Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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2006.05a
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pp.200-204
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2006
본 연구에서는 새로 고안된 NOT-AND 논리에 의한 방전 논리 gate PDP의 입력 DC 방전특성에 대해 고찰하고 동작특성을 해석하였다. 새로 고안된 방전 AND gate는 방전 경로에 따른 전극사이의 전위차의 변화로 AND 출력을 유도한다. 이러한 방전 논리 소자를 가지는 PDP에서는 직류방전이 논리게이트의 역할을 한다. 실험결과 이 DC 입력방전을 위해 priming 방전을 인가한 경우가 인가하지 않은 경우에 비해 방전지연시간이 1/3로 단축되며 방전개시전압은 1/2로 감소하였다. 또한 이 priming 방전은 방전종료후 $30{\mu}s$ 정도까지 영향을 미친다. 그리고 이 직류방전의 시간적, 위치적 방전특성을 측정한 결과, 방전에 따른 시간적 거리의 변화는 상당한 영향을 미치나 인접 전극들의 위치적인 영향은 거의 미미하다는 결론을 얻었다.
A microstrip gas chamber (MSGC), applied to digital radiography system, was designed and constructed. The microstrip electrodes were fabricated with Chrome(Cr.). by photolithography process on Silicon(Si) wafer and glass substrate. The width of anode and cathode electrodes was $10{\mu}m$, and $290{\mu}m$, respectively. The distance of the electrodes was $100{\mu}m$, and the active area was $50{\times}50mm^2$. And the number of anode was 80. The microstrip electrodes were damaged when discharges occurred over the 600 V of anode voltage. As the result of experiments. It detected the typical output signals of the pulse width, 20 ns, under the condition that the detecting gas was Ar(90%) + $CH_4$(10%), X-ray tube voltage was 42 kV, and tube current was 1 mA.
이 실험은 소형견종에 대한 정상 SEPs의 범위를 알아내기 위해 실시되었다. 임상증 상이 정상인 28두를 대상으로 자극점에서 channel 1 까지의 Pl(LPI), channel 1까지의 Nl (LN1), 자극점에서 channel 2가지의 Pl(TP1), channel 2까지의 N1(TNI)의 절대잠복기와 LP1-TN1` 의 파간잠복기를 알아내기 위해서 실시하였다. 이번 실험에서 LPI, LNI, TPI, TNI의 절대잠복기 (absolute latency)의 평균값은 2.69$\pm$0.31 msec, 4.91$\pm$0.49m/sec, 4.64$\pm$0.39 msec, 5.21$\pm$0.42 msec 띠었다. LP1과 TN1 사이의 파간절대잠복기의 핑균값은 2.52$\pm$7.19 msec 이었다. 측정 치들을 속도로 변환하였을 경우 다음과 같았다. 측, LPI, LNI. Tfl, TNI 그리고 LP1-TN1 에서의 속도의 평균값은 각각 93.11$\pm$ 8.58 m/sec, 50.99$\pm$ 5.36m/sec. 80.18$\pm$ sec, 71.31$\pm$4.79m/sec그리고 49.50$\pm$3.58m/sec 이었고. 71.66m/sec, 37.79m/sec, 65.75m/ sec, 59.33 m/sec, 40.55m/sec 의 최저속도를 초과하였을 때 정상범위로 간주하였다. LPI, LNI, TPI,TN1까지의 절대잠복기와 자극전극에 시 측정전극가지의 거리 사이에는 상관관계가 있었다 LP1, LN1, TP1, TN1의 상관계수는 각각 0.621, 0.494. 0.577,0.618 이었다 요추에서 기록된 SEPs갈은 LP1의 상관계수가 LN1 보다 높았으며 흉추에서 기록된 SEPs값은 TN1의 상관계수가 TP1보다 높았다. LP1과 TN1의 파간잠복기와 channel 1과 2의 거리차이와의 상관계수는 0.571이다. 따라서 LPI, LNI. TPI, TNI그리고 LPI-TNI 들의 최저속도를 이용 하여 척수 손상 여부를 판단할 수 있다고 생각된다.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.23
no.5
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pp.9-17
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2009
In this paper, we describe a flow meter system for pulverized coal developed for the pulverizer-burner system of a boiler or blast furnace, which uses the density and the velocity of the granule flow. The granule flow density is measured by a sensor that detects the capacitance from the electrode on the surface of the piping system. The velocity of granule flow can be calculated using the distance between two pairs of built-in sensors in the flow direction, the time obtained from the sampling cycle using the correlation method between two waveforms of the sensors. The flow rate is calculated from the density and velocity of the granule flow. The reliability and accuracy of the flow meter system has been verified by comparing the data with the weight measured from a load-cell.
본 논문에서는 IGBT 소자 중 온저항을 낮추고 집적성을 향상시키기 위해 고안된 트렌치 게이트 IGBT의 단점인 게이트 코너에서의 전계 집중현상을 완화하기 위해 P+ 베이스 영역에 트렌치 전극을 형성하고, 트렌치 바닥면에 P+ 층을 형성한 새로운 구조를 제안하고 TSUPREM과 MEDICI 시뮬레이션을 사용하여 전기적 특성을 분석하였다. 제안한 구조를 시뮬레이션한 결과 순방향 저지시에 15% 이상의 항복전압 향상을 보였으며, 이 때 온저항 특성과 문턱전압의 변화는 없었다. 전계 분포를 3차원적 시뮬레이션을 통해 트렌치 전극 바닥에 형성된 P+ 층에 의해 전계집중이 분산되는 전계분산 효과에 의해 항복전압을 향상시킴을 확인하였다. 전계분산 효과에 의한 항복전압향상은 트렌치 게이트의 코너와 트렌치 전극의 코너의 깊이가 같을수록 두 코너 사이의 거리가 가까울수록 커짐을 시뮬레이션을 통해 확인하였다. 제안 구조는 공정상 복잡성이 야기되지만 15%이상의 항복전압향상 효과는 소자 특성 개선에서 많은 응용이 기대된다.
Journal of the Computational Structural Engineering Institute of Korea
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v.34
no.4
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pp.199-204
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2021
In this study, an isogoemetric analysis (IGA) method that uses NURBS (Non-Uniform Rational B-Spline) basis functions in computer-aided design (CAD) systems is employed to account for the geometric exactness of curved electrodes constituting an electro-adhesive pad in electrostatic problems. The IGA is advantageous for obtaining precise normal vectors when computing the electro-adhesive forces on curved surfaces. By performing parametric studies using numerical examples, we demonstrate the superior performance of the curved electrodes, which is attributed to the increase in the normal component of the electro-adhesive forces. In addition, concave curved electrodes exhibit better performance than their convex counterparts.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.446-446
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2013
유기태양전지는 가벼운 무게와 우수한 유연성을 가져 플렉서블 태양전지 및 롤투롤(Roll-to-roll) 인쇄 공정에 대한 적용 가능성 때문에 많은 연구가 이루어지고 있다. 하지만 이종접합 유기태양전지를 상용화하기 위해서는 낮은 전력 변환 효율 (PCE)을 증진하는 연구가 필요하다. 본 연구에서는 간단한 용액공정을 통해 poly (3-hexylthiophene) (P3HT) 나노구조층을 사용하여 indium-tin-oxide 양극 전극/poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) 정공수송층/P3HT 나노구조층/P3HT 복합체로 제작한 나노구조층/C60 전자수송층 /lithium quinolate 전자주입층/Al 음극 전극 구조의 유기태양전지를 제작하였다. 전류밀도-전압 곡선 결과는 P3HT 복합체 이용한 나노구조층를 가진 유기태양전지의 구조는 평면층을 가진 유기태양전지에 비해서 PCE가 향상됨이 관찰되었다. 유기태양전지는 짧은 엑시톤의 확산거리가 PCE 감소의 주요 원인이 된다. P3HT 복합체를 사용한 나노구조층을 가지는 유기태양전지는 광활성층과 전자수송층 사이의 계면이 넓어지는 효과를 가진다. 계면이 넓어지는 효과를 통해 생성된 엑시톤을 효율적으로 분리할 뿐만 아니라 더 많은 양의 전하를 생성할 수 있기 때문에 전하의 양이 증가되고 더 높은 전류를 생성하여 PCE를 효과적으로 높일 수 있다.
Park, Ji-Hun;Kim, Yong-Hui;Jeon, Su-Nam;Park, Bong-Sang;Choe, Eun-Ha
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.549-549
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2013
고전압 펄스 플라즈마를 액체 속에서 발생시켜 수소 스펙트럼의 광학적 특성을 연구하였다. 고전압 펄스 발생 장치인 막스 제네레이터는 용량이 $0.5{\mu}F$인 축전기 5개로 이루어져 있다. 각각의 축전기는 전원 장치를 이용하여 저항을 통해 병렬로 충전되며, 방전 시에는 불꽃 방전 스위치에 의해 동시에 직렬로 연결되어 고전압을 발생시킨다. 따라서, 출력 전압과 전류는 40kV, 3 kA이며 총 에너지는 약 125 J이다. 직육면체 모양의 폴리카보네이트 용기 내부의 양쪽면에는 탐침 모양의 전극이 구성되어 있으며 전극 사이에서 고전압을 가진 플라즈마가 형성된다. 실험에서 액체로는 증류수를 사용하였다. 액체 방전 시 발생하는 수소 스펙트럼을 관측하기 위해 초점거리 30 cm의 monochromator를 이용하였고, 수소 알파선의 656.3 nm와 수소 베타선의 434.1 nm를 관측하였다. 전자 밀도의 측정법으로는 Stark broadening법을 이용하여 측정하였으며, 전자 온도는 Stark profile의 상대적인 전자 밀도의 비를 이용하여 계산하였다. 전자밀도는 실험조건에서 약 $3{\times}10^{15}cm^{-3}$, 전자온도는 약 2.5 eV가 측정되었다.
The tunneling current is exponentially dependent on the separation gap between a pair of conductors. The detection of displacement can be, therefore, carried out by measurment of a variation in the tunneling current. In this experiment, we fabricated pyramid-type silicon tunneling devices in which a tunneling current flow between a micro-tip and $Si_3N_4$ thin film membrane. A MEMS process was used for the fabrication of the tunneling devices. The micro-tips were formed on Si wafers by undercutting a differently oriented square of $SiO_2$ with KOH. The stiffness of the $Si_3N_4$ films were observed and the model for the stiffness calculation, which is useful in predicting the stiffness even when the stiffness ranges beyond the scope of the normal experimental condition, was suggested.
콘덴서에 고압으로 축적된 에너지를 부하로 전달해주는 스위칭기술은 고전압 펄스 파워 분야에서 아주 필수적이다. 이러한 관점에서 볼 때, 트리거 갭 스위치는 흔히 연구실에서 용이하게 사용할 수 있고, 갭 간격을 조정함에 의해 방전전압을 가변할 수 있는 장점이 있다. 그러나, 트리거 갭 스위치는 트리거 방전없이 생기는 자가방전이 발생하거나 트리거 방전이 생겨도 주방전이 일어나지 않는 경우가 있다. 본 연구에서는 이러한 일반 트리거 갭의 단점을 보완하고 확실하게 동작하는 갭 스위치의 제작에 필요한 데이터 확보를 위해 Nd:YAG 레이저를 트리거 갭 스위치 음극에 조사해 전극사이의 거리 g와 압력에 따른 최소트리거전압 $V_{T.min}$의 특성을 파악하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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