This paper describes the design technology for a third generation thermal imaging system, which is more compact than before, using a $320\times240$ mid-IR focal plane detector. The third generation non-scanning thermal imaging system was constructed as a compact thermal imaging module as a reconnaissance, surveillance and navigation sensor for helicopter and infantry vehicles in the $1980's\sim1990's$ and now, we designed a new compact infrared camera and studied a new type of non-uniformity correction lens fer this camera.
한국기초과학지원연구원(www.kbsi.re.kr/upel) 초정밀가공팀(팀장.김건희)에서는 2005년부터 기존의 측정분석위주의 단순지원에서 국가적 수요에 대응하는 대형첨단연구장비의 국산화를 위한 기술개발에 역점을 두고 있다. 이를 위한 기반기술로써 초정밀 가공 및 측정 장비의 설치운영을 통한 첨단연구장비의 핵심부품을 개발하고 있다. 특히 천문관측용 적외선(IR) 광학계의 초정밀가공기술 개발을 통한 항공우주용광학계의 국산화 기술 향상에 기여하고 있다.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2000.08a
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pp.244-245
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2000
비선형광학 결정을 이용한 optical parametric generation(OPG)은 coherent tunable radiation을 얻는 방법으로 매우 효과적이다. Beta barium borate(BBO) 결정은 비선형성이 클 뿐만 아니라 광손상문턱이 높고 자외선에서부터 근 적외선영역까지(2 -0.2$mu extrm{m}$) 투명하여 optical parametric oscillation(OPO)이나 OPG/OPA(optical parametric generation/amplification)에 많이 활용되고 있다.[1-2] 분광학적 연구와 여러 가지 응용 측면에서 넓은 영역의 파장가변이 손쉽고 높은 에너지를 갖는 pico 초coherent source는 중요하며, 이는 결정의 비선형성을 이용하여 공진기를 구성하지 않고서도 OPG/OPA를 통하여 실현 가능하다. (중략)
In this paper, a tolerance allocation method using Monte-Carlo simulation with measured reflective eccentricity for high-sensitive IR optics is proposed. During optics fabrication and alignment, reflective eccentricity was measured using an optical centration measurement instrument. A Monte-Carlo simulation was performed using measured eccentricity data, and it gives statistical estimated performance of the optics after fabrication. The validity of the proposed tolerance allocation method was verified comparing the estimated MTF result with the measured MTF result of the fabricated optics.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2001.02a
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pp.82-83
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2001
카메라, 망원경 등의 일반 광학제품 뿐만 아니라 야시경, 열상장비 등의 적외선 결상장치, 수중이나 항공기에서 사용되는 첨단 광학기기들은 종류나 용도가 아주 다양하여 사용목적에 적합한 광학계를 설계하거나 새로운 광학계를 개발하기 위해서는 그 성능을 정확하게 평가하는 것이 매우 중요하다. 현재까지 많은 경우에 있어서 렌즈나 광학계는 다색광원(polychromatic illuminant)에서 사용되도록 설계되어 지고 있고 또한 광학계를 통해 맺혀지는 상도 색감각을 갖는 반응체(사람의 눈, 필름 등)에 의해 평가되어 진다. (중략)
Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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v.37
no.5
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pp.470-475
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2009
This paper is the study which is head tracker using pattern matching. Proposal algorithm obtains initial attitude of head tracker using pattern matching. Optical head tracker consists of infrared LEDs(features) which are attached helmet as pattern, stereo infrared cameras. Proposal algorithm analyzes patterns by error rate of feature distance and estimates feature characteristic number. Initial attitude of head tracker is obtained to compare map data and feature characteristic number.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1993.02a
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pp.84-86
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1993
전자빔증착기를 이용하여 적외선영역에서 직접천이형 에너지갭을 갖는 III-V족 2원화합물반도체인 InSb박막을 제작하여 전기-자기적 및 광학적 특성을 조사하였다. 증착된 박막의 X-선회절법으로 분석한 결과, 열처리온도 5$25^{\circ}C$, 열처리시간 30분 열처리한 박막에서 In2O3피크가 없어지고, InSb피크만 나타났으며, 이때의 격자상수 a0=6.49$\AA$이었다. 기판온도가 증가할수록 InSb박막의 결정화가 일어나 전자이동도는 증가하고 비저항은 감소하였다. 온도 100~300K, 자계 500~9000 gauss범위에서 van der ppauw법에 의한 홀효과를 측정한 결과 증착된 박막의 전도형은 n형이었고, 상온에서 캐리어농도는 2.5$\times$10-16cm-3이었으며, 캐리어농도는 2.83$\times$104$\textrm{cm}^2$/V-sec이었다. 적외선 분광기로 측정한 InSb박막의 광학적 에너지갭은 기판온도가 증가할수록 InSb의 에너지갭에 해당하는 값으로 이동하였으며, 기판온도 30$0^{\circ}C$, 열처리온도 5$25^{\circ}C$일 때 측정한 값은 0.173eV였다.
A procedure and method for the MDI(Minimum Detectable Irradiance) measurement of an infrared point source detection system is described in detail and its experimental result is analyzed. The proposed measurement method for MDI can be realized with a collimator in the laboratory environment. In addition, an estimation method of the maximum detection range of the infrared point source detection system is introduced and its performed result is shown.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.05a
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pp.477-480
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1999
III-V족 화합물 반도체인 p-CaP의 자연산화막윽 30% $H_2O$$_2$용액 내에서 화학적인 이온반응을 통한 전기분해의 원리를 이용한 양극산화방법으로 형성하여 그 성장률과 광학적성질을 조사하였다. GaP자연산화막의 형성은 산소의 확산과정으로 이루어지며, 양측산화 막의 두께는 산화시간과 인가전압에 대하 여 선형적으로 비례하여 증가하였다. 자연산화막의 표면은 전자현미경으로 산화막의 두게는 파장이 6328$\AA$인 Ellipsometer를 사용하여 측정하였다. 광학적 성질은 적외선 영역에서의 광흡수 특성은 퓨리에 적외선 분광기로 측정하였으며 XRD 로 전압과 시간에 따른 산화막에 조성과 결정면을 알아보았다. 산화막의 형성방법과 형성조건에 따른 GaP 자연산화막의 절연막으로 이용하여 산화막에 조성에 따른 MOS 다이오드로서의 이용 가능성을 조사하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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