• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.28 no.5
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• pp.217-221
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• 2018

Selective laser melting (SLM) technique is one of the additive manufacturing processes, in which functional, complex parts can be directly manufactured by selective melting layers of powder. SLM technique has received great attention due to offering a facile part-manufacturing route and utilizing a hard-to-manufacturing material (e.g. Ti6Al4V). The SLM process allows the accurate fabrication of near-net shaped parts and the significant reduction in the consumption of raw materials when compared to the traditional manufacturing processes such as casting and/or forging. In this study, we focus the high-speed additive manufacturing of Ti6Al4V parts in the aspect of manufacturing time, controlling various process parameters.

• Journal of Korean Society of Steel Construction
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• v.24 no.4
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• pp.399-410
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• 2012

In this study, vibration tests are performed on cantilevered and clamped-clamped laminated composite rectangular plates using experimental modal analysis technique. The damages are simulated by applying progressive line cracks to the laminated composite plates for damage evaluations due to crack growth. The changes of frequency response functions(FRFs), MAC values, and modal parameters (frequency, mode shape and damping ratio) of the damaged composite plates, which are obtained by the modal testing of impact hammer, are investigated. Each experimental modal parameter of the progressively damaged composite plates is compared with natural frequencies and mode shapes obtained by finite element analysis. It is seen that the damage can be evaluated from the changes in the geometric properties and structural behaviors of the laminated composite plates resulting from the model updating process of the finite element model as a benchmark.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.317-318
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• 2008

Cu-Pc유기물 반도체를 얼 진공증착기술로 유리기판위에 40 nm 두께로 적층하였다. 상온에서 적층한 박막과 상온에서 적층한 후 $250^{\circ}C$ 이상의 온도로 후열 처리한 박막과 박막 적층 시 기판의 온도를 $250^{\circ}C$로 고정하여 적층한 박막들을 상호 비교 분석하였다. 적층된 Cu-Pc의 박막의 온도조건에 따라 X-ray diffraction(XRD)의 결정 특성이 $\alpha$-phase와 $\beta$-phase로 뚜렷이 구분되었으며， 자외선-가시광선 영역의 광 흡수도(UV-visible absorption spectra)와 field emission scanning electron microscopy(FE SEM)를 이용하여 결정성장 방향 및 표면 특성 변화를 비교조사하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.3 no.3
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• pp.275-279
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• 1994

Low Energy Electron Diffraction(LEED)와 Synchrotron Radiation Photoelectron Spe-ctroscopy (SRPES)를 이용하여 $Si(111)7{\times}7$ 표면위에 Mg의 흡착에 의한 초기계면과 실리사이드의 형성에 대하여 연구하였다. 기판온도를 상온으로 유지하는 경우 증착량의 증가에 따라 LEED pattern은 diffuse 7${\times}$7 diffuse 1${\times}$1, $2/3sqrt{3}{\times}2/3sqrt{3} R30^{\cdot}$ 구조로 변화하였다. $300^{\cdot}C$의 기판온도에서 관측되는 1${\times}$1 구조에 대한 surface sensitive Si 2p core level spectrum의 fitting 결과로부터 이 1${\times}$1구조는 적층성장한 Mg2Si 박막에 의한 구조임을 알수 있다. 그러나 이 1${\times}$1구조를 가진 Mg2Si 박막이 성장하지 못함을 예상할 수 있다. 그결과 Mg의 계속된 증착에도 불구하고 비정질의 Mgqkr막이 성장하였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.17 no.5
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• pp.13-20
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• 2004

1996년 GaN와 near band edge emission(NBE) 및 yellow deep-defect level emission의 발광 기구가 ZnO의 greene mission과 매우 유사하다는 점이 발견된 이 후［1,2］, II-VIZnO반도체에 대한 광학적 성질에 많은 관심이 집중되기 시작하였다. 1960년대 C. Klingshirin［3］에 의해 bulk ZnO의 exciton luminescence가 관측된 이래로, 1980년대 후반부터 적층 박막 성장 법들이 급속도로 발전을 하여 오고 1988 S. Bethke등이 CVD로 성장한 ZnO의 NBE emission에 관심을 갖기 시작하였고［4］, 1996년 2K에서 GaN, ZnO사이의 유사한 발광기구가 알려졌고［5］, 도호쿠 및 일본 공업대에서 ZnO의 적층 성장 및 상온에서 defect에 기인한 emission이 없는 깨끗한 PL 의 관측, 상온 lasing, 육방정계 결정 구조에서 비롯된 6-fold symmetry PL 등이 보고되기 시작하였다. ［6-8］ 2000년에 들어서면서 MgO와 CdO와의 solid solution에 의한 밴드갭을 2.6-4.2 eV 까지 조절하는 가능성이 보고되었고 이를 이용한 ZnO/MgZnO MQW 구조에 대한 연구도 병행되었다.(중략)

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.19 no.3
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• pp.217-223
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• 2010

We grew multi-stacked InAs/$In_{0.1}Ga_{0.9}As$ DWELL (dot-in-a-well) structure by metal organic chemical vapor deposition and investigated optical properties by photoluminescence and I-V characteristics by dark current measurement. When stacking InAs quantum dots (QDs) with same growth parameter, the size and density of QDs were changed, resulting in the bimodal emission peak. By decreasing the flow rate of TMIn, we achieved the uniform multi-stacked QD structure which had the single emission peak and high PL intensity. As the growth temperature of n-type GaAs top contact layer (TCL) is above $600^{\circ}C$, the PL intensity severely decreased and dark current level increased. At bias of 0.5 V, the activation energy for temperature dependence of dark current decreased from 106 meV to 48 meV with increasing the growth temperature of n-type GaAs TCL from 580 to $650^{\circ}C$. This suggest that the thermal escape of bounded electrons and non-radiative transition become dominant due to the thermal inter-diffusion at the interface between InAs QDs and $In_{0.1}Ga_{0.9}As$ well layer.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2001.11a
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• pp.185-188
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• 2001

본 연구는 알루미늄 기판 위에 징케이트 처리 시 생성되는 아연 입자들의 성장거동에 관하여 연구하였다. 알루미늄 기판 상에서 아연입자들은 기판 표면의 요철 꼭지점이나 모서리에서 먼저 생성되었고, (0001)면들이 적층되어 성장하였다. 또한 온도를 증가에 따른 성장속도를 증가시켜 징케이트 처리를 실시하였을 때 육방정계을 갖는 아연 입자의 경우 <1100> 결정방향으로 성장이 이루어져 불가사리 형태의 입자형태를 나타내었으며 초음파 교반에 의한 징케이트 처리를 하였을 경우 조밀하고 균일한 아연 막을 형성하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1997.07a
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• pp.42-42
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• 1997

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1996.02a
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• pp.49-50
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• 1996

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2005.08a
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• pp.80-80
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• 2005