• Journal of Navigation and Port Research
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• v.36 no.3
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• pp.157-162
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• 2012

A planing craft is designed specifically to achieve comparatively high speed on the surface of the water. The frictional resistance of planing craft can be reduced further by injecting air to the craft's bottom. In this paper, the resistance characteristics of high speed planing crafts with & without air injection at the bottom were compared by sea model-test method. As a result, we conformed that planing craft with air injection has much greater the effect of resistance reduction.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SC
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• v.49 no.3
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• pp.75-81
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• 2012

In this paper, an efficient means to estimate the dispersion characteristics of active FSS (or ESS) is presented. We numerically investigate the effective permittivity and the transmission coefficient of 2D metal-fiber composites using linear-lumped impedance loading. We modify the GEC method which is applied to 2D fiber composite material with arbitrary fiber orientation. We show that by varying the impedance value it is possible to control the resonance frequency of the array as well as the bandwidth.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.370.2-370.2
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• 2014

본 연구에서는 Bending 시간에 따른 Ti/Au의 전기적 특성 변화에 대한 실험을 진행하였다. 전기적 특성을 평가하기 위해 PET 기판 위에 Ti/Au을 Greek Bridge와 Line Bridge를 합친 Cross Bridge 형태로 증착하였고, Cross Bridge의 Line을 bending하여 시간 경과에 따른 정적인(static) bending 영향을 확인하였다. Bending은 0~100시간까지 진행하였고, Line의 width를 200, 400, 800, $1000{\mu}m$로 가변하여 시간에 따른 비저항의 변화를 측정하였다. 실험결과 Bending시간이 길어짐에 따라 비저항이 감소하였고, 일정시간에서 크게 감소하며, 그 이후에는 포화되는 경향을 보였다. 또한 Width가 증가함에 따라 비저항의 변화가 컸다. 800 um, $1000{\mu}m$에서는 bending 직후 비저항이 초기대비 약 90%까지 떨어졌으며 100시간 후에는 80%까지 감소하였다. 100시간 뒤 Width에 따라 초기대비 비저항이 78%~91%까지 감소하는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.185-185
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• 2013

최근 의료 영상 센서는 급속도로 발전을 이룩하여 미세 병변의 위치와 그 크기를 진단하는 데에 많은 이용이 되고 있다. 하지만 기존 flat panel형태의 의료영상 센서는 인체의 굴곡으로 인한 영상 왜곡으로 발전의 한계에 이르고 있는 실정이다. 이 영상 왜곡으로 인한 오진은 환자에게 불필요한 피폭, 수술적 요법, 약물치료 등 환자에게 치명적인 의료사고를 일으킬 수 있다. 이러한 한계를 극복하기 위하여 flexible substrate을 이용한 투명전극들이 의료영상 센서로서의 적용을 연구 되어 졌다. IZO, ITO, FTO 등의 투명전극들 중 Indium Tin Oxide(ITO)는 다른 전극에 비해 높은 투명도와 낮은 저항으로 인하여 다양한 부분에서 널리 이용 되고 있다. 그러나 ITO를 flexible substrate로 적용 시 불충분한 resistivity와 기계적 강도를 지니고 있으며, 유연성을 위해 전극 재료의 두께를 감소시키면 전도성의 문제를 일으키는 단점이 있는 것으로 알려져 있다. 이러한 문제점을 보완 및 해결하기 위하여 본 연구에서는 sputtering magnetron system를 이용하여 polyethylene terephthalate(PET) substrate 위에 ITO을 증착함으로써 전기적 특성을 알아보았다. PET 필름의 크기를 55 절단하였고 증착 온도는 고온에서 수축하는 PET 필름의 물성을 고려하여 $23^{\circ}C$로 설정 하였다. 가스의 분압 비를 Ar는 50ccm으로 고정하고 O2의 비율을 각각 0, 0.2, 0.4, 0.8, 1ccm으로 나눈 후, 비율에 따라 각각 30, 60, 90sec간 sputtering 증착을 하였다. 또한 각각 30, 60, 90sec간 sputtering 증착하여 O2 유량과 sputtering 증착 시간의 변화에 따른 ITO의 전도특성과 유연성에 대한 전도특성을 측정하였다. 유연성을 측정하기 위해선 bending 각도를 각각 $0^{\circ}$ $30^{\circ}$, $45^{\circ}$, $60^{\circ}$로 구부린 후, Two-point probe를 이용하여 변화된 저항을 통해 ITO의 전기적 성질의 변화를 측정 하였다. 측정결과 flexible ITO substrate의 전도특성은 sputtering 증착시간이 증가할수록 저항 값이 낮아지는 것을 확인하였지만, O2 유량이 증가 시 저항이 낮아지다가 다시 증가하는 결과를 알 수 있었다. 본 연구에서는 Ar:O2의 50:0.8의 조건에서 90sec동안 sputtering 증착한 ITO가 131 ${\Omega}/cm^2$의 저항 값이 측정 되었고 다른 조건에서는 164 ${\Omega}/cm^2$에서 4.7 $k{\Omega}/cm^2$까지 저항변화를 가져 Ar:O2의 50:0.8의 조건이 최적화에 좋은 조건이라 판단하였다. 또한 50:0.8의 조건의 ITO의 경우 bending test시에서도 131 ${\Omega}/cm^2$에서 316 ${\Omega}/cm^2$ 정도의 안정적인 저항변화를 가지는 반면 다른 조건에서는 128 ${\Omega}/cm^2$에서 6.63 $k{\Omega}/cm^2$까지의 변화를 나타나 기계적 형상변화에도 분압비가 영향을 주는 것을 확인 할 수 가 있었다. bending 각도에 따른 저항의 변화를 측정하였을 시, 각도 변화에 따라 중심부의 저항 값이 $60^{\circ}$에서 가장 높은 변화가 나타나 전기저항이 높아진 원인을 찾기 위해 Scanning Electron Microscope (SEM)촬영을 한 결과 저항값이 높아짐에 따라 ITO의 압축응력이 작용하는 부근에 Crack이 발생함을 알 수 있었다. 이러한 결과로 flexible ITO substrate의 Crack발생률을 최소화 시키고 bending시 전도성을 유지하기 위해서는 가스의 유량 최적화가 flexible substrate의 기계적형상변화에 대한 ITO의 내구성을 향상시킬 수 있는 해답이 될 것으로 사료된다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2009.12a
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• pp.1014-1017
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• 2009

본 논문에서는 저항성 초광대역 마이크로웨이브 센서의 설계이론과 구현 방법에 대해 설명하고, 시뮬레이션을 통하여 설계된 센서의 특성을 분석한다. 구현을 위하여 연속적인 저항 프로파일은 이산화되었으며 칩 저항을 이용하여 이산 저항을 실장한다. 시뮬레이션을 통해 칩 저항 8개로 약 8 GHz까지 연속적인 저항 프로파일과 유사한 성능을 보인다는 것을 보인다.

• Proceedings of the Korean Institute of Navigation and Port Research Conference
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• 2007.12a
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• pp.37-39
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• 2007

고속 활주형선의 선형시험 ${\cdot}$ 검증을 위하여 설 해상모형시험기법을 정립하였으며, 본 시험법을 이용하여 선미 보조동체 장착 유무에 따른 고속 Stepped Hull 선형의 횡동요 및 저항특성을 비교, 분석하였다.

• The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.14 no.2
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• pp.83-91
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• 2003

광대역 스펙트럼을 갖는 신호의 송, 수신을 위한 안테나는 분산 및 단부(end points)에서의 전류 반사가 최소로 되어야 한다. 이를 위해 안테나 상에 저항을 적절히 분포시키는 방법을 소개하고, 그 방법을 사용한 대표적인 펄스 송, 수신안테나의 특성을 살펴보고자 한다. 그리고 비선형적으로 분포된 저항을 갖는 다이폴 안테나의 ps 전자기 펄스 송, 수신 특성을 펄스폭, 안테나 길이와 형상 등을 변수로 하여 시간영역 해석을 통해 엄격히 분석한다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.30 no.4
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• pp.32-43
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• 2023

Resistive Random Access Memory (RRAM), based on resistive switching characteristics, is emerging as a next-generation memory device capable of efficiently processing large amounts of data through its fast operation speed, simple device structure, and high-density implementation. Interface type resistive switching offer the advantage of low operation currents without the need for a forming process. Especially, for RRAM devices based on transition metal oxides, various studies are underway to enhance the memory characteristics, including precise material composition control and improving the reliability and stability of the device. In this paper, we introduce various methods, such as doping of heterogeneous elements, formation of multilayer films, chemical composition adjustment, and surface treatment to prevent degradation of interface type resistive switching properties and enhance the device characteristics. Through these approaches, we propose the feasibility of implementing high-efficient next-generation non-volatile memory devices based on improved resistive switching properties.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.13 no.2 s.39
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• pp.15-19
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• 2006

The resistance switching characteristics of amorphous $SiO_2$ and poly-crystalline $TiO_2$ were investigated. Both films exhibit well defined switching characteristics with low and high resistance states. From I-V curve analyses, it was found that the low resistance states of both films obey an ohmic conduction mechanism and the high resistance states show generation of a Schottky potential barrier. Regarding the mechanism for resistance switching of the binary oxide, it is suggested that the generation and annihilation of potential barriers accounts for the changes to the high resistance state and low resistance state, respectively. The device operation characteristic parameters such as reset and set voltages of $TiO_2$ are distinctly smaller than those of $SiO_2$, indicating that the values are related to the dielectric constant.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2011.07a
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• pp.1724-1725
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• 2011

본 논문에서는 LED 패키지의 방열문제를 해결하기 위해 FR4 PCB에 Via-hole을 형성함으로써 열전달 능력을 향상시키고자 하였다. 또한 FR4 PCB의 면적과 Via-hole 크기 및 수량을 변화를 주어 그에 따른 K-factor를 측정 하였으며 열 저항 특성을 분석하였다. 결과로서, Via-hole을 형성한 FR4 PCB의 경우 초기 면적이 증가함에 따라 열 저항 및 접합온도가 급격히 감소하는 특성을 보였으며 200 [mm2]에서 안정화 되는 특성을 보였다. 또한 PCB 면적 및 Via-hole을 형성함에 따라 광 출력이 최대 17% 향상 되었다. 따라서 접합온도 및 열 저항에 있어서 PCB면적의 증가 및 Via-hole을 구성함에 있어 열전달 능력을 향상시킬 수 있음을 확인하였다.