BRANZFIRE 모델은 가연성 내장재의 화재위험성을 평가하는 존모델이다. 내장재의 화염확산에 따른 화재성장모델을 공간화재에 적용하는 다실형 존모델로서 특히 ISO 9705 시험화재 시나리오 적용에 매우 유용하다. 본 연구에서는 화재성장모델에서의 화원 및 공간특성 따른 열방출비율과 화염확산 예측 인자의 영향성을 분석하였다
최근 고도성장에 발맞추어 건축물의 에너지 효율등급 인증제를 실시하면서 외단열시스템(EIFS) 외장재 사용이 늘어나고 있으며, 건물의 외관상의 디자인을 중시하게 됨으로써 다양한 소재의 외장재를 적용하고 있다. 그러나 건축물의 내부 또는 외부에서 발생된 화재가 외장재를 통해 건물 전체로 확산되는 이른바 동시다발성 화재가 많이 발생하고 있다. 2010년 부산해운대의 고층건물에서 외장재를 통해 연소 확산된 화재가 발생하면서 건축물의 외장재의 관한 규제가 절실해졌다. 현재 국내 건축법과 소방법에는 내화구조 및 내장재에 관한 기준은 있지만 외장재에 관한 기준은 마련되어 있지 않다. 이에 현재 건축물 외장재의 법제화를 하기 위해서 많은 연구와 실험이 진행 중에 있다. 이런 노력에 앞서 현재 상용되는 외장재의 종류를 살펴보고 국내 건축물에 적용된 외장재에 대해서 알아보는 것이 이번 연구의 목적이다.
x- 0.51인 GaxIn1-x-P 에피층을 저압 MOCVD 성장법으로 TEGa(triethylgallium) TmIn(trimethylindium)등의 MO(metalorganic) 원료와 PH3(phosphine)를 사용하여 GaAs(100) 기판위에 성장하였다. 성장조건에 의한 표면 morphology 결정결함 성분비 PL spectra 운반자 농도와 이동도 및 DLTS spectra와 같은 성장층의 특성을 관찰하였다, $650^{\circ}C$의 성장온도와 V/III비, 즉 TEGa와 TMIn 두 원료의 유량에 대한 PH3 의유량변화에 아무런 영향을 받지 않음을 알 수 있었다. Ga0.51In0.49P에피층과 기판의 격자상수 차에 의한 격자 부정합 $\Delta$a /a0은 약 (3.7~8.9)x10-4 이었으며 실온과 5Kd서 에피층의 PL 피크 에너지는 각각 1.85eV와 1.9eV였다. 성장층의 운반자 농도와 이동도는 V/III 비에 따라 달라지 는데 그비가 120에서 220으로 증가함에 따라 농도는 1.8x1016cm-3에서 8.2x1016cm-3로 증가하였고 이동도 는 1010cm/V.sec에서 366cm/V.sec로 감소하였다.
본 연구는 성장 유도 인자가 포함된 여러 가지의 한약재의 조성물을 활용하여 성장기 흰쥐에서 골성장판 길이, 대퇴부 길이, 골밀도(Bone mineral density) 및 혈액분석을 통해 키 성장 효과를 검증하고자 한다. 먼저, 골성장판 길이 분석 결과, N군에 비해 PC군과 Gh-199군 및 Sh-188군의 골성장판 길이가 전반적으로 증가하였고, 특히 Gh-199군의 경우 PC군보다 더 우수한 골성장판 길이 성장률을 보였다. 대퇴부 길이 및 골밀도 경우 Gh-199군에서 보다 긍정적인 효과를 나타내었다. 반면에 황기분말을 급여한 PC군의 경우, Gh-199군 및 Sh-188군과 달리 높은 혈중 AST 및 ALT 수치를 나타내었다. 성장호르몬 인자 중 하나인 IGF-1의 결과, PC군과 Sh-188군은 비슷한 경향이었으며, Gh-199군에서 보다 증가한 것으로 나타났다. 따라서, 이상의 결과 골성장판, 대퇴부길이, 골밀도 및 혈액분석 결과 모두 Gh-199군에서 긍정적인 결과를 나타내어 본 실험에 사용한 한약재 조성물은 키 성장에 효과가 있을 것으로 기대된다.
실험실 규모의 배양기에서 곤충세포의 배양을 수행하였다. 회분식 배양에서의 곤충 세포의 성장은 serum의 농도, 다른 영양소, 초기 정종 농도, 기계적인 교반파 같은 변수에 의해 영향을 받는 것으로 나타났다. Lactate와 ammonium은 회분식 배양에서의 말기에 관찰되는 농도에서는 세포의 성장을 저해하는 원인은 아닌것 같았다. 또한. redox potential은 공충세포의 배양 용존산소를 측정할 수 있는 좋은 index 임을 알 수 있었다. 아울러 유전공학적으로 재조합된 baculovirus를 곤충세포에 감염시켜 재조합 단백질의 생산을 시도하였으며 dilution rate 가 $0.006\;hr^{-1}$일때 반응기당 최대 2800 units 의 beta-galactosidase 가 생산되었다.
III-nitride 게 물질들은 blue와 UV 영역의 LED, LD와 같은 광소자뿐만 아니라 HBT, FET와 같은 전자소자로도 널리 응용되고 있다. 이와 같은 물질을 이용한 소자를 제작할 경우 낮은 저항의 ohmic contact은 필수적이다. p-GaN의 ohmic contact은 아직까지 많은 문제점을 내포하고 있다. 그 중의 하나는 높은 doping 농도(>1018cm-3)의 p-GaN 박막을 성장하기가 어렵다는 것이며, 또 하나는 낮은 접촉 비저항을 얻기 위해선 7.5eV 이상의 큰 재가 function을 지닌 금속을 선택해야 한다. 그러나 5.5eV 이상의 재가 function을 갖는 금속은 존재하지 않는다. 위와 같은 문제점들은 p-GaN의 접촉 비저항이 10-2$\Omega$cm2이상의 높은 값을 갖게 만들고 있으며 이에 대한 해결방안으로는 고온의 열처리를 통하여 p-GaN와 금속사이에서 화학적 반응을 일으킴으로써 표면근처에서 캐리어농도를 증가시키고, 캐리어 수송의 형태가 tunneling 형태로 일어날 수 있도록 하는 tunneling current mechaism을 이용하는 것이다. 이에 본 연구에서는 MOCVD로 성장된 p-GaN 박막을 Mg의 activation을 증가시키기 위해 N2 분위기에서 4분간 80$0^{\circ}C$에서 RTA로 annealing을 하였으며, ohmic 접촉을 위한 금속으로 높은 재가 function과 좋은 adhesion 그리고 낮은 자체저항을 가지고 있는 Ni/ZSi/Ni/Au를 ohmic metal로 하여 contact한 후에 $700^{\circ}C$에서 1분간 rapid thermal annealing (RTA) 처리를 했다. contact resistance를 계산하기 위해 circular-TLM method를 이용하여 I-V 특성을 조사하였고, interface interaction을 알아보기 위해 SEM과 EDX, 그리고 XRD로 분석하였다. 또한 추가적으로 Si 계열의 compound metal인 PdSi와 PtSi에 대한 I-V 특성도 조사하여 비교하여 보았다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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