• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.292.1-292.1
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• 2013

ZnO, Ga2O3, In2O3 등 산화물 반도체는 최근 디스플레이, 태양전지 등 전자산업에서 중요한 소재로 전 세계적으로 많이 연구되고 있다. 그 중에서도 ZnO는 나노와이어, 나노점 등 나노구조체 형태로 제조가 가능해 짐에 따라 센서 등의 반도체 소자로의 응용가능성이 매우 큰 것으로 알려져 있다. ZnO 나노와이어는 chemical vapor deposition법을 이용하여 $800^{\circ}C$이상의 고온에서 제조 가능하다고 알려져 있다. 또한 저온 증착법으로 수열합성법이 있는데, 이때에는 사용되는 화학물질, 성장온도 등 제조 조건에 따라 특성이 크게 달라진다. 본 연구에서는 수열합성법으로 제조한 ZnO 나노와이어의 성장온도에 따른 물성을 분석하였다. 특히 ZnO 나노와이어의 지름 및 길이 변화가 두드러지게 나타났다. 성장온도 변화에 따라 나노와이어의 지름이 30 nm부터 100 nm까지 변화하였으며, 이에 따른 광학적 특성 또한 변하였다. XRD, SEM, PL, Raman 분광법으로 측정한 결과를 발표할 예정이다.

• 한국식품영양과학회지
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• 제40권1호
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• pp.110-115
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• 2011

$65^{\circ}C$에서 30분간 저온살균법을 이용해 저장성이 증진된 절임배추에 Leu. citreum과 Lab. plantarum을 첨가한 스타터 김치를 제조하여 $5^{\circ}C$에서 4주간 발효시켰다. 발효 2주차에 일반김치의 pH가 4.29, 저온살균 한 절임배추로 제조한 김치가 pH 4.38로 발효 속도가 가장 늦었고 스타터 첨가 김치는 pH 4.28~4.31로 일반김치와 큰 차이가 없었다. 총 균수의 경우 일반김치에 비해 저온살균 한 김치에서 낮은 균수를 보였으며 총 Leuconostoc sp.와 Lactobacillus sp. 수의 경우 발효 3주째 저온살균 한 절임배추 김치에 비해 혼합균주를 첨가한 김치에서 높게 나타났으며 일반김치와 비슷한 균수를 관찰할 수 있었다. 관능검사에서 종합적인 만족도는 스타터 첨가 김치가 일반김치에 비해 높게 나타났으며 특히 혼합균을 첨가했을 때 높은 만족도를 보였다. 저온살균 한 절임 배추로 제조한 김치는 일반김치에 비해 DPPH 라디칼 소거능이 현저히 감소했지만, 이 절임배추에 스타터를 첨가한 김치는 일반김치와 유사하였다. in vitro 항암 효과를 각 군별로 비교하였을 때 Leu. citreum과 Lab. plantarum의 혼합균주 첨가 김치가 다른 군별 김치보다 유의적으로 높은 암세포 성장 저해 효과를 보였다(p<0.05). 혼합균주 첨가 김치의 암세포 성장 저해 효과는 91%를 나타냈으며, Leu. citreum을 첨가한 경우 89%, 일반김치의 경우 86%, Lab. plantarum을 첨가한 경우 80%, 저온살균 한 절임배추로 제조한 김치의 경우 73%의 결과를 보여, 혼합균주 첨가 김치의 암세포 성장 저해 효과가 가장 높았다. 저온살균 한 절임배추로 제조한 김치는 일반김치보다 기능성이 감소되지만 살균효과로 저장성은 증진되며 저온살균을 적용하되 스타터를 이용하면 그 기능성을 더 높게 조절할 수 있다. 특히 기능이 더 우수한 유산균을 사용한다면 품질과 기능성을 더 높일 가능성도 있다. 결국 이 경우 스타터로 사용하면 이화학적으로 일정한 품질의 김치를 생산할 수 있을 뿐더러 저장성 및 기능성의 증진을 기대할 수 있다.

• 한국결정성장학회지
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• 제30권5호
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• pp.200-207
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• 2020

SHS 법으로 MoSi₂ 분말, (Mo_1/2W_1/2)Si₂ 분말 및 WSi₂ 분말을 합성하고 이 분말들을 500℃, 1,000℃, 1,200℃, 1,300℃, 1,400℃, 1,500℃ 및 1,600℃에서 열처리한 다음, 결정구조 및 열중량 변화 등을 관찰하였다. Mo-W-Si계의 silicide 분말은 500℃의 저온에서도 산화 반응이 일어나며, 저온 산화 및 분해로 생성되는 결정상은 MoO₃이었다. 1,200℃ 이상에서 열처리를 한 경우에 분해반응으로 생성된 SiO₂의 결정상은 상온에서 흔히 관찰되는 α-quartz가 아닌 α-cristobalite 상으로 생성되었다. W이 포함되면 저온과 고온에서 분해 반응이 더 많이 일어나는 것으로 나타났으며, 분말을 성형하여 소결한 시편의 경우에 MoSi₂와 (Mo_1/2W_1/2)Si₂는 저온이나 고온에서 1시간 열처리를 하더라도 저온산화에 의한 분해와 그에 따른 질량 변화 반응을 관찰하기 어려웠지만 WSi₂는 저온 산화에 의하여 소결 자체가 어려웠다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.182-185
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• 2002

자기정렬구조의 실리콘-게르마늄 이종접합 트랜지스터에서 $f_{max}$를 높이기 위한 방안으로 베이스의 저항 값을 감소시키고자 외부 베이스에 실리콘 및 실리콘-게르마늄 박막을 저온에서 선택적으로 성장할 수 있는 방법을 연구하였다. RPCVD를 이용하여 $SiH_{2}Cl_{2}$과 $GeH_{4}$를 소스 가스로 하고 HCI을 첨가하여 선택성을 향상시킴으로써 $675\sim725^{\circ}C$의 저온에서도 실리콘 및 실리콘-게르마늄의 선택적 에피성장이 가능하였다. 고온 공정에 주로 이용되는 $SiH_{2}Cl_{2}$를 이용한 실리콘 증착은 $675^{\circ}C$에서 열분해가 잘 이루어지지 않고 HCl의 첨가에 의한 식각반응이 동시에 진행되어 실리콘 기판에서도 증착이 진행되지 않으나 $700^{\circ}C$ 이상에서는 HCI을 첨가한 경우에 한해서 선택성이 유지되면서 실리콘의 성장이 이루어졌다, 반면 실리콘-게르마늄막은 실리콘에 비해 열분해 온도가 낮고 GeO를 형성하여 잠입시간을 지연하는 효과가 있는 게르마늄의 특성으로 인해 선택성이나 증착속도 모두에서 유리하였으나 실리사이드 공정시에 표면으로 게르마늄이 석출되는 현상 등의 저항성분이 크게 작용하여 실리콘-게르마늄막 만으로는 외부 베이스에의 적용은 적절하지 않았다. 그러나 실리콘막을 실리콘-게르마늄막 위에 Cap 층으로 증착하거나 실리콘막 만으로 외부 베이스에 선택적으로 증착하여 베이스의 저항을 70% 가량 감소시킬 수 있었다.

• 한국가금학회지
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• 제17권2호
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• pp.115-122
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• 1990

닭고기를 $4^{\circ}C$에서 냉장 보관할 경우 7.5% Potassium sorbate와 1% ascorbic acid에의 침지 처리가 닭고기의 표면 미생물 및 관능적 품질에 미치는 영향을 검토한 결과는 다음과 같다. 1% ascorbic acid 처리육의 경우 저장 8일째 이취가 발생하였으며 12일째에는 부패가 일어났으므로 미생물적으로 대조구에 비해 큰 차이가 없었다. 7.5% potassium sorbate의 처리는 저장중 중온성균 및 저온성균의 억제효과가 있었으며 Enterobacteriaceae의 성장억제에 특히 커다란 효과가 인정되었다. 대장균군은 저장 전기간을 통해 거의 검출되지 않았으며 21일 저장 후에도 부패가 일어나지 않았다. 7.5% potassium sorbate와 1% ascorbic acid의 혼합처리는 중온성균과 저온성균의 성장 억제효과가 있었으며 특히 Enterobacteriaceae와 대장균군의 성장 억제효과가 크게 나타났다. 관능검사 결과 21일간의 전 저장기간을 통하여 부패가 일어나지 않았으며 potassium sorbate 단독처리에 비해ascorbic acid의 부가효과가 인정되었다. 결과적으로 닭고기를 $4^{\circ}C$에서 저장할 경우 ascorbic acid 단독처리에 의해서는 미생물 및 관능적 품질에 큰 영향을 미치지 못하였으나 potassium sorbate 단독처리 혹은 potassium sorbate와 ascorbic acid 혼합처리에 의해서는 미생물의 성장을 억제하였고 관능적으로도 21일 동안 부패 현상이 발생하지 많아 그 효과가 크게 인정되었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제29권2호
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• pp.73-79
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• 2022

본 연구에서는 최근 저온접합 소재로 각광받고 있는 Ga과 대표적인 전극 물질인 Cu와의 반응연구를 실시하여 저온 솔더링 적용시 필요한 정보들을 확인하고자 하였다. 80-200℃ 온도범위에서 Ga과 Cu/Au 기판을 반응시켜 계면반응 및 금속간화합물(IMC) 성장을 관찰하고 분석하였다. 반응계면에서 성장하는 주요한 IMC는 CuGa₂ 상이었으며 그 상부에는 작은 입자크기를 가지는 AuGa₂ IMC 그리고 하부에는 얇은 띠 형상의 Cu₉Ga₄ IMC가 형성되었다. CuGa₂ 입자들은 scallop 형상을 보이며 Cu₆Sn₅ 성장의 경우와 비슷하게 반응시간이 증가함에 따라서 큰 형상변화없이 입자 크기가 증가하였다. CuGa₂ 성장기구를 분석한 결과 120-200℃ 온도범위에서 시간지수는 약 3.0으로 산출되었고, 활성화에너지는 17.7 kJ/mol로 측정되었다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1994년도 추계 학술발표 강연 및 논문 개요집
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• pp.37-38
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• 1994

• 한국전자현미경학회:학술대회논문집
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• 한국현미경학회 1996년도 제27회 춘계학술대회
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• pp.72-74
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• 1996

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2007년도 춘계학술발표대회 및 제12회 신소재 심포지엄
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• pp.25.1-25.1
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• 2007

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제37회 하계학술대회 초록집
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• pp.170-170
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• 2009