Until recently, limestone yield production is mainly depend on geological investigation and boring. In the study seismic and electrical method are applied to calculate the basic data of limestone yield production. the result of geophysical prospecting, the depth of bed rock is approximately 17m. And there is a slightly difference between the limestone layer boundary which is drawn by electrical prospecting method and that of geological investigation.
All the resistivity data contain various kinds of noise. The major sources of noise in DC resistivity measurement are high contact resistance, measurement errors, and sporadic background noise. Thus, it is required to measure data noise to accurately interpret resistivity data. Reciprocal measurements can provide a measure of data precision and noise. In this study, we proposed a data-weighting method from reciprocity measurement. Furthermore, a data-weighting method using both the reciprocity error and data-misfit in the inversion process was studied. Applying the data-weighting method to the inversion of 3D resistivity data, it was confirmed that local anomalies are slightly suppressed in the final inversion results.
To analyze soil properties with depth in rice field, we compared resistivity distributions obtained from soil analysis with one dimensional inversion of small loop electromagnetic (EM) data. Although it didn't show consistency exactly between the two resistivity distributions, low resistivity zones in soil analysis, appeared to agree with low resistivity zones in EM result. Therefore, small loop EM method can be applied to obtain rapidly the soil properties such as salt accumulation in a rice field. If research on soil property and EM responses of unsaturated zone would be conducted consistently, small loop EM method can be used effectively to detect salt accumulated zone in agricultural area.
Resistivity logging instruments are designed to measure the electrical resistivity of a formation, and this can be directly interpreted to provide a water-saturation profile. However, resistivity logs are sensitive to borehole and shoulder-bed effects, which often result in misinterpretation of the results. These effects are emphasised more in the presence of tool eccentricity. For precise interpretation of short- and long-normal logging measurements in the presence of tool eccentricity, we simulate and analyse eccentricity effects by combining the use of a Fourier series expansion in a new system of coordinates with a 2D goal-oriented high-order self-adaptive hp finite-element refinement strategy, where h denotes the element size and p the polynomial order of approximation within each element. The algorithm automatically performs local mesh refinement to construct an optimal grid for the problem under consideration. In addition, the proper combination of h and p refinements produces highly accurate simulations even in the presence of high electrical resistivity contrasts. Numerical results demonstrate that our algorithm provides highly accurate and reliable simulation results. Eccentricity effects are more noticeable when the borehole is large or resistive, or when the formation is highly conductive.
Three-dimensional (3D) resistivity method is an effective tool in the engineering site survey because it can provide a 3D resistivity distribution of the site. In this study, we tried to find out faults, fractures and coal seams that can cause the collapse of the tunnel. We carried out 2D resistivity survey along 5 parallel lines and 11 cross lines and merged all the apparent resistivity data for 3D inversion. Finally, from the 3D resistivity image and drilling data we presented the 3D distribution of faults, fractures and coal seams that are considered the main cause of the tunnel collapse.
Kim, Dong-Uk;Lee, Dong-Uk;Jo, Seong-Guk;Kim, Eun-Gyu
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.353-353
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2013
최근 고밀도 메모리 반도체의 재료와 빠른 응답을 요구하는 나노입자를 이용한 비휘발성 메모리 소자의 제작에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히, 비휘발성 메모리 소자 중 하나인 저항 변화 메모리 소자는 인가되는 전압에 따라 저항이 급격히 변화하여 적어도 서로 다른 두 저항 상태를 스위칭할 수 있는 물질을 이용하는 소자이다. 따라서 본 연구에서는 화합물 중에서 비휘발성 메모리 장치의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 실리사이드 계열의 바나듐 실리사이드($V_3Si$) 박막을 열처리 과정을 통하여 수 nm 크기의 나노입자로 제작하여, 그래핀을 하부 전극으로 하는 저항 변화 메모리 소자를 제작하였다. p-type (100) 실리콘 기판에 단일층으로 형성되어 있는 그래핀 상에 약 10 nm 두께의 저항 변화층($SiO_2$)을 각각 초고진공 스퍼터링 방법으로 성장시킨 후 $V_3Si$ 나노입자를 제작하기 위해서 $V_3Si$ 금속 박막을 스퍼터링 방법으로 4~6 nm의 두께로 저항 변화층 사이에 증착시켰으며, 급속 열처리 방법으로 질소 분위기에서 $800^{\circ}C$로 5초 동안 열처리하여 $V_3Si$ 나노 입자를 형성하였다. 마지막으로 200 nm 두께의 Pt을 증착하였다. 하부 전극으로 형성되어 있는 그래핀은 라만 분광법을 이용하여 확인하였으며, 제작된 소자의 전기적인 측정은 Agilent E4980A LCR meter, 1-MHz HP4280A와 HP 8166A pulse generator, HP4156A precision semiconductor parameter analyzer을 이용하여 전기적인 특성을 확인하였다.
현재 배전선로는 4가지 접지종별을 준용하여 피뢰기, 가공지선, 변압기, 기기류, 중성선 둥을 접지시공하고 있다. 또한 규정된 접지저항값에 따라 접지전극을 시공하고 2년에 1회 주기적으로 접지저항값을 측정하고 관리하고 있다. 현재 접지저항값의 측정에는 휴대가 간편하고 측정이 용이한 HOOK-ON 접지저항계가 주로 이용되고 있다. 그러나 HOOK-ON 접지저항계는 $\pm$5[\%]$정도의 측정오차 뿐만 아니라 측정선 전류가 1[A]를 초과하는 경우 변류용 철심이 포화되어 측정이 어렵다는 단점을 가지고 있다. 따라서 본 논문에서는 HOOK-ON 측정기법의 단점을 보완하여 다중접지 배전계통에서 부하 불평형 및 고조파 둥에 의해 발생하는 접지선 누설전류를 전류원으로 이용하는 접지전극의 접지저항을 측정하는 새로운 측정기법을 제안하였다. 또한 이를 실제 배전계통에 적용하여 전위강하법을 이용하여 측정한 접지저항값과 비교하였다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.238-238
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2010
최근 전자산업의 발전은 형상 면에서 경박 단소화로 급속하게 진행되고 있으며, 전자소자 내부에서의 배선재료로 사용되고 있는 알루미늄(Al) 박막의 두께 역시 얇아지고 있다. 두께가 20 nm 이하로 작은 극박막 범위에서 박막의 두께 증가에 따라 전기가 잘 흐르기 시작하는 박막의 최소두께로 정의 되는 유착두께를 실시간으로 측정하는 방법을 구현하고 임의의 금속박막과 기판의 조합에 있어서 각각의 재료에 대한 유착두께를 제공함으로써 향후 미세전자소자의 제작시 배선 재료의 선택에 대한 기초자료를 축적할 수 있다. 또한 금속박막의 증착공정 직전에 기판을 표면처리 하여 기판을 활성화시킬 때 표면처리가 박막의 유착두께에 미치는 영향에 대해 박막의 미세구조 변화 관점에서 연구함으로써 여러 가지 금속박막에 대한 유착두께를 줄일 수 있는 방법을 도출 할 수 있다. 본 연구에서는 유리 기판 위에 사진 식각 공정으로 패턴을 형성하고 패턴이 형성된 유리 기판은 스퍼터에 연결된 4 point probe에 구리 도선으로 연결한 후 DC 마그네트론 스퍼터법으로 Al을 증착하면서 실시간으로 시간에 따른 전기저항을 측정을 하였다. 이때 스퍼터 내부 진공도는 $4.6\;{\times}\;10^{-5}\;torr$ 까지 낮춰준 후 Al을 증착 할 때 진공도는 $1.1\;{\times}\;10^{-2}\;torr$로 맞춰주고 Ar 가스를 20 sccm 넣어준다. 1초 간격으로 전기저항을 측정한 결과 25초대에 전기저항이 급격히 감소하였으며 이때 Al 박막의 두께는 $120{\AA}$ 이고 이 두께에서부터 전류의 흐름이 좋은 것을 알 수 있다. 박막 두께에 따른 특성을 알기위해 UV 영역의 빛을 사용하는 광전자 분광기(Photoelectron Spectrometer)를 이용해 일함수를 측정하였다. Al 의 일반적인 일함수는 4.28 eV 이며, 두께가 $120{\AA}$일 때의 일함수는 4.2 eV로 거의 비슷한 값을 얻었다. 전류가 잘 흐르기 전인 12초대에서 두께가 $60{\AA}$일 때 일함수는 4.00 eV 이고 전류가 흐르기 시작한 후 50초대에서 Al 박막 두께가 $200{\AA}$ 일 때 일함수는 4.28 eV 로 일반적인 Al의 일함수와 같은 값을 얻을 수 있었다. 광전자 분광기술은 전자소자에서 중요한 전자의 성능예측에 도움을 줄 수 있으며 물질의 표면에서 더욱 다양한 정보를 얻을 수 있다. 또한 실시간 전기저항 측정을 통한 금속박막의 전기전도 특성과 미세구조에 대한 기초 자료를 제공함으로써 신기술 발전에 공헌할 것이다.
집적회로에서 MOSFET이 낮은 Turn-on 저항이 요구되는 스위치 등으로 사용되는 경우 단일 MOSFET이 그 주변의 복잡한 기능의 회고보다 오히려 반도체 위에서 차지하는 면적이 막대하여 IC의 소형화 및 가격 경쟁력을 높이는데 있어서 중요한 문제로 대두되고 있다. Turn-on 시 극히 낮은 저항을 갖는 넓은 채널 폭(W)의 MOSFET을 submicron 공정에서 면적 면에서 효율적으로 설계하는 다양한 새로운 배치설계법을 소개하고, 이론 이용할 경우 기존의 구조에 비하여 약40%까지 면적을 절약할 수 있음을 보인다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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