• 제목/요약/키워드: 적화제

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석회유황합제 처리에 의한 국내 주요 배 품종별 적화 반응 비교 (Comparison of Flower Thinning Efficiency of Lime-sulfur on Korean Major Pear (Pyrus pyrifolia Nakai) Cultivars)

  • 윤병현;전지혜;신일섭;김현란;조강희;정재훈;김세희;조상윤;오세원
    • 한국자원식물학회지
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    • 제37권1호
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    • pp.62-70
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    • 2024
  • 주요 유망 배 7 품종(Pyrus pyrifolia Nakai)을 대상으로 적화제로서 석회유황합제의 효과를 검증하고, 품종별 적용 가능성을 판단하고자 3년에 걸쳐 적과율 및 과실 특성을 조사하였다. 석회유황합제 100배액을 만들어 만개 후 2일과 3일째에 총 2회 처리하였다. 적과율 조사 결과, 대부분의 국내 주요 배 품종에서 석회유황합제 처리에 의해 유의미한 적화효과를 나타냈고, 특히 '황금배'가 41.5%로 가장 큰 적화 효과를 나타냈고 '슈퍼골드' 40.1%, '한아름' 39.9% 순으로 높은 효율을 보였다. 당시 기상 조건과 실험 결과 간의 관계를 파악하기 위해 약제 처리 시점의 기상정보와 약제 적화효율의 연관성을 조사해본 결과 평균 일사량과 +0.49 수준의 약한 정적 상관관계, 평균 운량(구름양)과 -0.45의 약한 부적 상관관계를 나타냈다. 과실 품질과 약해 증상에서도 전반적으로 모든 자원이 통계적 유의차를 보이지 않았고, 일관된 특이사항은 발견되지 않았다. 결과적으로 적화 노력 감소 및 생력재배를 위한 석회유황합제 활용의 적합성을 확인할 수 있었다. 그러나 실제 적화제의 사용 시 생력재배의 성공 여부는 정확한 처리 시점, 처리 시점의 환경 등 다른 요인으로 인해 크게 영향을 미칠것으로 보인다. 이러한 결과는 국내 배 품종별 재배 생력화를 위한 중요한 기초자료가 될 것이다.

비정질실리콘 박막트랜지스터 비휘발성 메모리소자 (The nonvolatile memory device of amorphous silicon transistor)

  • 허창우;박춘식
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제13권6호
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    • pp.1123-1127
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    • 2009
  • 본 연구는 비정질실리콘 박막트랜지스터를 비휘발성 메모리소자로 제작함으로써 스위칭 소자로 사용되는 박막 트랜지스터(TFT)의 응용범위를 확대시키고, 비정질 실리콘 사용에 따라 대면적화에 적합하고 아울러 값싼 기판을 사용할 수 있게 한 비정질 실리콘 비휘발성 메모리소자에 관한 것이다. 이와 같은 본 연구는 유리기판과 그 유리기판위에 증착시켜 패터닝한 게이트, 그 게이트를 덮어씌운 제1 절연층, 그 제1 절연층위에 증착시켜 패터닝한 플로우팅 게이트와 그 플로우팅 게이트를 덮어씌운 제2 절연층, 그 제2 절연층위에 비정질실리콘을 증착시킨 액티브층과 그 액티브층위에 n+ 비정질실리콘을 증착시켜 패터닝한 소오스/드레인층 그리고 소오스/드레인층 위에 증착시킨 소오스/드레인층 전극으로 비정질실리콘 박막트랜지스터 비휘발성 메모리소자를 구성한다.

박막트랜지스터를 이용한 메모리소자에 대한 연구 (The study on memory device using amorphous transistor)

  • 허창우
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2009년도 춘계학술대회
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    • pp.693-696
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    • 2009
  • 본 연구는 비정질실리콘 박막트랜지스터를 비휘발성 메모리소자로 제작함으로써 스위칭 소자로 사용되는 박막트랜지스터(TFT)의 응용범위를 확대시키고, 비정질 실리콘 사용에 따라 대면적화에 적합하고 아울러 값싼 기판을 사용할 수 있게 한 비정질 실리콘 비휘발성 메모리소자에 관한 것이다. 이와 같은 본 연구는 유리기판과 그 유리기판위에 증착시켜 패터닝한 게이트, 그 게이트를 덮어씌운 제1 절연층, 그 제1 절연층위에 증착시켜 패터닝한 플로우팅 게이트와 그 플로우팅 게이트를 덮어씌운 제2 절연층, 그 제2 절연층위에 비정질실리콘을 증착시킨 액티브층과 그 액티브층위에 n+ 비정질실리콘을 증착시켜 패터닝한 소오스/드레인층 그리고 소오스/드레인층 위에 증착시킨 소오스/드레인층 전극으로 비정질실리콘 박막트랜지스터 비휘발성 메모리소자를 구성한다.

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상위 테스트합성 기술의 개발 동향

  • 신상훈;박성주
    • 전자공학회지
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    • 제25권11호
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    • pp.42-50
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    • 1998
  • 시스템을 단일 칩에 구현함에 따라서 반도체 칩은 수백만 게이트를 내장할 정도로 고집적화 되어가고 있다. 이러한 고집적도의 칩을 제장하는 데 소요되는 고가의 텍스트비용을 최소화하기 위해 설계의 각 단계 별로 다양한 테스트설계기술이 개발되고 있다. 합성 후 회로구조가 테스트에 용이하도록 하기 위하여 상위 및 논리 합성 단계에서 테스트기능을 추가하고 있다. 합성된 회로에 대하여는 스캔 테스트점 삽입, 및 BIST 등의 테스트설계 기술이 사용되고 있다. 본 논문에서는 VHDLDD등으로 기술되는 상위 기능정보와 상위 구조합성과정에서 고려되고 이는 다양한 데스트합성 기술을 소개하고자 한다.

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대원사 다층석탑의 지질학적 및 암석학적 안전진단 (Petrological and Geological Safety Diagnosis of Multi-storied Stone Pagoda in the Daewonsa Temple, Sancheong, Korea)

  • 이찬희;서만철
    • 자원환경지질
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    • 제35권4호
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    • pp.355-368
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    • 2002
  • 대원사 다층석탑(보물 제1112호)의 훼손도 평가와 지질학적 안전진단을 실시하였다. 이 다층석탑의 부재는 주로 화강암질 편마암으로 이루어져 있으며, 부분적으로 세립질 화강편마암과 우백질 화강편마암이 혼재한다. 보륜석은 흑운모 화강암이며 원추형 보주는 도기로 되어 있다. 탑의 부재는 박리와 박락이 심하고 탑신과 옥개석의 일부는 파손되어 시멘트로 조악하게 접착되어 있는 상태이다. 이 탑은 전체적으로 비정질 철수산화 광물의 침전과 피복으로 인하여 황갈색 또는 적갈색을 띤다. 또한 망간산화물에 의한 암갈색 각질과 시멘트 몰탈에서 용해된 석고와 방해석 침전물이 표면의 백화현상을 야기하였다. 각각의 탑신, 옥개석 및 상륜부의 구성암석에는 방사상 또는 선상 미세균열과 이를 충전한 회백색 탄산염광물들이 산재한다. 이 탑에는 균류, 조류, 지의류나 선태류가 암석의 표면에 고착되어 기생하면서 황갈색, 청남색 및 진녹색을 나타내는 반점상으로 산출된다. 한편 대원사 경내 및 계곡에 분포하는 암석도 다층석탑과 마찬가지로 심한 적화현상을 볼 수 있다. 이는 대원사 부근에 분포하는 암석이 일반적인 편마암류의 철과 망간 함량에 비하여 아주 높고, 이들이 강수 또는 지표수와의 반응에 따라 산화물을 형성하여 표면을 피복한 자연적인 현상이다. 따라서 이 탑의 이차오염을 가중시키는 적화 및 백화현상을 차단하기 위한 보존처리와 석탑의 부재와 지반의 구조적 안정을 위한 열극계의 보강과 접착이 필요하다.

전기화학적 방법을 이용한 One-Step CIGS 박막 제조

  • 최창순;이현주;김종만;김양도;이동윤
    • 한국재료학회:학술대회논문집
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    • 한국재료학회 2011년도 춘계학술발표대회
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    • pp.47.1-47.1
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    • 2011
  • 최근 친환경의 재생 가능한 에너지에 대한 관심이 급증하면서 태양전지에 대한 연구가 국내외에서 활발히 진행중이다. 특히 기존 태양전지 시장을 장악하던 실리콘 태양전지를 대체하고 새로운 기능을 부여하기 위해 박막형 태양전지의 필요성과 새로운 태양전지용 소재 개발에 관심이 집중되고 있다. CIGS는 이러한 요구에 부합하는 소재로써 진공증착법을 통한 CIGS 박막 태양전지에 대한 많은 연구가 진행되고 있다. 이와 함께, 경제성과 대면적화의 용이성을 목표로 CIGS의 비진공증착법에 대한 연구도 병행되고 있다. 본 연구에서는 비진공증착법중 전기화학적 전착방법을 이용하여 CIGS박막을 형성하는 기초연구를 진행하였다. CIGS 박막의 표면 및 결정립 제어를 위하여 젤라틴을 첨가제로 이용하여 CIGS 박막을 제조하였으며 첨가제의 농도, 전착 인가전압 등을 변수로 박막을 형성시켜 특성을 분석하였다. 첨가제가 박막의 특성에 미치는 영향을 알아보기 위하여 첨가제의 양에 따른 박막의 결정성과 표면 구조를 각각 XRD 및 FE-SEM (EDS)을 이용하여 분석하였다. 첨가제의 농도와 전착 인가전압에 따라 상대적으로 매우 우수한 표면 특성을 가지는 박막을 얻을 수 있었고 특히 특정농도의 젤라틴은 기존의 CIGS 박막의 결정성을 유지시켜 주는 것을 확인하였다. 또한 일정한 첨가제 농도 조건에서 인가전압을 변화시키며 증착한 필름의 CIGS 원소비를 분석함으로서 첨가제를 이용한 전기화학적 전착법에서 인가전압이 박막의 조성비에 미치는 영향을 분석하였다. 첨가제를 이용한 낮은 전압에서의 전착을 통해 우수한 표면 특성을 유지하면서 동시에 희귀원소인 In과 Ga의 증착을 더욱 용이하게 하는 새로운 방법에 대해 고찰하였다.

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미세 구조 패턴이 형상 제어 된 박막의 합성 및 응용기술 (New approach on thin film synthesis with shape-controlled structure and application)

  • 이승우;전치완;채수천;장영남
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2010년도 춘계학술대회 초록집
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    • pp.60.2-60.2
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    • 2010
  • 본 연구는 상온 상압하에서 미세구조 패턴을 갖는 대용량의 CaCO3 박막을 제조하고 여러 가지 첨가제를 이용하여 박막 표면의 형상제어를 수행하였다. 또한 형상 제어된 CaCO3 박막을 템플릿으로 이용하여 고분자 및 금속 박막 형상 제어 연구를 수행하였다. 본 연구를 통해 개발된 LACS(Large Area CaCO3 Stamping)법을 통해 흡착능과 소수성의 특성과 같은 다양한 기능성을 갖는 박막의 제조가 가능하였다. 기존의 박막제조 기술은 주로 저압조건에서 이루어지기 때문에 대면적화가 어렵고 형상을 제어 하는데 여러 가지 단점이 있었던 반면 LACS는 에너지의 소모가 적고 다양한 형상제어를 통해 기존의 박막제조 기술의 단점을 보완할 수 있을 것으로 판단된다.

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STI CMP용 나노 세리아 슬러리의 Non-Prestonian 거동에서 연마 입자의 크기와 계면활성제의 농도가 미치는 영향 (Effects of Abrasive Size and Surfactant Concentration on the Non-Prestonian behavior of Nano-Ceria Slurry for STI CMP)

  • 김성준;;강현구;백운규;박재근
    • 한국재료학회:학술대회논문집
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    • 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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    • pp.64-64
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    • 2003
  • 고집적화된 시스템 LSI 반도체 소자 제조 공정에서 소자의 고속화 및 고성능화에 따른 배선층수의 증가와 배선 패턴 미세화에 대한 요구가 갈수록 높아져, 광역평탄화가 가능한 STI CMP(Shallow Trench Isolation Chemical-Mechanical-Polishing)공정의 중요성이 더해가고 있다. 이러한 STI CMP 공정에서 세리아 슬러리에 첨가되는 계면활성제의 농도에 따라 산화막과 질화막 사이의 연마 선택비를 제어하는 것이 필수적 과제로 등장하고 있다. 일반적인 CMP 공정에서 압력 증가에 따른 연마 제거량이 Prestonian 거동을 나타내는 반면, 연마 입자의 크기를 변화시켜 계면활성제의 농도를 달리 하였을 경우, 압력 변화에 따라 Non-Prestonian 거동이 나타나는 것을 고찰할 수 있었다. 따라서 본 연구에서는 세리아 슬러리 내에 첨가되는 계면활성 제의 농도와 연마입자의 크기를 달리한 후, 압력을 변화시킴으로 나타나는 non-Prestonian 거동에 미치는 영향에 대하여 연구하였다.

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SOI 기판을 이용한 1-트랜지스터 구조 강유전체 비휘발성 메모리(MFS-FET)의 제작 및 평가 (Fabrication and Estimation of Single-Transistor-Cell-Type FeRAM (MFS-FET) Using SOI Substrate)

  • 김남균;이성준;최형봉;김철주
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1999년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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    • pp.921-923
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    • 1999
  • 비휘발성 메모리의 고집적화와 적응학습형 뉴럴 소자의 실현을 위하여 1-트랜지스터 구조 강유전체 비휘발성 메모리(MFS-FET)를 SOI 기판위에 제작하고 평가하였다. 먼저 SBT($Sr_{0.8}Bi_{2.2}Ta_{2}O_{9}$)를 직접 Si위에 증착하고 C-V를 측정하여 1V의 메모리 윈도우를 얻음으로써 비휘발성 메모리로써의 동작가능성을 확인하였다. 또한 다양하게 게이트의 W/L 비를 바꾸어서 MFS-FET를 제작하여 다양한 드레인 전압-드레인 전류 특성을 얻었고 실제로 쓰기와 읽기 동작을 수행하여 MFS-FET가 비휘발성 메모리로써 제대로 동작하고 있음을 확인하였다.

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