• 제목/요약/키워드: 장벽

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Ti/SiC(4H) 쇼트키 장벽 다이오드의 전기적 특성 (The electrical properties of a Ti/SiC(4H) sehottky diode)

  • 박국상;김정윤;이기암;장성주
    • 한국결정성장학회지
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    • 제7권3호
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    • pp.487-493
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    • 1997
  • SiC(4H) 결정에 Ti을 열증착하여 Ti/SiC(4H) 쇼트키(Schottky) 장벽 다이오드를 만들었다. SiC(4H)의 주개농도(donor concentration)는 전기용량-전압(C-V) 측정으로부터 $2.0{\times}10^{15}{\textrm}{cm}^{-3}$이었으며, 내부전위(built-in potential)는 0.65 V이었다. 전류-전압(I-V) 특성으로 부터 다이오드의 이상계수(ideally factor)는 1.07이었으며, 역방향 항복전장(breakdown field)은 약 $1.7{\times}10^3V/{\textrm}{cm}$이었다. 상온에서 $140^{\circ}C$까지 온도변화에 따라 측정된 포화전류로 부터 구한 전위장벽(potential barrier)은 0.91 V이었는데, 이는 C-V 특성으로 부터 구한 전위장벽과 거의 같았다.

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광고제도 변화가 방송 제작산업에 미친 영향 (Influence of the Change of Advertisement Policy in Broadcasting Industry)

  • 노동렬
    • 한국콘텐츠학회논문지
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    • 제15권7호
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    • pp.138-147
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    • 2015
  • 광고정책은 새로운 방송사업자가 등장할 때마다 광고 유형별 진입장벽을 만들어 안정적인 성장 기반을 제공하는 방식으로 변해왔다. 하지만 지속적인 광고시장 위축은 광고 유형별 진입장벽을 제거할 수밖에 없는 상황을 초래하고 있다. 광고 유형별 진입장벽 해체는 제작주체들로 하여금 광고 획득을 위한 과잉 경쟁 상황에 빠져들게 함으로써 제작비를 상승시키는 악순환 과정을 유발한다. 자유경쟁 시장 상황에서 발생하는 문제를 해결하는 방법은 냉혹한 시장 원리에 방송 제작산업을 개방해두는 것이다. 시장에 존재하는 제작주체들의 적절한 수를 결정하는 것은 시장 자체의 기능이다. 따라서 경쟁에서 도태되는 제작주체들은 시장에서 퇴출되는 체계를 구축해야 한다. 또한 궁극적으로 수신료 기반의 공영방송은 광고를 금지하는 방향의 정책적 대안 마련이 필요하다.

장벽이론과 인가조건 (THE Theory of Barriers and Licensing Condition)

  • 나병모
    • 인지과학
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    • 제2권1호
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    • pp.109-142
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    • 1990
  • Chomsky(1986b)가 제안한 장벽이론은 하위인접조건과 공범주원리를 장벽 이라는 하나의 개념으로 통합하려는 시도이다. 그럼에도 불구하고 그의 장벽 이론은 의도한 목적을 달성하지 못하고 있다. 본고는 공범주원리가 이접적으로 적용되도록 하고, 어휘지배를 핵인가조건으로 재정의하고, 선행어지배를 선행어 조건으로 대치함으로써, 후자가 하위인접조건과 선행어지배를 동시에 포괄할 수 있도록 하였다.이러한 시도는 의문사구 섭제약, 복합명사구제약, 주어조건, 부가어조건 등을 적적하게 설명해준다. 이러한 시도에 전제되는 것은 IP와 함께 VP가 의문사구이동에서 뿐만아니라 명사구이동에 있어서 예외적 범주로 취급되는 것을 막기 위해 Chomsk가 제안한 이동이론을 수정하여 통사부의 이동규칙은 부가를 허용하지 않는 것으로 보았다.

장루 용품의 피부장벽에 대한 용어 표준화 (Standardization of Vocabulary for Skin Barrier of Ostomy Aids)

  • 김윤미;정혜영;최형우;박상수
    • 재활복지공학회논문지
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    • 제10권1호
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    • pp.19-27
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    • 2016
  • 피부장벽은 장루 용품의 중요한 구성 요소로, 장루 주머니를 지지하고 장루 주변의 피부를 보호한다. 피부장벽은 분비물 및 배출물로부터 주변 피부를 보호하고 땀을 흡수하거나 투과시켜 피부의 생리학적인 건강을 유지시켜준다. 피부장벽에 관한 용어는 ISO 24214에 의해 표준화 되어 있으나, 국내에는 이와 관련된 표준화가 이루어지 않은 상태이다. 본 논문에서는 장루용품에 관한 학술자료 및 상용화된 제품의 자료를 조사하고, 사용경험이 있는 간호사와 간호학과 교수들에게 설문 조사를 실시하였다. 본 논문에서는 ISO 24214:2006에 사용되는 용어들에 대한 한글 표준 용어를 제안하고자 한다.

Si3N4장벽층을 이용한 경사형 모서리 접합의 터널링 자기저항 특성 (Tunneling Magnetoresistance of a Ramp-edge Type Junction With Si3N4 Barrier)

  • 김영일;황도근;이상석
    • 한국자기학회지
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    • 제12권6호
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    • pp.201-205
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    • 2002
  • 경사형 모서리접합을 이용한 터널링 자기저항(tunneling magnetoresistance; TMR) 특성을 연구하였다. 박막 증착과 식각은 스퍼터링과 사이크로트론 전자공명 (electron cyclotron resonance; ECR) 장치를 각각 사용하였다. Si$_3$N$_4$ 장벽층을 이용한 접합의 다층구조는 NiO(60)/Co(10)/NiO(60)/Si$_3$N$_4$(2-6)/NiFe(10) (nm)이었다. 상하부 반강자성체 NiO에 삽입된 wedged 형태의 고정층 Co와 장벽층 Si$_3$N$_4$위에 경사진 비대칭 구조에서 자유층 NiFe간의 접합에서 일어나는 특이한 스핀의존 터널링 현상이 관찰되었다. 외부자장이 0Oe일 때와 접합경계선에 수직방향으로 90Oe일 때 측정한 접합소자의 전류전압특성 곡선이 현저하게 구별되어 나타났다. TMR의 인가 전압의존성은 $\pm$10 V일 때도 약 -10%을 유지하는 매우 안정된 자기저항 특성을 보여주었다.

스마트폰의 사용 용이성과 유용성이 전환장벽과 고객충성도에 미치는 영향 (Effects of Ease of Use and Usefulness of Smart Phones on Switching Barrier, Customer Loyalty)

  • 이진춘
    • 한국산업정보학회논문지
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    • 제16권5호
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    • pp.115-126
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    • 2011
  • 본 연구는 한국이동통신시장에서 새로운 제품과 서비스인 스마트폰이 도입됨에 따라 용이성과 유용성이 전환장벽, 고객만족과 고객충성도에 미치는 영향을 분석하는데 초점을 두었다. 본 연구는 용이성을 외생변인으로 하고, 유용성, 전환장벽, 고객만족과 고객충성도를 내생변인으로 하여, 변인 간의 영향관계를 파악하는 구조방정식모형을 설계하였다. 본 연구에서는 기술수용 모형에서 유래한 용이성과 유용성을 도입하여 품질과 고객만족 관계를 연결하여 그 영향관계를 분석하였다.본 연구에서는 스마트폰의 사용 용이성과 유용성이 미치는 영향관계 경로를 6개 가설로 구축하여 검정하였다. 가설검정을 위해서 452명을 대상으로 설문조사를 실시하여 자료를 수집하였으며, AMOS19와 SPSS19를 이용하여 실증분석을 하였다. 검정결과는 다음과 같다. 첫째, 스마트폰 용이성과 유용성은 전환장벽에 유의한 영향을 미치고 있었다. 둘째, 용이성은 유용성에 유의한 영향을 미치고 있으며, 셋째, 유용성은 고객만족에 유의한 큰 영향을 주고 있었다.

물리적 환경에 대한 감정적 반응이 전환장벽과 충성도에 미치는 영향 (The Effect of Emotional Responses toward Physical Environment on Switching Barriers and Loyalty)

  • 김정희;이경자
    • 감성과학
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    • 제15권2호
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    • pp.209-222
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    • 2012
  • 본 연구는 쇼핑 환경을 구성하는 물리적 환경이 소비자의 감정적 반응 및 행동반응에 미치는 영향을 규명함으로써 고객의 심리 상태에 부합하는 매장 환경 연출을 위한 단서를 제공하기 위해 시도되었다. 이를 위해 연구가설을 도출하고 설문지에 의한 자료를 수집하여 구조방정식모형에 의해 실증분석하였다. 연구결과는 다음과 같이 요약된다. 첫째, 점포의 물리적 환경은 디자인 요인, 주변요인, 사회요인으로, 소비자의 물리적 환경에 대한 감정적 반응은 긍정적 감정과 부정적 감정으로 분류되는 다차원 개념이다. 둘째, 점포의 물리적 환경은 소비자의 긍정적 감정에 정(+)의 영향을 주었다. 셋째, 물리적 환경에 대한 긍정적 감정은 소비자의 전환장벽과 충성도 형성에 정(+)의 영향을 주었다. 넷째, 점포에 대한 전환장벽 형성은 고객 충성도에 정(+)의 영향을 주었다. 이와 같은 결과는 소비자에게 호의적으로 연출된 점포의 물리적 환경은 긍정적 감정을 유발하며, 이는 점포에 대한 전환장벽 및 충성도 형성에 중요한 요인으로 작용함을 시사한다.

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도서관 불안과 성격 유형의 상관관계 분석 연구 (A Study on Correlation Analysis between Library Anxiety and Personality Traits)

  • 오의경
    • 한국문헌정보학회지
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    • 제46권2호
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    • pp.199-217
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    • 2012
  • 본 연구는 도서관 불안과 성격 유형의 상관관계를 분석하였다. 49명의 대학 1학년생을 대상으로 도서관 불안(LAS)과 성격 유형(한국형 BFI)을 조사, 측정하였다. 도서관 불안은 2.57점이었고, 하위 영역별로는 기계적인 장벽, 정서적 장벽, 직원으로 인한 장벽, 도서관 지식에 대한 장벽, 도서관 안락함의 순으로 도서관 불안이 높았다. 성격 유형은 친화성이 3.65점으로 가장 높은 경향을 가지고 있었고, 다음으로 신경증, 외향성, 성실성, 개방성의 순서였다. 도서관 불안과 성격 유형의 상관관계 조사 결과, 신경증 성향이 높을수록 도서관 불안 수준도 높고, 특히, 도서관의 안락함 영역과 상관관계가 높은 것으로 나타났다. 개인성향이 도서관 불안에 영향을 미친다는 것을 알 수 있었고, 결과를 바탕으로 향후연구에서는 다른 개인성향 변인을 사용한 연구, 개인 맞춤형 도서관 불안 해소 프로그램 개발 연구, 도서관 불안의 측면 보다는 정보 불안의 측면에서 측정도구 개발 연구가 이루어져야 한다고 제언하였다.

아세톤에 의해 손상된 개 피부장벽 모델에서의 경표피수분소실도 및 각질층보습도 평가와 전자현미경적 관찰 (Transepidermal Water Loss, Stratum Corneum Hydration and Transmission Electron Microscope Observation on Acetone Damaged Canine Skin Barrier Model)

  • 오원석;박성준;오태호
    • 한국임상수의학회지
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    • 제27권2호
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    • pp.142-146
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    • 2010
  • 본 연구는 실험적으로 개의 피부장벽 손상 모델을 평가하기 위해 아세톤을 이용하여 개 피부장벽의 손상을 유도하고 손상의 정도를 경표피수분소실과 각질층보습도 수치를 측정하였다. 손상 후의 각질층세포간 지질구조는 전자현미경을 이용하여 평가하였다. 피부 및 임상병리학적 검사에서 건강한 2~4세령의 수컷 비글 개 6마리를 사용하였으며 아세톤에 의해 피부는 삭모 후 48시간후 에 손상되었다. 경표피수분소실도와 각질층보습도는 아세톤 손상전보다 손상후에 유의성 있게 저하되었다. 아세톤 손상표피의 전자현미경학적 평가에서는 손상된 각질세포간 비정상적이고 불완전한 지질층판이 관찰되었다. 본 연구를 통하여 아세톤을 이용한 개의 피부장벽손상은 개 아토피나 건성피부 연구를 위한 손상모델 가능성이 있는 것으로 판단된다.

열 산화공정을 이용하여 제작된 고전압 GaN 쇼트키 장벽 다이오드 (High-Voltage GaN Schottky Barrier Diode on Si Substrate Using Thermal Oxidation)

  • 하민우;노정현;최홍구;송홍주;이준호;김영실;한민구;한철구
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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    • pp.1418-1419
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    • 2011
  • 차세대 전력 반도체인 고전압 GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 역방향 특성을 개선하기 위해서 열 산화공정이 제안되었다. AlGaN/GaN 에피탁시 위에 쇼트키 장벽 다이오드 구조가 제작되었으며, 쇼트키 컨택은 증착 후 $450^{\circ}C$에서 산화되었다. 열 산화공정이 메사 측벽의 AlGaN 및 GaN 표면에 $AlO_x$$GaO_x$를 형성하여 표면으로 흐르는 누설전류를 억제한다. 표면 및 GaN 버퍼를 통한 누설전류는 열 산화 공정 이후 100 ${\mu}m$-너비당 51.3 nA에서 24.9 pA로 1/2000 배 수준으로 감소하였다. 표면 산화물 형성으로 인하여 생성된 Ga-vacancy와 Al-vacancy는 acceptor로 동작하여 surface band bending을 증가시켜 쇼트키 장벽 높이를 증가시킨다. 애노드-캐소드 간격이 5 ${\mu}m$인 제작된 소자는 0.99 eV의 높은 쇼트키 장벽 높이를 획득하여, -100 V에서 0.002 A/$cm^2$의 낮은 누설전류를 확보하였다. 애노드-캐소드 간격이 5에서 10, 20, 50 ${\mu}m$로 증가되면 소자의 항복전압은 348 V에서 396, 606, 941 V로 증가되었다. 열 산화공정은 전력용 GaN 전자소자의 누설전류감소와 항복전압 증가를 위한 후처리 공정으로 적합하다.

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