• 제목/요약/키워드: 자기 저항

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Cu/CO 다층 박막에서의 거대 자기 저항과 자기 비등방성 (Substrate-induced Magnetic Anisotropy and GMR Effects in Cu/Co Multilayers)

  • 박춘만
    • 한국자기학회지
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    • 제13권6호
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    • pp.243-245
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    • 2003
  • Si(001)기판 위에 길러진 거대 자기 저항을 가지는 Co/Cu 다층 자성 박막에서 관측된 특이한 GMR 효과를 기판과 박막사이의 경계면 효과를 도입한 간단한 모형으로 설명하였다. 이 모형과 실험으로부터 자기 상수들을 구하였으며, 얻어진 상수들을 다른 논문에서 보고되어진 값들과 비교하였다. 제시된 모형은 경계면에 의해 유도된 다수의 easy axes를 갖는 다른 GMR 물질에도 적용할 수 있으며, 이 모형을 이용하여 기판 물질과 기판의 평면을 적절히 선택함으로서 자기 저항을 조절할 수 있는 새로운 방법을 찾을 수 있다고 판단된다.

철을 미량 치환한 $La_{0. 67}Ba_{0.33}Mn_{1-x}^{57}Fe_xO_3$ (x=0.0, 0.005, 0.01)물질의 자기적 및 중성자 회절연구

  • 최강룡;안근영;심인보;김철성
    • 한국자기학회:학술대회 개요집
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    • 한국자기학회 2002년도 동계연구발표회 논문개요집
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    • pp.102-103
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    • 2002
  • LaMnO$_3$에 Ca을 치환한 Mn계 perovskite 구조(ABO3)의 물질에서 초거대자기저항 현상이 발견된 이후 R$_{1-x}$$^{3+}$ A$_{x}$$^{2+}$MnO$_3$(R=La, Nd, Pr: 희토류금속, A=Ca, Sr, Ba, Cd, Pb; 2가 양이온)계의 Mn 산화물의 연구가 고감도 자기 저항 센서와 자기기록 등의 활용가능성을 중심으로 활발히 진행되고 있다. 자기적 특성이 뛰어난 초거대자기저항물질에 대한 미시적인 자성에 대한 연구는 그 메커니즘이 복잡하고 다양한 접근방식에 따른다. (중략)

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NiFe/Co/Cu/Co 스핀밸브 자기저항 메모리 셀에서 형상자기이방성이 메모리 특성에 미치는 영향 (Effects of Shape Anisotropy on Memory Characteristics of NiFe/Co/Cu/Co Spin Valve Memory Cells)

  • 김형준;조권구;주승기
    • 한국자기학회지
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    • 제9권6호
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    • pp.301-305
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    • 1999
  • 보자력의 차이는 나타내는 NiFe(60$\AA$)/Co(5$\AA$) 두 자성층으로 구성된 NiFe(60$\AA$)/Co(5$\AA$)/Cu(40~60$\AA$)/Co(30$\AA$) 스핀밸브 박막을 일반적인 사진식각 공정을 사용하여 $\mu\textrm{m}$크기의 자기저항 메모리 셀로 패턴하고, 형상자기이방성이 자기저항 메모리 셀의 스위칭 특성에 미치는 영향에 대해 연구하였다. 자기저항 메모리 셀의 출력 및 스위칭 특성은 셀의 크기에 따라 1mA의 일정한 전류와 30 Oe 이내의 스위칭 자장에서 수 ~ 수십 mV의 출력 전압을 나타내었다. 특히, NiFe/Co/Cu/Co 스핀밸브 박막의 증착시 기판에 의해 유도된 결정성에 의한 일축자기이방성과 스핀밸브 박막을 직사각형 형태의 셀로 패턴할 때 부가되는 형상자기이방성의 크기 및 방향을 적절히 조절함으로써, 메모리 셀을 구성하는 NiFe/Co 층의 스위칭 자장을 약 1/3로 감소시킬 수 있었으며, 이는 자기저항 메모리 셀의 크기가 서브마이크론 범위로 감소될 때 발생하는 스위칭 자장의 증가 문제를 해결하는 데 도움이 될 것으로 사료된다.

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3층 자기저항소자의 제작 및 재생신호특성 (The Fabrication and Reproducing Signal Characteristics of Tri-layered Magnetoresistance Element)

  • 김용성;노재철;박현순;서수정;김기출;송용진
    • 한국자기학회지
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    • 제8권4호
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    • pp.231-240
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    • 1998
  • 고밀도 자성박막헤드 및 센서용 3층 자기저항소자의 제작 및 재생신호특성에 대해 연구하였다. 컴퓨터계산모형에 의해 설계된 3층 자기저항소자의 자기저항곡선은 외부자장 -15~+22 Oe 이상에서 포화되었으며, 이 곡선은 약 4 Oe 정도 선형화영역으로 이동되었다. 실제 제작된 소자에서 자기저항곡선은 외부자장 $\pm$15 Oe 이상에서 포화되었으며, tyjs형화 영역으로 4 Oe 만큼 이동되었다. 실제소자와 계산모형에서의 MR 반응곡선은 서로 잘 일치함을 보였다. 또한 실제소자에서 재생출력신호의 실험결과는 외부자장 $\pm$4 Oe 범위 내에서 정현파를 유지하였다. 이 자장 범위 내에서 3층 자기저항소자로 제작된 헤드는 양호한 재생출력특성을 나타낼 것으로 판단된다. 이는 박막물성을 제어하는 진공증착기술과 소자제작의 효율적인 제조공정으로 사용하는데 유익할 것이다.

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CoFe/Cu/NiFe Pseudo스핀밸브의 자기저항 특성 (The Giant Magnetoresistance Properties of CoFe/Cu/NiFe Pseudo Spin Valve)

  • 최원준;홍진표;김태송;김광윤
    • 한국자기학회지
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    • 제12권6호
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    • pp.212-217
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    • 2002
  • 비자성층을 사이에 둔 두 강자성층의 보자력 차이를 이용하여 거대자기저항특성을 나타내는 Ta/CoFe/Cu/NiFe/Ta 구조의 pseudo 스핀밸브를 DC 마그네트론 스퍼터링 방법으로 제조하였다. Ta/CoFe/Cu/NiFe/Ta 구조에서 CoFe층의 두께 변화에 따른 자화 특성 및 자기저항 특성을 조사하였으며, 이 구조에서 CoFe층의 두께가 60 $\AA$일 때 자기저항비는 3.82%이고 CoFe층과 NiFe층 사이의 보자력 차이는 27.4 Oe이다. Ta/CoFe/Cu/NiFe/Ta 구조를 갖는 pseudo 스핀밸브에서 CoFe층과 NiFe층의 보자력 차이는 CoFe층의 두께가 20 $\AA$에서 40 $\AA$까지 증가함에 따라 증가하였으며 40 $\AA$ 이상에서는 감소하였다. 이와 같은 결과는 박막의 결정성 및 포화 자기변형(λ$_{s}$)의 변화에 의한 것으로 판단된다. Cu층과 NiFe층 사이에 CoFe층을 삽입한 Ta/CoFe/Cu/NiFe/Ta 구조에서 삽입층인 CoFe층의 두께 변화에 따른 자화특성 및 자기저항 특성을 조사한 결과 CoFe두께가 10$\AA$시 자기저항비가 6.7 %이며. 삼층막 구조 보다 자기저항비가 약 1.5배 이상 증가함을 알 수 있었다.

Bi 첨가 란탄 망가나이트의 제조, 자기 및 자기저항 특성 (Fabrication, Magnetic and Magnetoresistive Properties of Bi-Doped Lanthanum Manganites)

  • 김덕실;조재경
    • 한국자기학회지
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    • 제9권5호
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    • pp.239-244
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    • 1999
  • 란탄 망가나이트에 Bi를 첨가한 벌크 시료(La0.67xBixCa0.33MnO3(x=0, 0.04, 0.1, 0.2)들을 세라믹스 제조공정을 이용하여 제조했다. 제조한 시료들의 결정성과 미세구조를 x-선 회절분석과 광현미경으로 조사하고, 자기 및 자기저항 특성을 100~300K의 온도 범위에서 0.4~0.5T의 자기장을 인가하여 진동시료형자력계와 van der Pauw법으로 조사했다. Bi를 소량(x=0.04, 0.1) 첨가한 시료의 경우 시료를 제조할 수 있었다. 또한 Bi를 소량 첨가하는 것에 의해 측정한 대부분의 온도에서 비저항이 감소하였고 자기저항비가 증가하였다. 아울러 실온에서 약한 자기장(0.4T)하에서도 큰 자기저항비(x=0.1의 경우 15%)를 나타냈다.

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자기기록 MR 헤드 용 다층박막의 자기저항에 미치는 잔류응력 효과 (The Effect of Residual Stress on Magnetoresistance in GMR Head Multilayers)

  • 황도근
    • 비파괴검사학회지
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    • 제23권4호
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    • pp.322-327
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    • 2003
  • 초고밀도 자기기록 reading head로 사용되고 있는 거대자기저항(GMR, Giant Magnetoresistance) NiO 다층박막을 제작하고 이를 공기중에서 80 일간 자연산화시킨후, 형성된 산화층과 잔류응력 변화에 따른 NiO 스핀밸브 박막의 자기저항 특성을 연구하였다. $NiO(60nm)/Ni_{81}Fe_{19}(5nm)/Co(0.7nm)/Cu(2nm)/Co(0.7nm)/Ni_{81}Fe_{19}(7nm)$의 구조를 갖는 다층박막을 공기중에서 약 80일간 자연산화 시켰을 때, 자기저항비(MR)와 교환결합력$(H_{ex})$이 각각 4.9%와 110 Oe에서 7.3%와 170 Oe로 증가하였다. 이때, 스핀밸브박막의 비저항(P) 값은 $28{\mu}{\Omega}m$로 감소하였지만 박막의 비저항 값의 변화량$({\Delta}p)$는 크기변화가 거의 없는 것을 알 수 있었다. 그러므로, 자기저항비의 증가는 aging시간에 따른 비저항 값의 감소에 기인한 것으로 생각되며, 저항의 감소는 표면산화에 따라 전도전자의 반사율증가에 의한 것으로 사료된다. 또한 교환결합력의 증가는 반강자성체/자성체 박막사이 계면에서 발생한 잔류응력이 aging시간이 경과함에 따라 감소하여 특성이 강화된 것으로 생각된다.

강자성체 박막(Co-Ni)의 자기-저항효과에 관한 연구(II) (Magnetoresistive Effect in Ferromagnetic Thin Films( II))

  • 장충근;유중렬;남선우;손대락
    • 센서학회지
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    • 제3권1호
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    • pp.68-77
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    • 1994
  • 강자성체 자기저항 센서를 개발하기 위하여 70Ni-30Co 합금을 $10^{-6}$ Torr의 진공중에서 $250^{\circ}C$ 의 슬라이드 그라스 위에 두께 $600{\AA}$ 으로 진공 증착한 후 박막을 격자형으로 식각하고 인출선을 연결하였다. 이와 같은 과정으로 제작된 센서의 자기저항 변화율에 미치는 온도, 저항, 선폭 등의 영향을 조사하고 보자력, 포화자화, 최대유효감도, 지연시간, 회전율, 백색잡음, 분해능 등을 조사 분석한 결과, (70Ni-30Co) 합금을 기판온도 $250^{\circ}C$ 에서 두께 $600{\AA}$ 으로 진공 증착하면 결정자기 이방성이 형성되어 자기저항 소자로써의 기능이 자발적으로 구비되면서 230 nT 의 최대유효감도가 구비됨을 확인하였다. ${\pm}10$ Oe 의 자장구간에서는 직선적인 자기저항변화를 보였으며, 센서소자를 형성하는 격자선의 폭에 대한 길이의 비가 클수록 자기저항 값이 증가함을 알 수 있었다. 한편 센서 소자와 인출선을 인듐으로 연결시키면 저항온도계수가 $8{\times}10^{-3}/deg$로 증가되어 센서 본연의 저항온도계수($1{\times}10^{4}/deg$)가 매우 심하게 열화된다는 것을 알 수 있었다. 이 실험에서 제작된 강자성박막(70Ni-30Co)의 특성은 보자력이 5.1 A/cm이고 포화자화가 0.64T 이었는데, 이 박막으로 제작한 자기저항 센서의 지연시간은 $5{\mu}s$이었고 회전율(slew rate)은 0.39 $Oe/{\mu}s$ 이었으며 백색잡음은 -120 dB 정도이었다.

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Top형 스핀밸브 구조의 Si 기판에서의 하지층 두께에 따른 자기저항 특성 연구 (Dependence of Magnetoresistance on the Underlayer Thickness for Top-type Spin Valve)

  • 고훈;김상윤;김수인;이창우;김지원;조순철
    • 한국자기학회지
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    • 제17권2호
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    • pp.95-98
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    • 2007
  • 본 연구에서는 하지층으로 사용한 Mo(MoN)의 두께 변화에 따른 스핀밸브 구조의 자기적 특성과 열처리 결과를 비교 검토하였다. 사용된 스핀밸브는 Si 기판/Mo(MoN)$(t{\AA})/NiFe(21{\AA})/CoFe(28{\AA})/Cu(22{\AA})/CoFe(18{\AA})/IrMn(65{\AA})/Ta(25{\AA})$ 구조이다. 또한 본 연구에서는 MoN 하지층을 Si 기판에 증착하여 열처리후 특성을 분석하였다. Mo 박막에 비해 MoN 박막의 질소량이 증가할수록 증착률은 감소하였고, 비저항은 증가하였다. MoN 하지층을 사용한 경우 Mo의 경우보다 하지층 두께 변화($51{\AA}$까지)에 따라 자기저항비와 교환결합력의 변화는 소폭이었다. Mo 하지층의 열처리 온도별 자기저항비는 열처리 전 상온에서 2.86% 이었고, $200^{\circ}C$ 열처리 때 2.91 %로 증가하였다. 이후 열처리 온도를 $300^{\circ}C$까지 증가시키면 자기저항비는 2.91 %에서 2.16%로 감소하였다. 질소 유입량이 1 sccm인 MoN의 열처리 온도별 자기저항비는 열처리 전 상온에서 5.27%, $200^{\circ}C$일때 5.56%증가하였다. 이후 열처리 온도를 $300^{\circ}C$까지 증가시키면 자기저항비는 5.56%에서 4.9%로 감소하였다.