차량의 통행이 없는 일부 지중함의 뚜껑을 절연재질인 고강도플라스틱(FRP)으로 교체하거나 그 이외에 다중접지된 중성선과 지중함의 틀을 본딩하는 개선대책 등이 현장에 적용되었다. 이러한 다양한 개선대책은 지중함에서의 감전사고를 예방하기 위한 것으로 그중 틀접지는 이미 적용된 지중함 내의 접지설비와 중성선이 공통접속된 상태에서 지중함과 맞닿는 틀에 접지도체를 연결하는 것이다. 계통의 중성선을 이용한(TN-C)방식의 틀접지는 효과가 있으나 뚜껑부분의 진동방지를 위하여 삽입한 고무패킹은 성능저하를 일으키므로 그에 대한 대책이 필요하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.415-416
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• 2008

The finite element model was used to simulate the temperature distribution of a arrayed vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL). In this work, the dimension of AlGaAs/GaAs based VCSEL array was $50{\mu}m$ active diameter and $250{\mu}m$ pitch, and AuSn solder of 80wt%Au-20wt%Sn was included to flip-chip bond. The results of the thermal simulation will be applied to predict the thermal cross-talk in high speed parallel optical interconnects.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제30권4호
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• pp.61-68
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• 2023

무연솔더에 Fe 입자를 첨가하여 Cu₃Sn 금속간화합물 성장을 억제하고 취성파괴를 방지하는 연구는 보고된 바 있으나 이러한 복합솔더를 TLP(transient liquid phase) 본딩에 적용한 경우는 아직 없다. 본 연구에서는 Sn계 무연솔더 내부에 Fe 입자의 함량을 적절히 조절하여 Sn-3.5Ag-15.0Fe 복합솔더를 제작하고 TLP 본딩에 적용하여 접합부 전체를 Sn-Fe 금속간화합물로 변화시킴으로써 고온 솔더로서의 적용 가능성을 탐색하였다. 접합공정 중에 형성되는 FeSn₂ 금속간화합물은 513℃의 고융점을 가지므로 사용 중 온도가 280℃까지 상승하는 전력반도체용 파워모듈에 안정적으로 적용이 가능하다. 칩과 기판에 ENIG(electroless nickel-immersion gold) 표면처리를 적용한 결과 접합부에 Ni₃Sn₄/FeSn₂/Ni₃Sn₄의 다층 금속간화합물 구조를 형성하였으며 전단시험시 파괴경로는 Ni₃Sn₄/FeSn₂ 계면에서 균열이 진전하다가 FeSn₂ 내부로 전파되는 양상을 보였다. TLP 접합공정 2시간 이후에는 30 MPa 이상의 전단강도를 얻었고 특히 200℃ 전단시험에서도 강도 저하가 전혀 없었다. 본 연구결과는 최근 활발히 연구되고 있는 전기자동차용 파워모듈에 적용할 수 있는 소재 및 공정으로 기대할 수 있다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제24권6호
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• pp.67-74
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• 2010

국내의 저압수용가 대부분은 한국전력공사의 TN-C접지방식으로부터 공급받고 있으나 부하설비는 TT 접지방식을 위주로 한 전기설비기술기준에 따라 시설되어 있다. 본 연구에서는 정보기술설비를 뇌서지로부터 보호할 수 있는 적절한 전원계통접지방식을 제안하기 위해서 TT, TN계통의 뇌서지에 대한 보호성능을 연구하였다. 그 결과, 뇌서지가 배전계통의 중성선에 입사한 때 TT계통의 기기접지단자와 전원선의 중성점 사이에 높은 전위차가 발생하였으며, 예민한 컴퓨터설비가 손상될 위험성이 있으므로 TT계통은 적합하지 않다. 뇌서지로부터 저압 설비를 보호하기 위해서는 등전위본딩이 중요한 요건이며, TN계통이 중성선을 통하여 입사하는 뇌서지의 저감에 가장 우수하였으며, 수용가 인입구에서의 추가접지도 바람직한 방법이다.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권6호
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• pp.72-78
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• 1998

Ti:LiNbO$_3$ 광도파로위에 CPW 전극 구조를한 광변조기 내부칩을 제작한 후 일련공정에 따라 패키징 작업을 하였고 소자의 전기적특성과 광학적특성을 측정하였다. 광변조기 패키징을 위하여 페룰, 보조용 LN블럭 및 글래스, 진동 및 흡수용패드, 알루미나피더의 부분품을 사용하였으며 피그테일링, Au 와이어본딩, 에폭싱, SMA커넥팅, 실링 작업을 수행하였다. 전기적 특성에서 S/sub 21/은 -3 dB 점에서 9.8GHz의 값을, S/sub 11/은 14.4 GHz 대에서 -8.9 dB 값을 나타내었다. 광학적 특성은 제작된 광도파로가 1550nm 파장대에서 단일모드를 만족하였고, 패키지후 소자의 삽입손실은 실온에서 4.3 dB 이였으며, 소자를 온도감압챔버에 넣은후 5∼45℃까지 온도변화를 주었을 때 4.3∼6.4 dB의 삽입손실을 보였다. E-O bandwidth 응답은 3dB점에서 7.8GHz를 나타내어 10Gbps급 광통신시스템에 응용할수 있음을 확인하였다.