This study aims to understand the status of mandatory military service planning and career barrier recognition as well as to analyze the difference between how students perceive mandatory military service as a potential barrier to their future careers(career barrier recognition) and career preparation behavior by the mandatory military service planning level among male college students. For the purpose, inquiries for the subject were set up as follows. 1. What are the levels of mandatory military service planning and career barrier recognition? 2. Is there a difference in career barrier recognition depending on the level of mandatory military service planning? 3. Is there a difference in career preparation behaviour depending on the level of mandatory military service planning? This study found out the level of mandatory military service, military barrier recognition and career preparation behavior of 284 male students from 4 universities in Daejeon and Chungnam area. Along with that, descriptive statistic, correlation analysis and t-test were conducted with SPSS 17.0 program The results of this study are as follows: First, 79.2% of male students have higher mandatory military service planning than the average value. Meanwhile, considering 3 sub-factors of mandatory military service planning, the ratio of those with high scores in practicality is lower than importance and concreteness. Based on this, it is assumable that they have a low perception for practical and concrete behaviors such as data collection in mandatory military service planning, which indicates their awareness has not developed into concrete behaviors even though they recognize the importance of planning. Also 73.9% of male students responded higher career barrier recognition than the average value shows that they recognize mandatory military service as a barrier relatively highly. Especially, those who answered "Very much" (7 scores) for every inquiry in career barrier recognition accounted for 16.9%, which forms the biggest group. and considering the response by each inquiry, it is ascertained that they consider the absence by mandatory military service time or military service as the biggest difficulty. Second, the difference in career barrier recognition between the top 30% and bottom 30% of mandatory military service planning is not statistically significant. However, in terms of importance and the sub-factor of mandatory military service planning, a significant inter-group difference in career barrier recognition is shown. In other words, to join the military is recognized as an obstacle in their career barrier recognition regardless of the mandatory military service planning level. Also, a group which considers the importance of the mandatory military service planning highly recognizes the military as the bigger obstacle compared to the other groups which are not considered in this way. Third, the difference in career barrier recognition between the top 30% and the bottom 30% of the mandatory military service planning is statistically significant. The need of mandatory military service planning is marked by the fact that those with a high level of mandatory military service planning show stronger career barrier recognition than those without plans. Through the study, the need of mandatory military service planning is suggested to both male students and career consultants considering the mandatory military service from a perspective of career based on Korean reality. Also, as precedent studies on pre-inducted men can be hardly found currently, this study is significant in accumulating empirical data about mandatory military service, a unique characteristic of the Korean career development process.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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pp.284-284
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2012
본 연구에서는 다이오드 소자의 온도 증가에 따른 C-V 특성을 분석하였다. 180 kHz 주파수 조건에서 온도는 300 K에서 450 K까지 50 K 간격으로 가변하였다. 측정 결과 reverse bias 영역에서는 커패시턴스의 온도 의존성이 없었으나, forward bias 영역에서는 온도가 증가함에 따라 동일 전압에서의 커패시턴스가 증가하였다. 이로부터 온도가 증가 할수록 소자가 반전(inversion) 상태에서 축적(accumulation) 상태로 빨리 전환함을 확인하였으며, 1/C2-V 그래프로부터 온도 증가에 따른 전위장벽(Built-in potential, Vbi) 감소를 확인하였다. 전위장벽은 0.63 V에서 0.31 V로 온도 상승에 따라 약 0.1 V씩 감소하였다. 이는 energy band diagram에서 p-type 영역과 n-type 영역의 energy band 차가 감소해 공핍층 영역의 폭이 좁아짐을 의미한다. 공핍층의 두께 감소로 다이오드 전류의 급격한 증가뿐 아니라 위에서 언급한 바와 같은 C-V 특성을 보였다. 이번 연구에서는 기존의 보편화 된 I-V 측정을 통한 다이오드 소자 분석과는 달리 온도 변화에 따른 C-V 분석을 통해 소자 내부의 전위 장벽 및 공핍층 폭 감소에 따른 소자 특성 변화를 분석하였다.
본 논문에서는 MICROTEC〔3,4〕시뮬레이터를 이용하여 소트키 다이오드를 형성하고 금속-반도체 쇼트키 접촉에서 턴 온 전압과 항복 전압을 관찰하였다. 또한 여러 가지 쇼트키 장벽 높이를 가지는 금속을 사용하여 동일한 디바이스에서 이들 금속-반도체 접촉에 전압을 인가했을 때, 순 방향에서 턴 온 특성을 관찰하여 턴 온 전압과 역 방향에서의 항복 현상을 관찰하여 항복 전압을 확인하였다. 사용된 금속은 Au(0.8V), Mo(0.68V), Pt(0.9V), Ti(0.5V) 이며 반도체는 실리콘 n/n 구조가 형성되었다. 쇼트키 다이오드는 대 전력용 보다는 높은 속도의 스위칭 디바이스에 주로 응용되고 있으며 장벽의 높이가 높을수록 뚜렷한 정류 특성을 나타내어 순 방향 바이어스에서 빠른 턴 온 특성이 예상되는데 시뮬레이션 결과 또한 잘 일치하였다. 그리고 다이오드의 I-V 특성을 관찰하기 위해 역 방향 바이어스에서의 항복 전압을 관찰하였는데 쇼트키 장벽이 높을수록 낮은 항복 전압이 나타났다. 또한 디바이스 공정에서 epitaxial과 열처리 공정 후의 2차원적인 농도 분포를 나타내었다.
본 연구는 인터넷 쇼핑몰의 전환장벽(Switching Barrier)과 E-Quality, 상호작용성(Interactivity), 신뢰성 (Trust)을 중심으로 고객충성도에 영향을 미치는 요인을 밝히고자 하였다. 전체 100명의 표본을 PLS(Partial Least Square)를 사용하여 구조모형 분석을 실시하였으며, 분석한 결과, EQ, 상호작용성, 신뢰성이 가상관계에 유의한 영향을 주고 있으며, 가상관계, 전환비용, 대안의 매력이 쇼핑몰에 대한 충성도에 유의한 영향을 주는 것으로 나타났다.
상압에서의 유전장벽방전(DBD: Dielectric Barrier Discharing) 방법은 현재 높은 효율성과 공정의 편이성으로 인하여 높은 진공도를 요구하는 반도체 공정 단계 및 광원 또는 오존 발생 장치로 각광받고 있다. 하지만, 기존의 플라즈마 진단 방법 및 분석 방법을 통하여 특성 부하 목적으로 사용되는 유전장벽 방전의 특성을 파악하는 것은 한계가 있다. 본 논문은 오존 발생용 평판형 DBD 반응기 및 전원장치를 전기 모델링하여 평판형 DBD 반응기의 변화 및 전원 장치의 최적 조건을 판별하는 것을 목적으로 하고 있다.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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한국광학회 2000년도 제11회 정기총회 및 00년 동계학술발표회 논문집
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pp.248-249
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2000
파장분할다중 광통신시스템은 파장통과 대역폭이 좁으면서, 파장통과 대역을 넓게 가변시킬 수 있는 집적광학형 광여파기를 필요로 하고 있다. 지금까지 전기광학효과$^{(1)}$ , 스트레인광학효과$^{(2)}$ , 음향광학효과$^{(3)}$ 들을 이용하여 다양한 형태의 광여파기들이 연구되어져왔다. 특히 음향광학효과를 이용한 편광모드변환형 가변파장 광필터 (AOTF: Acousto-Optic Tunable Filter)는 150nm 이상의 넓은 파장가변 범위, 1nm이하의 좁은 파장대역폭, 수 $\mu\textrm{s}$ 정도의 비교적 빠른 스위칭 속도, 그리고 여러 파장 채널을 동시에 선택할 수 있는 특성들 때문에 많은 연구가 진행되어져 왔다. 본 논문에서는 음향파 장벽(acoustic barrier)를 이용하여 표면 음향파(SAW: Surface Acoustic Wave)의 RF 구동파워를 감소시킬 수 있는 구조의 AOTF를 제작하고, 측정 결과를 음향파 장벽을 이용하지 않은 AOTF의 측정 결과와 비교, 검토하였다. (중략)
O, Jeong-Eun;Park, Byeong-Gwon;Lee, Sang-Tae;Jeon, Seung-Gi;Kim, Mun-Deok;Kim, Song-Gang;U, Yong-Deuk
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.460-460
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2013
본 연구는 Si (111) 기판위에 Ga 분자선량을 변화시켜 GaN 박막을 molecular beam epitaxy 법으로 성장하고, Schottky 장벽 다이오드를 제작한 후에 deep level transient spectroscopy (DLTS) 법을 통하여 깊은 준위 결함에 대하여 조사하였다. 성장 시 Ga 분자선량은, 그리고 Torr로 달리하여 V/III 비율을 변화시켰고, Schottky 장벽 다이오드 제작을 위하여 e-beam evaporator를 사용하여 metal을 증착하였다. Schottky 접촉에는 Ni (20 nm)/Au (100 nm)를 증착하였고, ohmic 접촉에는 Ti (20 nm)/Au (100 nm)를 증착하고 I-V, C-V 그리고 DLTS를 측정하였다. DLTS 신호를 통해 GaN 박막 성장 과정에서 형성되는 깊은 결함의 종류를 확인하였으며, 열처리 등의 처리 및 측정 조건변화에 따른 결함의 거동과 종류 및 원인에 대하여 분석 설명하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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한국정보통신학회 2015년도 추계학술대회
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pp.863-865
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2015
본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널 내 도핑농도분포에 대한 드레인유도장벽감소(Drain Induced Barrier Lowering; DIBL)에 대하여 분석하고자한다. DIBL은 드레인 전압에 의하여 소스 측 전위장벽이 낮아지는 효과로서 중요한 단채널 효과이다. 이를 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였으며 전위분포에 영향을 미치는 채널도핑농도의 분포함수변화에 대하여 DIBL을 관찰하였다. 채널길이, 채널두께, 상하단 게이트 산화막 두께, 하단 게이트 전압 등을 파라미터로 하여 DIBL을 관찰하였다. 결과적으로 DIBL은 채널도핑농도분포함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 변화를 나타냈다. 특히 두 변수에 대한 DIBL의 변화는 최대채널도핑농도가 $10^{18}/cm^3$ 정도로 고도핑 되었을 경우 더욱 현저히 나타나고 있었다. 채널길이가 감소할수록 그리고 채널두께가 증가할수록 DIBL은 증가하였으며 하단 게이트 전압과 상하단 게이트 산화막 두께가 증가할수록 DIBL은 증가하였다.
본 연구는 펄스 정전 응력법을 이용하여 공간전하분포를 교류전압 하에서 측정을 하였다. 이와 동시에 교류 고전압에서의 방전발생과 방전패턴의 변화를 측정하고, 공간전하분포와 방전과의 상관관계를 분석하였다. 교류 전압에서의 공간전하는 교류 한 주기를 18$^{\circ}$ 간격으로 등분하여 각 위상에서 그 분포를 측정하였으며, 공간전하분포와 방전패턴 사이의 관계를 분석하였다 실험 결과 유전체 장벽 방전이 많이 일어나는 위상에서의 공간전하분포 역시 크게 변하는 것을 볼 수 있었다. 이러한 사실을 통해 공간전하분포 특성이 유전체 장벽 방전 특성의 연구에 있어서 중요한 부분임을 알 수 있다.
Proceedings of the Korean Society of Computer Information Conference
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한국컴퓨터정보학회 2019년도 제60차 하계학술대회논문집 27권2호
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pp.181-182
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2019
본 연구는 다문화청소년패널 6차년도 데이터를 활용하여 다문화청소년의 진로장벽과 사회적위축이 성취동기를 매개로 진로결정성에 어떠한 영향을 미치는가를 규명하고자 한다. 분석대상은 다문화청소년 1,283명이다. 주요 분석변수는 독립변수로 진로장벽, 사회적위축, 매개변수로 성취동기, 종속변수로 진로결정성을 분석할 것이다. 이러한 자료분석을 위해 SPSS 21.0을 사용할 것이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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