• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.11a
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• pp.240-241
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• 2005

비 직선적 정(+) 저항온도계수 특성을 갖는 PTC thermistor는 전이온도(큐리점) 부근에서 온도변화에 대하여 극히 큰 저항 값의 변화를 나타내는 산화물계반도체 저항기(또는 발열체)로써, 일반적으로 반도체의 온도-저항 특성과 같이 상온영역에서 온도의 상승과 함께 부성저항 특성을 나타내다가 온도가 점점 증가하여 큐리점 부근에 도달하면 저항이 급격히 증가하는 독특한 특성을 갖는다. Perovskite 구조의 $BaTiO_3$를 주성분으로 미량의 Dopant를 첨가하여 도전성을 갖게 한 N형 반도체의 일종으로 저항-온도 특성 전류-전압 특성, 전류감쇄 특성 등을 이용하여 과전류 보호회로, 히터, TV 소자회로(degausser), 모터기동회로, 온도센서, 정온발열기기 등으로 널리 사용된다. 본 연구는 큐리점 부근의 급격한 저항변화 현상과 결정입계의 전위장벽 형성 및 그에 따른 정온발열 기능의 상관성으로부터 그 응용성을 조사하였다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.18 no.1
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• pp.28-31
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• 2008

We studied the effect of easy magnetization axis orientation with respect to the strip direction by measuring the magnetoresistance(MR), the magneto-optic Kerr effect(MOKE), and real-time domain evolution. The five strips were patterned on a single chip with the easy axis orientation of each strip relative to the longitudinal direction by around $0^{\circ}$, $18^{\circ}$, $36^{\circ}$, $54^{\circ}$ and $72^{\circ}$, respectively. The overall shape of field dependent MR was mostly governed by the anisotropy magnetoresistnace. The relative change of the longitudinal MR was significantly increased with increasing angle between the easy axis and strip direction, whereas, the transverse MR variation rate was decreased with increasing angle. Several MR steps were observed during the magnetization reversal, and the simultaneous measurement of the MOKE and the domain images identified that the MR steps were associated with evolution of the oppositely directed magnetic domain.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.206-206
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• 2010

정보화 기술이 급속히 발전함에 따라서 보다 많은 양의 data를 전송, 처리, 저장 하게 되면서 이를 처리 할 수 있는 대용량, 고속, 비휘발성의 차세대 메모리의 개발이 요구 되고 있다. 이 중 저항 변화 메모리(ReRAM)는 일반적으로 전이금속산화물을 이용한 MIM 구조로서 적당한 전기 신호를 가하면 저항이 높아서 전도되지 않는 상태(Off state)에서 저항이 낮아져 전도가 가능한 상태(On state)로 바뀌는 메모리 특성을 가진다. ReRAM은 비휘발성 메모리이며 종래의 비휘발성 기억소자인 Flash memory 보다 access time이 $10^5$배 이상 빠르며, 2~5V 이하의 낮은 전압에서 동작이 가능하다. 또한 구조가 간단하여 공정상의 결함을 현저히 줄일 수 있다는 점 등 많은 장점들이 있어서 Flash memory를 대체할 수 있는 유력한 후보로 여겨지고 있다. 저항 변화의 특징을 잘 나타내는 물질에는 $TiO_2$, $Al_2O_3$, $NiO_2$, $HfO_2$, $ZrO_2$등의 많은 전이금속산화물들이 있다. 본 연구에서는 Reactive DC-magnetron Sputtering 방법과 DC-magnetron sputter를 이용하여 Ti를 증착한 후 Oxidation 방법으로 각각 증착한 $TiO_2$박막을 사용하여 저항변화특성을 관찰하였다. $TiO_2$상부에 Atomic Layer Deposition (ALD)를 이용하여 $HfO_2$ 박막을 증착하여 표면처리를 하고, 또한 $TiO_2$에 다른 전이 금속박막 층을 추가 증착하여 저항변화 특성에 접합한 조건을 찾는 연구를 진행하였다. 하부 전극과 상부 전극 물질로는 Si 100 wafer 위에 Pt 또는 TiN을 사용하였다. 저항변화 특성을 평가하기 위해 Agilent E5270B를 이용하여 current-voltage (I-V)를 측정하였다. X-ray Diffraction (XRD)를 이용하여 증착 된 전기금속 박막 물질의 결정성을 관찰했으며, Atomic Force Microscopy (AFM)을 이용하여 증착 된 샘플의 표면을 관찰했다. SEM과 TEM을 통해서는 sample의 미세구조를 확인 하였다.

• Journal of the Korean GEO-environmental Society
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• v.13 no.10
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• pp.25-32
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• 2012

The application of electrical resistivity, which is related to charge mobility, has increased in the field of geotechnical engineering for the detection of underground cavern, faults and subsurface pollution level. The purpose of this study is to investigate the variation of electrical resistivity due to temperature change. Sand-silt mixture specimens prepared in the square freezing nylon cell are frozen in the frozen chamber. Four electrodes are attached on the four side walls of the freezing cell for the measurement of electrical resistance during temperature change. Electrical resistances of sand-silt mixtures with different degrees of saturation (0%, 2.5%, 5%, 10%, 20%, 40%, 60% and 100%) are measured as the temperature of specimens decrease from $20^{\circ}C$ to $-10^{\circ}C$. The electrical resistances determined by Ohm's law are transformed into the electrical resistivity by calibration. Experimental results show that the higher degree of saturation, the lower electrical resistivity at $20^{\circ}C$. Electrical resistivity gradually increases as the temperature decrease from $20^{\circ}C$ to $0^{\circ}C$. For the specimens with the degree of saturation of 15% or higer, electrical resistivity dramatically changes near the temperature of $0^{\circ}C$. In addition, very high electrical resistivity is observed regardless of the degree of saturation if the specimens are frozen. This study provides the fundamental information of electrical resistivity according to the soil freezing and temperature change demonstrates that electrical resistivity be a practical method for frozen soil investigation.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.12
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• pp.1058-1062
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• 1997

강유전체 전계효과를 관찰하기 위해 LaCoO$_{3}$/Pb(Zr, Ti)O$_{3}$(La, Sr)CoO$_{3}$ 다층구조를 LcOo$_{3}$가 기판 위에 pulsed laser deposition(PLD)법으로 에피택셜하게 성장시켰다. 이러한 다층구조에서는 전도성 채널층으로 Si대신 반도성 LaCoO$_{3}$가 사용 되었다. LaCoO$_{3}$(LCO)의 비저항은 산소 분위기에 의하여 변화되었는데 특히 증착시 산소 분위기에 의존함을 보였다. LCO의 비저항은 0.1-100Ωcm범위에서 변화되었다. LCO층에 유도되는 강유전체 전계효과는 Pb(Zr, Ti)O$_{3}$(PZT)의 분극 상태에 따른 LCO의 저항 변화를 측정함으로써 관찰되었는데 1020$\AA$ 두께를 가진 LCO층에서는 4%의 저항 변화를 얻었으며 680$\AA$의 LCO에서는 9%의 증가된 저항 변화를 얻었다. DC 바이어스(-5V)를 가한 후에는 저항 변화가 45%까지 증가하였다. 이러한 결과는 적당한 비저항을 갖는 LCO를 사용한 LCO/PZT/LSCO다층구조가 강유전체 전계효과 트랜지스터로 사용될 수 있다는 가능성을 제시하고 있다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.10b
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• pp.129-130
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• 2008

교감 신경계의 활성정도를 판별할 수 있는 지표로 피부저항(Galvanic skin resistance: GSR)이 있다. 교감신경이 흥분하면 땀이 분비되어 손가락의 피부저항이 감소하게 된다[1]. 전자기장에 민감한 사람(electromagnetic hypersensitivity: EHS)에게 전자기장을 노출시키면 전자기장을 잘 느끼지 못하는 일반인에 비해 교감신경이 많이 흥분하여 땀을 더 많이 분비할 것이라 생각하여 손가락 피부저항의 변화를 측정하여 전자기장에 민감한 사람과 일반인의 교감신경 활성정도의 차이를 알아보고자 하였다. 그러나 전자기장에 민감한지 민감하지 않은지를 판별하기 위한 인지 및 증상에 관한 설문에 의해서도 피부저항의 변화가 생길 수 있다. 따라서 본 연구에서 전자파에 민감한 사람과 일반인간의 언어자극에 의한 피부저항의 변화를 알아보고 전자기장 노출 실험에서 인지 설문이 전자기장 노출여부에 의한 피부저항의 변화에 영향을 주는지 주지 않는지를 알아보고자 한다. 피부저항 측정 결과 EHS와 일반인군 모두에게서 언어자극(인지 및 자각증상에 관한 설문)에 의해 피부저항이 감소되는 경향을 보였다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.8 no.3
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• pp.131-137
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• 1998

The thickness dependence of the microstructure and the giant magnetoresistance behavior of co-evaporated Co-Ag granular alloy films were investigated. The maximum magnetoresistance ratio of 24% was observed in the the as-deposited state of the 40 at. % Co alloy having 200 nm thickness. The surface scattering contributed about 20% to the total resistivity in the 20 nm thick films. The MR ratio dropped sharply when the film thickness was below 50 nm. The reduction in the Co particle size and the increase in solid solubility of Ag in fcc Co when the film thickness decreased were observed using a high resolution TEM. The aspect ratio of the Co particles was also affected by the film thickness. Those microstructural changes as well as the surface induced spin flipping play a significant role in the $\Delta$p change.

• Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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• 2019.05a
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• pp.291-291
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• 2019

하천에서 식생은 자연적으로 존재하는 수생식물의 집단을 의미하기도 하지만 자연 저항체로서 하천의 평균 흐름을 교란하고 변화시킨다. 식생의 성장은 흐름 저항을 발생시켜 일시적으로 수위유량관계의 전이(shift)를 유발한다. 이러한 수위-유량관계의 전이는 식생의 성장 및 전도와 소멸로 발생하는 식생의 구조변화에 따라 측정 단면에 대한 평균유속의 변화를 발생시킨다. 본 연구에서는 식생의 구조변화에 따른 평균유속 특성의 변화를 사례를 통해 살펴보았다. 고령군(귀원교) 지점은 하천 좌우안 식생의 흐름 저항을 받아 측정 평균유속의 영향을 받는 지점으로, 식생 변화에 대한 모니터링 결과를 토대로 수리특성을 분석하여, 식생의 활착 및 전도에 따른 평균유속의 변화를 분석하였다. 고령군(귀원교) 지점의 수위-평균유속 관계는 식생의 활착 또는 전도에 따라 서로 다른 형태의 고리형태(loop)를 보이는 것으로 확인되었다. 식생이 활착 후 전도되면서 측정된 유속성과는 수위하강시 유속이 증가하는 역 고리형태(loop)를 보이는 것으로 관찰되었다. 식생이 전도된 이후의 측정성과는 수위가 상승함에 따라 유속이 증가하는 정상적인 수위-유속의 고리형태(loop)를 보인다.

• Journal of the Korea Convergence Society
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• v.11 no.10
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• pp.1-7
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• 2020

The manufacturing process of the resistive variable memory device, which is the based of neuromorphic device, maintained the continuity of vacuum process and applied plasma module suitable for the production of the ReRAM(resistive random access memory) and process technology for the neuromorphic computing, which ensures high integrated and high reliability. The ReRAM device of the oxide thin-film applied to the plasma module was fabricated, and research to improve the properties of the device was conducted through various experiments through changes in materials and process methods. ReRAM device based on TiO₂/TiOx of oxide thin-film using plasma module was completed. Crystallinity measured by XRD rutile, HRS:LRS current value is 2.99 × 10³ ratio or higher, driving voltage was measured using a semiconductor parameter, and it was confirmed that it can be driven at low voltage of 0.3 V or less. It was possible to fabricate a neuromorphic ReRAM device using oxygen gas in a previously developed plasma module, and TiOx thin-films were deposited to confirm performance.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.2
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• pp.164-171
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• 1995

열처리에 따른 Cu 박막의 미세구조 및 전기 비저항의 변화를 조사하였다. Cu(hfac)(TMVS)를 원료로 하는 저압화학증착법에 의해 증착온도를 $160^{\circ}C$에서 $330^{\circ}C$까지 변화시키면서 TiN기판 위에 Cuqkr막을 제조하였고 $450^{\circ}C$에서 30분간 열처리하였다. 증착온도에 따라 표면이 평평한 Cu 박막을 형성하는 표면반응 제한지역과 표면이 거친 Cu 박막을 형성하는 물질전달제한지역이 관찰되었다. 열처리 후 Cu 박막은 전체적으로 표면이 평탄해졌고 결정립의 크기는 모든 증착온도에서 증가하였는데 그 편차 역시 증가하여 EM 저항성 측면에서는 큰 효과를 보이지 못할 것으로 판단된다. 비저항은 증착온도 $200^{\circ}C$에서 급격히 증가하였고 열처리 후에는 모든 증착온도에서 비저항이 감소하였는데 표면반응제한지역에서는 결정립 성장에 의한 약간의 비저항 감소를 보였으나 물질전달제한지역에서는 응집에 의해 Cu 결정립간의 전기적 연결상태가 향상되어 급격한 비저항 감소를 보였다.