• Title/Summary/Keyword: 전극 구조

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Anode Properties of TiO2 Nanotube for Lithium-Ion Batteries (리튬이온전지용 TiO2 나노튜브 음전극 특성)

  • Choi, Min Gyu;Lee, Young-Gi;Kim, Kwang Man
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • v.48 no.3
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    • pp.283-291
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    • 2010
  • In this review, the studies on the electrochemical properties of $TiO_2$ nanotube as an anode material of lithium-ion battery, which was prepared by an alkaline hydrothermal reaction and anneling process, were investigated andanalyzed in terms of charge-dischage characteristics. Up to date, a maximum discharge capacity of $338mAh\;g^{-1}$(x=1.01) was achieved by the nanotube with $TiO_2(B)$ phase, whereas the theoretical capacity of $TiO_2$ anode was $335mAh\;g^{-1}$(x=1) in the basis of $Li_xTiO_2$ as a product of electrochemical reaction between $TiO_2$ and lithium. This was due to fast lithium transport by a shortened diffusion path provided by controlling the nanostructure of $TiO_2$, because the self-diffusion of lithium was slow in a basis of its activation energy as 0.48 eV. Due to an excellent ion storage capabilities in both the surface and the bulk phase, the $TiO_2$ nanotube could be a promising active material as both an anode of lithium-ion battery and an electrode of capacitor with high-rate performances.

The Properties of Hole Injection and Transport Layers on Polymer Light Emitting Diode (정공 주입층 및 수송층에 따른 고분자 유기발광다이오드의 특성 연구)

  • Shin, Sang-Baie;Chang, Ho-Jung
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.14 no.4
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    • pp.37-42
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    • 2007
  • We fabricated the polymer light emitting diodes (PLEDs) with ITO/PEDOT:PSS/PVK/PFO:MEH-PPV/LiF/Al structures. The effect of the thickness of PEDOT:PSS hole injection layer(HIL) on the electrical and optical properties of PLEDs was investigated. In addition, PVK hole transport layer(HTL) was introduced in the PLED device, and compared the properties of the PLEDS with and without PVX layer. All organic film layers were prepared by the spin coating method on the plasma treated ITO/glass substrates. As the thickness of PEDOT:PSS film layer decreased from about 80 nm to 50 nm, the luminance of PLED device increased from $220cd/m^2$에서 $450cd/m^2$. This may be ascribed to the increased transportation efficiency of the holes into the emission layer of PLED. The maximum current density and luminance were obtained fir the PLED device with PVX hole transport layer, showing that the current density and luminance were $268mA/cm^2\;and\;540cd/m^2$ at 12V, respectively. This values were improved by about 14% and 22% in current density and luminance compared with the PLED device without PVK layer.

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Fabrication and Characterization of Polymer Light Emitting Diodes by Using PFO/PFO:MEH-PPV Double Emitting Layer (PFO/PFO:MEH-PPV 이중 발광층을 이용한 고분자 유기발광다이오드의 제작과 특성 연구)

  • Chang, Young-Chul;Shin, Sang-Baie
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.15 no.2
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    • pp.23-28
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    • 2008
  • To improve the external quantum efficiency by means of the optimization of the polymer light emitting diodes(PLEDs) structure, the PLED with ITO/PEDOT:PSS/(PFO)/PFO:MEH-PPV/LiF/Al structure were fabricated and investigated the electrical and optical properties for the prepared devices. ITO(indium tin oxide) and PEDOT:PSS [poly (3,4-ethylenedioxythiophene): poly(styrene sulfolnate)] were used as transparent anode film and hole transport materials, respectively. PFO[poly(9,9-dioctylfluorene)] and MEHPPV[poly(2-methoxy-5(2-ethylhe xoxy)-1,4-phenylenevinyle)] were used as the light emitting host and dopant materials. The doping concentration of MEH-PPV was 9wt% with thickness of about $400{\AA}$. We investigated the dependence of the PFO thickness ranging from $200{\AA}$ to $300{\AA}$ on the electrical, optical properties of PLEDs. Among prepared PLED devices with different PFO thicknesses, the highest value of the luminance was obtained for the PLED device with $250{\AA}$ in thickness. As a result, the current density and luminance ware found to be about $400mA/cm^2$ and $1500cd/m^2$ at 13V, respectively. In addition, the luminance and current efficiency of PLED device with double emitting layer (PFO/PFO:MEH-PPV) were improved about 3 times compared with the one with single emitting layer (PFO:MEH-PPV).

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Characterization of Ni-YSZ cermet anode for SOFC prepared by glycine nitrate process (Glycine nitrate process에 의한 제조된 SOFC anode용 Ni-YSZ cermet의 물성)

  • Lee, Tae-Suk;Ko, Jung-Hoon;Lee, Kang-Sik;Kim, Bok-Hee
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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    • v.21 no.1
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    • pp.21-26
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    • 2011
  • Ni-YSZ (Yttria Stabilized Zirconia) composite powders were fabricated by glycine nitrate process. The prepared powders were sintered at $1300{\sim}1400^{\circ}C$ for 4 h in air and reduced at $1000^{\circ}C$ for 2 h in a nitrogen and hydrogen atmosphere. The microstructure, electrical conductivity, thermal expansion and mechanical properties of the Ni-YSZ cermets have been investigated with respect to the volume contents of Ni. A porous microstructure consisting of homogeneously distributed Ni and YSZ phases together with well-connected grains was observed. It was found that the open porosity, electrical conductivity, thermal expansion and bending strength of the cermets are sensitive to the volume content of Ni. The Ni-YSZ cermet containing 40 vol% Ni was ascertained to be the optimum composition. This composition offers sufficient open porosity of more than 30 %, superior electrical conductivities of 917.4 S/cm at $1000^{\circ}C$ and a moderate average thermal expansion coefficient of $12.6{\times}10^{-6}^{\circ}C^{-1}$ between room temperature and $1000^{\circ}C$.

$1{times}8$ Array of GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector with 7.8$\mu\textrm{m}$ peak response ($1{times}8$ 배열, 7.8 $\mu\textrm{m}$ 최대반응 GaAs/AlGaAs 양자우물 적외선 검출기)

  • 박은영;최정우;노삼규;최우석;박승한;조태희;홍성철;오병성;이승주
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.9 no.6
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    • pp.428-432
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    • 1998
  • We fabricated 1$\times$8 array of GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors for the long wavelength infrared detection which is based on the bound-continuum intersubband transition, and characterized its electrical and optical properties. The device was grown on SI-GaAs(100) by the molecular beam epitaxy and consisted of 25 period of 40 ${\AA} $ GaAs well and 500 ${\AA} $ $Al_{0.28} Ga_{0.72}$ As barrier. To reduce the possibility of interface states only the center 20 ${\AA} $ of the well was doped with Si ($N_D=2{\times}10^{18} cm^{-3}$). We etched the sample to make square mesas of 200$\times$200 $\mu\textrm{m}^2$ and made an ohmic contact on each pixel with Au/Ge. Current-voltage characteristics and photoresponse spectrum of each detector reveal that the array was highly uniform and stable. The spectral responsivity and the detectivity $D^*$ were measured to be 180,260 V/W and $4.9{\times}10^9cm\sqrt{Hz}/W$ respectively at the peak wavelength of $\lambda$ =7.8 $\mu\textrm{m}$ and at T=10 K.

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초순수 제조공정 현황

  • 이창소
    • Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
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    • 1996.06a
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    • pp.91-120
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    • 1996
  • 경제발전과 더불어 산업의 많은 분야에서 순수 및 초순순의 사용이 증가하고 있으나, 환경오염에 의한 원수의 오염에 따라 순수 및 초순순제조의 장치비와 처리비용의 증가가 야기되고 있다. 현재 국내에는 화력, 원자력발전소를 비롯하여 열병합발전소, 석유화학공장, 제약회사, 전기 전자부품회사, 반도체회사 및 철강회사 등 많은 분야에서 순수 및 초순수 제조장치의 구성과 성능이 많은 차이를 나타내고 있다. 국내의 초순수 제조장치는 90% 이상이 이온교환수지를 사용하는 이온교환법과 UF, R/O System과 같은 Membrane을 사용하는 Membrane System을 병행하여 적용하고 있다. 국내 초순수처리 Plant에서는 통상 전처리 System과 1차 순수제조 System 및 초순수 System이 상호 연결되어 Plant가 구성 운영되고 있다. 전처리 System에는 응집침전, 여과 흡착, 살균 등이 적용되고 있으며 여과 System에 Membrane을 적용할 수 있으나 국내에서는 특별한 경우를 제외하고 대부분 전처리 여과 System에 Media Filter를 사용한다. 전처리 System도 순수처리 장치의 전처리로는 없어서는 안되는 System이지만 여기에는 전처리 System을 제외하고 국내에서 적용하고 있는 초순수처리 System의 공정현황과 각 System별 특징을 설명하고 있다. 초순순 System에는 요구 수질에 따라 다소 차이가 있지만 반도체 공업에서 사용되는 초순수 System이 이중 최고의 Grade로 반도체공업에서 적용되고 있는 System을 기준하였다. 특히 Membrane을 적용한 초순수제조 System이 증가하고 있어 R/O, ED, EDR, CDI, (EDI)와 같은 Membrane System의 특성과 원리를 검토하였다.대적으로 높은 산소확산계수와 물에 대해서는 낮은 투과도를 가져야 한다. 높은 산소확산계수는 반응을 빠르게 하는 잇점이 있으며 물에 대한 낮은 투과도는 센서내의 전해질 물질을 유지보호하는 역할을 한다. 분리막이 산소전극에 이용될 경우 높은 산소 확산계수 이외에도 적절한 기계적 강도, 열적 안정성 등이 요구된다. 몰입이 가능하여 임계치가 저하된 것으로 여겨진다. 또한 광학적 이득의 존재는 이 구조에 의한 극단파장 반도체 레이저다이오드의 실현 가능성을 나타내는 것이다.548 mL에 비해 통계학적으로 의의 있게 적었다(p<0.05). 결론: 관상동맥우회로 조성수술에서 전방온혈심정지액을 사용할 때 희석되지 많은 고농도 포타슘은 fliud overload와 수혈을 피하고 delivery kit를 사용하지 않음으로써 효과적이고 만족할 만한 심근보호 효과를 보였다.를 보였다.4주까지에서는 비교적 폐포는 정상적 구조를 유지하면서 부분적으로 소폐동맥 중막의 비후와 간질에 호산구 침윤의 소견이 특징적으로 관찰되었다. 결론: 분리 폐 관류는 정맥주입 방법에 비해 고농도의 cisplatin 투여로 인한 다른 장기에서의 농도 증가 없이 폐 조직에 약 50배 정도의 고농도 cisplatin을 투여할 수 있었으며, 또한 분리 폐 관류 시 cisplatin에 의한 직접적 폐 독성은 발견되지 않았다이 낮았으나 통계학적 의의는 없었다[10.0%(4/40) : 8.2%(20/244), p>0.05]. 결론: 비디오흉강경술에서 재발을 낮추기 위해 수술시 폐야 전체를 관찰하여 존재하는 폐기포를 놓치지 않는 것이 중요하며, 폐기포를 확인하지 못한 경우와 이차성 자연기흉에 대해서는 흉막유착술에 더 세심한 주의가 필요하다는 것을 확인하였다. 비디오흉강경수술은 통증이 적고, 입원기간이 짧고, 사회

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마이크로볼로미터 IR 소자의 응답도 특성의 진공도 의존성 연구

  • Han, Myeong-Su;Han, Seok-Man;Sin, Jae-Cheol;Go, Hang-Ju;Kim, Hyo-Jin
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.361-361
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    • 2013
  • 비냉각 적외선 검출소자는 빛이 전혀 없는 환경에서도 사물을 감지하는 열상장비의 핵심소자이다. 마이크로볼로미터 적외선 검출기는 상온에서 동작하며, 온도안정화를 위해 TEC를 장착하여 진공패키지로 조립된다. 패키지는 진공을 유지할 수 있도록 일반적으로 메탈로 제작되며, 단가 감소 및 생산성 증대를 위해 wafer level packaging 방법을 이용한다. 마이크로볼로미터의 특성은 패키지의 진공 변화에 매우 민감하다. 센서의 감도를 증가시키기 위해서는 진공환경을 유지해야 한다. 볼로미터 소자의 특성은 상압에서 열전도는 기판과 멤브레인 사이의 에어갭을 통해 열손실을 야기하므로 센서의 반응도가 현저히 줄어든다. 에어갭이 1 um 정도 되더라도 그 사이에 존재하는 열전도가 가능하므로 진공을 유지하여 열고립 상태를 증대시킬 수 있다. 이에 본 연구에서는 소자의 동작시 압력, 즉 진공도가 볼로미터 소자의 반응도 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 마이크로볼로미터 소자는 $2{\times}8$ 어레이 형태로 제작하였으며, metal pad를 각 단위셀에 배치하였으며, 공통전극으로 한 개의 metal pad를 넣어 설계하였다. 흡수체로써 VOx를 사용하였으며, 열 고립구조를 위해 2.5 um 공명 흡수층의 floating 구조로 멤브레인을 형성하였다. 진공패키지는 메탈패키지를 제작하여 볼로미터 칩을 TEC 위에 장착하였으며, 신호의 감지를 위해 가변저항을 매칭시켰다. 반응도는 신호 대 잡음 값을 획득하여 소자에 도달하는 적외선 에너지에 대해 반응하는 값을 계산에 의해 얻어내는 것이다. 픽셀 크기는 $50{\times}50$ um이며, 패키지 조립 공정 후 온도변화에 따른 저항 측정을 통해 TCR 값을 얻었다. 이때 TCR은 약 -2.5%/K으로 나타났다. $2{\times}8$의 4개 단위소자에 대해 측정한 값은 균일하게 TCR 값이 나타났다. 광반응 특성은 볼로미터 단위소자에 대해서 먼저 고진공(5e-6 torr) 하에서 측정하였으며, 반응도는 25,000 V/W의 값을 나타내었고, 탐지도는 약 2e+8 $cmHz_{1/2}$/W로 나타났다. 패키지의 압력 조절을 위해 TMP 및 로터리 펌프를 이용하여 100 torr에서 1e-4 torr의 범위에서 압력조절 밸브를 이용하여 질소가스의 압력으로 진공도를 변화시켰다. 적외선 반응신호는 압력이 증가함에 따라 감소하였으며, 2e-1 torr의 압력에서 신호의 크기가 감소하기 시작하여 5 torr에서 반응도의 1/2 값을 나타냄을 알 수 있었다. 30 torr 이상에서는 신호가 잡음값 과거의 동일하여 신호대 잡음비가 1로 나타남을 알 수 있었다. 또한 진공도 변화에 대해, 흑체온도에 따른 반응도 및 탐지도의 특성을 조사한 결과를 발표한다. 반응도의 증가를 위해 진공도는 진공도는 1e-2 torr 이하의 압력을 유지해야 함을 본 실험을 통해 알 수 있었다.

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Fabrication and Analysis of Thin Film Supercapacitor using a Cobalt Oxide Thin Film Electrode (코발트 산화물 박막을 이용한 박막형 슈퍼 캐패시터의 제작 및 특성평가)

  • Kim, Han-Gi;Im, Jae-Hong;Jeon, Eun-Jeong;Seong, Tae-Yeon;Jo, Won-Il;Yun, Yeong-Su
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.11 no.5
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    • pp.339-344
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    • 2001
  • An all solid-state thin film supercapacitor (TFSC) with Co$_3$O$_4$/LiPON/Co$_3$O$_4$ structure was fabricated on Pt/Ti/Si substrate using Co$_3$O$_4$ thin film electrode. Each Co$_3$O$_4$ film was grown by reactive dc reactive magnetron sputtering with increasing $O_2$/[Ar+O$_2$] ratio. Amorphous LiPON electrolyte film was deposited on Co$_3$O$_4$/Pt/Ti/Si in pure nitrogen ambient by using reactive rf magnetron sputtering. The electrochemical behavior of the Co$_3$O$_4$/LiPON/Co$_3$O$_4$ multi-layer structures exhibits a behavior of a bulk-type supercapacitor, even though much lower capacity (from 5 to 25 mF/$\textrm{cm}^2$-$\mu\textrm{m}$) than that of the bulk one. It was found that the TFSC showed a fairly constant discharge capacity with a constant current of 50 $\mu\textrm{A}/\textrm{cm}^2$ at the cut-off voltage 0-2V during 400 cycles. It is shown that the electrochemical behavior of the Co$_3$O$_4$/LiPON/Co$_3$O$_4$ TFSC is dependent upon the sputtering gas ratio. The capacity dependency of electrode films on different gas ratios was explained by different structural, electrical, and surfacical properties.

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Enhancement of Crystallinity in ZnO:Al Films Using a Two-Step Process Involving the Control of the Oxygen Pressure (산소 압력의 조절과 함께 두 번의 증착 과정을 이용한 ZnO:Al 박막에 결정성의 향상)

  • Moon, Tae-Ho;Yoon, Won-Ki;Lee, Seung-Yoon;Ji, Kwang-Sun;Eo, Young-Joo;Ahn, Seh-Won;Lee, Heon-Min
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.19 no.2
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    • pp.128-133
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    • 2010
  • ZnO:Al films were deposited by DC-pulsed magnetron sputtering using a two-step process involving the control of the oxygen pressure. The seed layers were prepared with various Ar to oxygen flow ratios and the bulk layers were deposited under pure Ar. As the oxygen pressure during the deposition of the seed layer increased, the crystallinity and degree of (002) texturing increased. The resistivity gradually decreased with increasing crystallinity from $4.7\times10^4\Omega{\cdot}cm$ (no seed) to $3.7\times10^4\Omega{\cdot}cm$ (Ar/$O_2$ = 9/1). The etched surface showed a crater-like structure and an abrupt morphology change appeared as the crystallinity was increased. The sample deposited at an Ar/$O_2$ flow ratio of 9/1 showed a very high haze value of 88% at 500 nm, which was explained by the large feature size of the craters, as shown in the AFM image.

Improvement of Structure and Electrochemical Properties of LiNi0.5Mn1.5O4 for High Voltage Class Cathode Material by Cr Substitution (Cr 치환을 이용한 고전압용 양극 활물질 LiNi0.5Mn1.5O4의 구조와 전기화학적 성능의 개선)

  • Eom, Won-Sob;Kim, Yool-Koo;Cho, Won-Il;Jang, Ho
    • Journal of the Korean Electrochemical Society
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    • v.8 no.2
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    • pp.82-87
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    • 2005
  • The cathode material, $LiNi_{0.5}Mn_{1.5}O_4$, for high voltage applications of Li-ion batteries exhibits impurity phases due to oxygen deficiency during the high temperature heat treatment. The impurity phase reduces the electrochemical properties of the electrode since the deficiency spinel structure disturbs the lithium ion intercalation and deintercalation. In this study, Cr-substituted $LiNi_{0.5-x}Mn_{1.5}Cr_xO_4(0{\leq}x{\leq}0.05)$ powders are synthesized by a sol-gel method in order to reduce the amount of the impurity phases in the $LiNi_{0.5-x}Mn_{1.5}Cr_xO_4$. Thermal analysis of the cathode material shows that the $LiNi_{0.5}Mn_{1.5}O_4$ without Cr substitution looses $2\%$ of its weight due to oxygen deficiency but the amount of weight loss is diminished when Cr is substituted. XRD analysis also supports the reduction of the impurity phases in the cathode after chromium substitution, suggesting that the improvement of the electrochemical properties such as the capacity retention and electrochemical stability are attributed to the low content of impurity phases in the Cr-substituted $LiNi_{0.5-x}Mn_{1.5}Cr_xO_4.$