• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제28권4호
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• pp.41-45
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• 2021

본 연구에서는 멤리스터 소자의 높은 신뢰성을 확보하기 위해 소자 제작 단계에서 30 nm 두께의 ZrO₂ 금속산화물 박막 위 국부영역에 리튬 filament seed 층을 패턴하여 작은 이온반경의 리튬이온을 저항변화 주체로 활용하는 멤리스터 소자를 구현하였다. 패턴 된 리튬 filament seed 대비 다양한 상부전극의 면적을 적용하여 멤리스터-커패시턴스 병렬 구조의 이온형 저항변화 소자에서 커패시턴스가 filament type 저항변화 특성에 미치는 영향을 조사하고자 하였다. 이를 위해 ZrO₂ 박막 위에 5 nm 두께, 5 ㎛ × 5 ㎛ 면적의 리튬 filament seed 증착 후 50 ㎛, 100 ㎛ 직경의 상부전극을 증착, 리튬 메탈의 확산을 위한 250℃ 열처리 전 후 샘플에서 저항변화 특성을 확인하였다. 열확산에 의해 형성된 전도성 filament의 경우 전압에 의한 제어가 불가함을 확인하였으며, 전압에 의해 형성된 filament만이 electrochemical migration에 의한 가역적 저항변화 특성 구현이 가능한 것을 확인하였다. 전압에 의한 filament 형성 시 병렬로 존재하는 커패시턴스의 크기가 filament의 형성 및 소실에 중요한 인자임을 확인하였다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제20권1호
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• pp.1-8
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• 2019

대부분의 회전자 저항 추정기는 표준모델(CQDM)과 대안모델(AQDM)을 활용한다. 두가지 모델에 기반한 회전자 저항 추정기들은 자속이 일정한 FOC와 같은 제어 환경에서는 정확한 회전자 저항 추정치를 제공하는 것으로 확인되었다. 반면, 단위전류당최대토크 (MTPA) 제어기와 같이 자속이 변화하는 동작환경에서는, AQDM에 기반한 회전자 저항 추정기가 다른 동작 운전점에서도 실제 회전자 저항을 정확하게 추정함을 보여주었다. 하지만, 자속이 변화하는 동작환경에서의 CQDM애 기반 회전자 저항 추정기의 성능은 검토된 적이 없으며 그의 성능은 의문이다. 따라서, 본 연구에서는 자속이 많이 변화하는 MTPA 제어기 기반 유도전동기 드라이브에서 CQDM에 기반한 회전자 저항 추정기의 성능을 검토하였으며 AQDM에 기반한 추정기와 비교하였다. AQDM에 기반한 추정기와는 달리, CQDM에 기반한 추정기는 실제 저항치보다 낮게 추정할 뿐만 아니라 여러 운전조건변화시마다 추정한 값에서 실제 존재할 수 없는 급격한 굴곡이 존재함을 실험 결과에서 확인하였다.

• 전자진흥
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• 제3권12호
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• pp.77-82
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• 1983

• Journal of Chest Surgery
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• 제34권2호
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• pp.111-117
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• 2001

배경: 심근 수축력과 더불어 전신저항은 개심술 후 적절한 심박출량을 유지하기 위한 매우 중요한 요인이다. 후부하의 변화를 비관혈적으로 평가할 수 있는지 알아 보고자 대동맥 혈류파형의 변화를 관찰하였다. 대상 및 방법: 개흉한 8마리의 잡견에서 연속파형 Doppler 심초음파를 이용하여 nitroprusside 단독 또는 epinephrine과의 병합투여 잔후로 상행 대동맥 혈류를 측정하였다. 결과: Nitroprusside의 투여로 동맥압과 전신저항은 약물의 투여량에 비례하여 감소함으로써(p<0.05 vs 기준치), 대동맥 혈류파형의 최고속도, 평균가속 및 분거리(속도시간적분$\times$심박동수)는 증가하였고, 가속시간은 짧아졌으며(p<0.05 vs 기준치), 가속시간/박출시간의 비는 변화가 없었다. Nitroprusside 투여로 인한 전신저항의 변화는 속도시간적분이나 Doppler 시간간격 지표보다는 최고속도(r=0.60, p=0.001)와 평균가속(r=0.52, p=0.003)과 상관관계가 있었다. Epinephrine과의 병합투여로 전신저항이 증가하지 않는 한 nitroprusside 단독투여에 비해서 최고속도, 평균가속 및 속도시간적분이 더 크게 증가했으나, 전신저항이 증가되면 이 Doppler 지표들은 감소하는 경향을 보였다. 결론: Doppler 심초음파를 이용하여 상행 대동맥 혈류파형의 최고속도와 평균가속을 연속적으로 측정함으로써 후부하의 변화를 비관혈적으로 평가할 수 있으리라 생각된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 전자세라믹 방전플라즈마 연구회
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• pp.197-200
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• 2001

반응성 스퍼터링법으로 TaN film을 증착한 후 열처리온도에 따라 TaN 박막의 $R_s$(sheet resistance) 특성을 평가하고 미세구조 변화에 따른 전기적 특성 변화를 고찰하였다. TaN 박막을 열처리한 결과 $400^{\circ}C$에서 $600^{\circ}C$까지는 (110)의 회절피크만 보이다가 $700^{\circ}C$ 에서는 (200)의 회절 피크가 나타났고 특히 as-deposition 상태와 $300^{\circ}C$ 열처리시에는 Ta와 TaN 상이 혼재한 상태로 나타났으며 전기저항 변화는 as-deposition 상태가 $140{\Omega}/{\square}$로 가장 높았으며 열처리 온도가 증가함에 따라 저항은 점차적으로 감소하다가 $600^{\circ}C$와 $700^{\circ}C$에서는 전기저항이 다시 증가하였다. $500^{\circ}C$까지는 표면 형상이나 표면조도보다는 열처리 온도의 증가에 따른 TaN 박막의 결정구조 변화가 전기저항에 영향을 주는 주 요인으로 작용하고, $600^{\circ}C$와 $700^{\circ}C$ 열처리시에 결정립의 증가에도 불구하고 전기저항이 증가하는 것은 고온 열처리에 의한 표면조도가 증가하였기 때문이라고 생각된다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2017년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.130-130
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• 2017

Au 합금 도금층은 내마모성 및 내식성이 우수하고 접촉저항이 낮기 때문에, 커넥터, 인쇄회로기판 등과 같은 전자부품의 접속단자부에 널리 적용되고 있다. 각 부품들을 효과적으로 전기적 신호를 통해 연결하기 위해서는 낮은 접촉저항이 요구되며, 이러한 Au 합금 도금층의 접촉저항은 합금 원소의 종류 및 함량, 용융 솔더와 전자부품을 고정시키는 표면실장공정에서 받는 theremal aging의 온도와 시간에 따라 변화된다. 현재 전자부품용 커넥터에 실시되고 있는 금 합금도금은 Au-0.3wt%Co합금, Au-0.2wt%Ni합금도금이 대부분 적용되고 있으며, 높은 순도(금 함유량 99.7wt%이상)로 인하여 금 사용량을 절감하기 어려운 실정이다. Sn은 Au와 높은 고용률을 갖는 합금을 형성하는 장점을 갖고 있기에 금 사용량 절감에 큰 기여를 할 수 있을 것으로 예상된다. 따라서 본 연구에서는 Sn을 합금 원소로 사용하여 높은 Sn함량을 갖는 Au 합금 도금층을 제작하고, 무연솔더의 융점보다 더 높은 온도인 533K에서 thermal aging을 실시하여, Sn함량별로 thermal aging에 따른 접촉저항과 솔더퍼짐성의 변화를 기존의 Co, Ni합금과 비교 조사하였다. 또한, 표면분석을 통하여 Au-Sn합금 도금층의 접촉저항이 변화하는 요인에 대해서도 고찰하였다. 표면적 $0.2dm^2$의 순수 동 시편 위에 약 $2{\mu}m$두께의 Ni도금을 실시한 후 Sn 함량을 다르게 준비한 도금 용액(Au 6g/L, Sn 1~8g/L)을 사용하여 Au-Sn합금 도금을 실시하였다. Au-Sn합금 도금층은 전류밀도 0.5ASD, 온도 $40^{\circ}C$에서 약 $0.1{\mu}m$두께가 되도록 도금하였으며, 두께는 형광X선 도금두께측정기로 측정하였다. 금 합금 도금층 내의 Sn함량은 Ti시편 위에 도금한 Au-Sn합금층을 왕수에 용해시킨 다음, ICP를 사용하여 분석하였다. Au-Sn합금 도금층의 접촉저항은 준비된 시편을 533K에서 1분 30초, 3분, 6분 간 열처리한 후, 5회 접촉저항을 측정하여 그 평균값으로 하중에 따른 금 합금 도금층의 접촉저항을 비교하였다. 솔더링성은 솔더볼을 합금 표면에 솔더페이스트를 이용하여 붙인 뒤 533K에서 30초간 열처리하고, 열처리 후 솔더볼의 높이 변화를 측정해 열처리 전 솔더볼의 높이에 비해 퍼진정도를 측정하였다. 또한, 도금층 내의 Sn함량에 따라서 접촉저항이 변화하는 요인을 분석하기 위해서 X선 광전자 분광기를 이용하여 도금층 표면의 정량 분석 및 화학적 결합상태를 분석하였다. ICP분석결과 Au-Sn합금층 내의 Sn함량은 도금용액의 조성별로 9~12wt% Sn 합금층이 형성된 것을 알 수 있었고 기존의 Au-Ni, Au-Co 합금층과 비교해 합금함량이 크게 증가된 것을 알 수 있었다. 또한 접촉저항 측정 결과, 기존의 Au-Ni, Au-Co합금층의 접촉저항과 비교했을 때 Au-Sn합금층의 접촉저항이 더 낮은 것을 알 수 있었다. 또한, 솔더퍼짐성 측정 결과 기존의 Au-Ni, Au-Co합금층과 비교해 솔더퍼짐성이 우수한 것을 확인할 수 있었다. 따라서 전자부품용 접점재료에 합금함량이 높은 Au-Sn합금층을 적용시키면 더 우수한 커넥터의 성능을 얻을 수 있을 뿐 아니라 경제적으로 큰 절약 효과를 기대할 수 있을 것으로 판단된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.115-115
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• 2007

PRAM (Phase Change Random Access Memory)은 상변화 물질의 비저항 차이를 이용한 메모리 소자로 차세대 비휘발성 메모리로 주목받고 있다. 현재 상변화 물질로 사용되고 있는 $Ge_2Sb_2Te_5$ 박막은 결정질 상태에서 저항이 낮아 RESET 동작에서 많은 전력이 소비되고 메모리의 고집적의 어려움이 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 상변화 물질의 개선과 소자 구조의 개선 등의 새로운 접근이 시도되고 있다. 본 연구에서는 $Ge_2Sb_2Te_5$ 박막의 전기적 특성을 개선하기 위해서 이종 원소인 질소를 첨가한 N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ 박막에 대한 특성을 살펴 보았다. $SiO_2$/Si 기판 위에 100 nm 두께의 박막을 D.C. magnetron sputter 방법으로 증착하여, 질소 분위기 $100^{\circ}C{\sim}300^{\circ}C$온도 구간에서 열처리하였다. 열처리에 따른 박막 특성을 관찰하기 위해 면저항 측정, XRD, TEM 분석을 통해 박막 특성을 관찰하였다. 면저항 측정과 XRD peak 분석을 통해 $Ge_2Sb_2Te_5$ 시스템에 비하여 N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ 시스템의 결정화 온도가 상승하였음을 확인하였다. 면저항은 첨가된 질소의 조성이 증가할수록 증가하였고, FCC 상에서 HCP 상으로의 상변화 온도 역시 증가하였다. 첨가된 질소가 $Ge_2Sb_2Te_5$, 박막의 결정 성장을 억제하였고, 상대적으로 높은 저항을 가지고 안정한 FCC상을 고온 열처리 이후에도 유지하였다. 질소 첨가를 이용한 상변화 물질의 열안정성 향상과 저소비전력 구동을 통해 향후 고집적 상변화 메모리에의 적용이 가능하다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.2055_2056
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• 2009

국가표준을 유지하기위한 표준기급의 교류저항은 상품화된 것이 외국에서 한 종류 있으나 고정된 기름 항온조에서 유지를 해야 하고, 정전차폐가 어렵고, 교류에서 측정단자의 호환성이 어렵고 가격도 대단히 비싸다. 또한 저항체가 지지대 역할을 하는 원형 보빈에 감겨져있는 선으로 구성되어서 국제비교시나 혹은 이동교정시에 기계적인 구조의 변화로 저항 값에 영향을 받기가 쉽다. 이러한 단점들을 극복한 교류저항 표준기가 개발이 되었다. 개발된 표준기는 저항체의 기계적 구조에 의한 변화를 막기 위해서 non-inductive 구조의 metal foil element로 제작된 것을 사용하였으며, 각각의 저항체에 개개의 항온조를 체택함으로서 온도의 안정성과 이동의 편리를 함께 만족되도록 하였다. 제작된 교류저항 표준기의 특성은 온도 안정도가 ${\pm}5$ mK/d, 저항값의 안정도가 ${\pm}0.01{\mu}{\Omega}/{\Omega}/d$, 1년간의 장기안정도가 $1{\mu}{\Omega}/{\Omega}$ 이하로 측정이 되었다. 개발된 교류저항 표준기는 교류저항분야 국가표준유지 및 소급에 사용이 된다.

• 한국자기학회지
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• 제16권6호
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• pp.271-275
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• 2006

Co/Pd 다층막을 이용한 수직자기터널접합에서 Co 전극 및 Co, Pd 다층막의 두께변화가 터널링 자기저항비에 미치는 영향에 대해 조사하였다. Co 전극의 경우 0.5nm 두께 부근에서 최대 자기저항비 값을 얻을 수 있었으며, 이는 터널배리어층 부근의 계면영역이 터널링 스핀분극에 주요한 역할을 하기 때문으로 보인다. 다층막내의 Co층의 두께가 증가함에 따라 자기저항비는 다소 복잡한 거동을 나타내었으며, 이는 Co층의 두께 증가에 따른 수직자기이방성의 변화와 계면거칠기 감소에 따른 접합저항의 감소가 복합적으로 작용하기 때문이다. Pd층의 경우 Co층과는 달리 자기저항변화(${\Delta}R$)감소가 자기저항비의 거동에 영향을 주었으며, 이는 비자성층인 Pd층의 증가에 따라 스핀산란이 증가하기 때문이다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제12권5호
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• pp.1-5
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• 1975

접합형 트린지스터와 발광다이오드(LED) 및 광도전소자(CdS)로서 구성된 광결합 전류안정부저항회로를 진안하였다. 이는 일반적으로 광트랜지스터보다도 더 예민한 것을 이용하여, CdS와 LED를 밀착 시켜서 LED에 흐르는 전류와 CdS의 실효저항변화로써 결합된 광결합방식을 택하였다. 트랜지스터의 콜랙터-에미터간에 인위적인 누변저항을 삽입하는 방법을 도입함으로써 부저항치 및 최대입력단자전압치를 임의로 변화할 수 있게 하였으며, 제안한 회로를 분석하고 또 이를 실험적으로 확인하였다. 누변저항을 1KΩ에서 30KΩ까지 변화시켰을 때 최대입력단자전압은 1.65V에서 4.22V로 변하였고, 부저항치는 -1.0KΩ에서 -10.0KΩ까지 변하였다. 또 실험치에 대한 계산치에의 상대백분최대오차가 11%이었다. A current stable negative resistance circuit has been constucted with combination of coulplementary symmetrical transistors, a light emitting diode and a photoconductive cell. The negative resistance(Rn) and break-over voltage(VBo) can be set at a designed value according to adjustment of the artificial leakage resistance of p-n-p transistor. The RN and VBo calculated in this designed circuit are checked though the experiments, the errors are found less than 11%.