A study of the dependence of the magnetoresistance in $glass\[Cu_{x\AA}\NiFe_{50\AA}\Cu_{x\AA}\Co_{50\AA}](X;\=\;8,\;10,\;14,\;18,\;22,\;26,\;28,\;38,\;48,\;58\;\AA,\;N\;=\;2,\;3,\;4,\;10,\;20)$ multilayers prepared by dc magnetron sputtering on the interlayer thickness of Cu (X), the number of multylayer(N) and annealing temperature has been performed. Resistance measurement were made by four terminal method, and the magnetic field applied to perpendicular and parallel for the current. The maximum magnetoresistance(MR) ratio(%) was appeared in the vicinity of $10\;\AA$ in Cu layer, and it was oscillated with the thickness of Cu. The MR ratio was increased with the number of layers N, however the ratio for the N = 4 layers decreased rather than the N = 3 layers. The dependence of the ratio on the annealing temperature was increased to $250^{\circ}C$.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.81-81
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2012
XMCD (X-ray Magnetic Circular Dichroism)는 원형 편광 X-선의 helicity 방향이 시료의 자화 방향과 평행, 또는 반평행할 때 시료의 색이 바뀌는 현상, 즉 흡수율이 달라지는 현상이다. XMCD측정이 가지는 장점은 첫째, 이 실험이 특정 원소의 흡수선에서 이루어지기 때문에 시료 전체에서 특정 원소에 의한 자기적 성질을 분리해서 측정할 수 있을 뿐만 아니라, 같은 원소라 하더라도 다른 화학적 환경에 있는 원자들의 자기적 성질의 분리가 가능하다는 점이다. 이러한 성질로 인해 XMCD는 다른 원소들로 이루어진 다층 박막(GMR, TMR 등의 자기저항박막 구조물)의 층별 자기적 성질 연구 및 신자성물질의 자기적 성질의 고유성 연구에 많이 이용되었다. XMCD가 가지는 두 번째 장점은 sum rule을 통하여 자기 모멘트의 두 가지 성분인 궤도 모멘트(orbital moment)와 스핀 모멘트(spin moment)의 구별이 가능하다는 점이다. 이러한 장점은 수직자기 메모리 연구 및 스핀과 격자 간의 상호작용이 중요한 역할을 하는 다강체 등의 연구에 많이 이용되어 왔다. XMCD 측정이 또 다른 장점이 될 수 있는 것은 표면에 대단히 민감하다는 점이다. VSM, SQUID 등의 측정방법으로는 시료의 체적이 대단히 작은 수 ${\AA}$ 정도의 초박막에 대해서는 충분한 민감도를 가질 수 없다. 그러나, XMCD의 측정 깊이는 수십 ${\AA}$ 정도로 표면에 민감하기 때문에 이러한 초박막에 대해서도 충분한 민감도를 가질 수 있어서 SMOKE(Surface Magneto-Optical Kerr Effect)와 표면 자성연구에 있어서 독보적인 장치로 이용되어 왔다. 이러한 장점으로 인해 XMCD는 1990년대 이후 분광학적으로 활발히 이용되어 왔을 뿐만 아니라, 대단히 빠르고 신호가 큰 현상이기 때문에 최근 들어서는 자구(magnetic domain) 관찰 등을 목적으로 한 자기 현미경 및 자기현상의 동역학 연구에도 많이 응용되고 있다. 이 강연에서는 이러한 X-선 자기 원형 이색성 현상의 원리 및 실험 방법 등을 설명하겠다. 또한 몇 가지 X-선 자기 원형 이색성을 이용한 최근 몇 가지 연구도 소개하려 한다.
Magnetoresistance and Planar Hall effect of Glass/Ni$\sub$83/Fe$\sub$17/(2 nm)/[Cu(2 nm)Ni$\sub$83/Fe$\sub$17/(20 nm)]$\sub$50/ multilayer were measured. Repeated saw tooth like planar Hall effect signal was observed in the range of magnetization reversal process, while no sign of such saw tooth was observed in Magnetoresistance diagram. For the reason of saw tooth like signal, it is supposed that subsequent abrupt domain wall motion of each magnetic layer in the process of magnetization reversal process was observed in planar Hall effect in transverse direction to the current direction. This fine structure of planar Hall effect was observed for applied fields in any direction. Magnetoresistance curve did not show this fine structure of magnetization reversal, of course, since only net magnetization of each layer has to do with the resistivity. Extended research on the reason of this sawtooth like signal should be conducted.
V-I characteristics of Fe(100)/MgO(100)/Cu-phthalocyanine (CuPc)/Co hybrid magnetic tunnel junctions were investigated at different temperatures. Fe(100) and Co ferromagnetic layers were separated by an organic-inorganic hybrid barrier consisting of different thickness of CuPc thin film grown on a 2 nm thick epitaxial MgO(100) layer. As the CuPc thickness increases from 0 to 10 nm, a bistable switching behavior due to strong charging effects was observed, while a very large magenetoresistance was shown at 77 K for the junctions without the CuPc barrier. This switching behavior decreases with the increase in temperature, and finally disappears beyond 240 K. In this work, high-potential future applications of the MgO(100)/CuPc bilayer were discussed for hybrid spintronic devices as well as polymer random access memories (PoRAMs).
We investigated that the fabrication and reproducing signal characteristics of tri-layered magnetoresistance (MR) element for the high density magnetic thin film heads and sensors. Magnetoresistance curve of tri-layered MR element predicted by computer modeling was saturated above external field of -15 Oe~+22 Oe, and it was shifted to linearized region as large as 4 Oe. In the case of fabricated real device, magnetoresistance curve was saturated above external field of $\pm$15 Oe, and it was shifted to linearized region as large as 4 Oe. As shown in real device, MR response curve was in good agreement with the simulation results. As a result of experimental data of reproducing output signal in real device, it retained normal sinusoidal waveforms in 1~4 Oe external magnetic field. In this magnetic field region, the fabricated heads with tri-layered MR element can be operated with good reproduced characteristics. This will be beneficial to the use of efficient processes of manufacturing elements and the vacuum deposition techniques which control thin film properties.
Magnetite($Fe_3O_4$) is currently one of key materials for applications in magnetic storage and many bioinspired applications because bulk $Fe_3O_4$ has a high Curie temperature($Tc={\sim}850K$) and nearly full spin polarization at room temperature(RT). In this work, $Fe_3O_4$ nanoparticles with different sizes of 12 to 15 nm were prepared in a well-controlled manner by a nonhydrolytic synthetic method. Here, we report the significant intergrain magneto-resistance(MR) of ${\sim}2%$ at RT in $Fe_3O_4$ nanoparticle pellets. The tunneling conductance was also investigated based on the Brinkman model, as well. Our results show clearly that the surface or interfacial property of the particles plays a crucial role in the MR effect.
The $Al_{0.2}CoFe_{1.8}O_4$ ferrite films and powders were prepared by the sol-gel method. The crystallographic and magnetic properties of the samples were examined with annealing temperature by X-ray diffraction, $M\ddot{o}ssbauer$ spetroscopy and vibrating sample magnetometry. The powder samples showed the presence of spinel structure at annealing temperatures above 673 K, while the film samples indicated the spinel structure above 873 K, also the particle size increased with rising annealing temperatures. The $M\ddot{o}ssbauer$ spectra of $Al_{0.2}CoFe_{1.8}O_4$ powder annealed above 873 K could be fitted as the superposition of two Zeeman sextets due to ferrimagnetic phase. And the spectra of annealed at 673 K exhibited the superposition of ferrimanetic and paramagnetic phase and those of annealed at 473 K showed only a paramagnetic phase. The magnetic behaviour of powders appeared that the coercivity increased until annealed at 673 K but decreased above this temperature. The coercivity of the film samples decreased from 1.084 kOe at 873 K to 0.540 kOe at 1073 K with increasing annealing temperatures.
Park, H.D.;Lee, K.H.;Kim, G.H.;Jeung, W.Y.;Choi, D.H.;Lee, W.Y.
Journal of the Korean Electrochemical Society
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v.8
no.2
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pp.94-98
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2005
Coptp films with the additive elements (X=Fe, Mn) of varying concentrations were prepared by in-situ electrodeposition, to tailor their magnetic properties. Alloys of CoPtP-X (X=Fe, Mn) were synthesized by changing the solution concentrations of Fe and Mn for electrodeposition. In the electrodeposited CoFePtP alloys, preferred orientation of the electrodeposited films changed from hexagonal (001) to (100) direction with increasing iron contents as revealed by X-ray diffraction, and these films exhibited various magnetic properties ranging from a typical hard magnetic to a soft magnetic property in accordance with microstructural variations. In the case of Mn addition, excellent hard magnetic property was observed at a specific Mn concentration of 0.0126 M in the electrolyte, with the coercivity of 4630 Oe and squareness of 0.856 and this was attributed to the fact that magnetization easy-axis (hexagonal c-axis) coincides with the preferred growth orientation of the film confirmed by transmission electron microscopy.
$Mn_1-xCr_xPt_3$ alloy films have been prepared by depositing (Mn, Cr)/Pt multilayers using a rf magnetron sputterer followed by heat treatment. Small and wide angle x-ray diffractometry, magnetic hysteresis loops and Kerr rotation angle spectra of the films have been measured and used to investigate structural, magnetic and magneto-optic properties of the films. The films had a crystal structure of ordered AuCu$_3$ type and the strong preferred orientation of a (111)plane parallel to the film surface. The saturation magnetization of the films was decreased with Cr content reaching almost zero near x=0.58 and then increased for further increasement of Cr content up to x=0.77 over that stayed almost constant. This indicated that Cr atoms were antiferromagnetically coupled with Mn atoms. The magnetic easy axis of MnPt$_3$(x=0) film was parallel to the film surface but those of the films with x$\geq$0.58 increased as Cr content increased reaching about 4 kOe at x=1(CrPt$_3$). The dependence of the Kerr rotation angle on the Cr content was similar to that of the saturation magnetization on the Cr content. The films with x=0.77 and x=1 showed the larger Kerr rotation angle at the wavelengths of near infrared compared to the magneto-optic recording medium, TbFeCo, currently being used.
We have prepared magnetic thin films of FeSiB by sputtering and examined microstructure and magnetic properties of the annealed films in order to investigate the feasibility of the films to microsensor application. Effects of vacuum annealing on the magnetic properties of $Fe_{84}$$Si_{6}$$B_{10}$ films have been examined as a function of temperature. The heating rate and the holding time were 10 K/min and 1 hour, respectively. Vacuum condition was held during cooling to prevent oxidation of the films. The coercivity did not show any noticeable change (~1500 A/m), although the grain size of the crystalline phase in the annealed films increased gradually up to about 16 nm until 673 K. However, both the grain size and the coercivity increased steeply when the annealing temperature increased over 723 K. Since the saturation magnetization is closely related to the phase evolution, the variation of the saturation magnetization of the annealed films was similar to that of the ribbon materials; the thin films were transformed from amorphous to crystalline with $\alpha$-(Fe,Si) phase by increasing annealing temperature.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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