• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.25 no.4
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• pp.117-122
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• 2015

The holes with a diameter of $35{\mu}m$ inside the GMR-SV (giant magnetoresistance-spin valve) film were patterned by using the photolithography process and ECR (electron cyclotron resonance) Ar-ion milling. From the magnetoresistance curves of the GMR-SV film with holes measuring by 4-electrode method, the MR (magnetoresistance ratio) and MS (magnetic sensitivity) are almost same as the values of initial states. On other side hand, the $H_{ex}$ (exchange bias coupling field) and $H_c$ (coercivity) dominantly increased from 120 Oe and 10 Oe to 190 Oe and 41 Oe as increment of the number of holes inside GMR-SV film respectively. These results were shown to be attributed to major effect of EMD (easy magnetic domian) having a region positioned between two holes perpendicular to the sensing current. On the basis of this study, the fabrication of GMR-SV applying to the hole formation improved the magnetoresistance properties having the thermal stability and durability of bio-device.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.07c
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• pp.1478-1480
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• 2003

본 논문에서는 PTC 서미스터를 이용해서 히터와 기판을 일체화한 가스센서용 자기발열기판을 개발하였다. $BaTiO_3$, $PbTiO_3$를 기초원료로 하여 $Nb_2O_5$를 첨가해 (Ba, Pb)$TiO_3$ PTC 소자를 제조한 결과 $Nb_2O_5$ 첨가량이 증가할수록 낮은 상온 비저항 값을 나타내었으며, 첨가량이 0.11mol.%${\sim}$0.13mol.% 범위일 때 가장 균일하고 치밀한 구조가 얻어짐을 알 수 있었다. 상온에서 비저항 값은 $1280^{\circ}C$에서 10분간 소결하였을 때 가장 작았고, 또한 $N_2$ 분위기에서 소결한 시료가 낮은 비저항 값을 나타내었다. 제작된 PTC 소자의 표면온도 측정결과, 단위면적($1mm^3$)당 소비전력은 약 $50^{\sim}60$ mW 정도로 되었으며, 이것은 기존의 가스센서에 사용되고 있는 히터와 비교해 1/3${\sim}$1/4배 정도 낮은 값이다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.15 no.2
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• pp.61-66
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• 2005

In order to make submicron cell for spin-injection device, lift-off method using Pt stencil and wet etching was chosen. This approach allows batch fabrication of stencil substrate with electron-beam lithography. It simplifies the process between magnetic film stack deposition and final device testing, thus enabling rapid turnaround in sample fabrication. Submicron junctions with size of $200nm{\times}300nm$ and $500nm{\times}500nm$ 500 nm and pseudo spin valve structure of $CoFe(30{\AA})/Cu(100{\AA})/CoFe(120{\AA}$) was deposited into the nanojunctions. MR ratio was 0.8 and $1.1{\%}$, respectively and spin transfer effect was confirmed with critical current of $7.65{\times}10^7A/cm^2$.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.11 no.5
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• pp.202-210
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• 2001

Spin dependent tunneling (SDT) junction devices of Ta/NiFe/Ta/NiFe/FeMn/NiFe/AlOx/CoFe/NiFe/Al with in-situ naturally oxidized Al barrier were fabricated using ion beam deposition and dc sputtering in UHV chamber of 10$^{-9}$ Torr. The maximum tunneling magnetoresistance (TMR) and the product resistance by junction (R$_{j}$ A) are 16-17% and 50-60 $\Omega$${\mu}{\textrm}{m}$$^2$, respectively. The values of TMR and (R$_{j}$ A) with field annealing were slightly increased. The TMR and (R$_{j}$ A) dependence versus the junction area size was observed. These results were explained by using sheet resistance effect of bottom electrode and spin channel effects.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.13 no.3
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• pp.103-108
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• 2003

A micromagnetic model and a Stoner-Wohlfarth model are used to analyze the effect of demagnetization field in patterned permalloy films. Permalloy films of 20 $\mu\textrm{m}$${\times}$(40 $\mu\textrm{m}$∼200 $\mu\textrm{m}$) are fabricated by DC magnetron sputtering and photo lithography. Measured magnetoresistance data of patterned permalloy films are compared with simulation results. The micromagnetic model gives a better agreement with the measured MR data than the Stoner-Wohlfarth model. Based on the simulation results, we propose a revised approximation formula for dernagnetization field in Stoner- Wohlfarth model for a few fm patterned magnetic films.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2002.12a
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• pp.106-107
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• 2002

상온 거대자기저항 물질로 많은 연구가 이루어지고 있는 double perovskite (A$_2$BB'O$_{6}$) 계 물질은 B-site의 전이금속 윈자 종류에 따라 다양한 특성이 나타나는 것으로 보고되고 있다$^{[1]-[4]}$ . 그 중 Sr$_2$FeMoO$_{6}$ 시료가 MR 특성 및 전자기적 특성이 가장 우수한 것으로 알려져 있으나, Figure 1에 보이는 것과 같이, Sr$_2$CrMoO$_{6}$ 시료가 가장 높은 전이온도를 갖음으로 훌륭한 소자로의 응용 가능성을 보이고 있다. (중략)

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2002.12a
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• pp.184-185
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• 2002

최신 강자성 메모리 공정과 실리콘 비메모리 공정에서 Co, Ni, Fe 등 천이금속 계열의 증착 조건이 소자의 특성 향상 및 신뢰성 향상을 위하여 중요성이 점점 중요해 지고 있다. 강자성 메모리(MRAM)의 출현과 함께 Co, Ni, Fe 등의 수십 $\AA$ 두께를 전체 기판에 대해 균일하게 증착할 요구가 생겼다. MRAM에 요구되는 자기저항특성은 이러한 박막의 수 $\AA$ 두께 변화에 급격히 변화할 수 있으므로[1,2] 원하는 두께로 균일하게 증착 할 수 있는 기술의 확보가 필요하다[3]. (중략)

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.19 no.1
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• pp.35-42
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• 2009

Among the next generation memory, MRAM (Magnetic Random Access Memory) is worthy of notice for substituting the preexisting memory thanks to its non-volatile property and other advantages. Recently perpendicular MRAM and spin transfer torque MRAM techniques are under active investigation to realize a high density and low power consumption. As a result, there are increasing of patents applications for high density, low current density for magnetization switching and high thermal stability. In this paper, we analyze the trend of patent applications and registrations about MRAM and propose a direction of future investigation.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.11a
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• pp.240-241
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• 2005

비 직선적 정(+) 저항온도계수 특성을 갖는 PTC thermistor는 전이온도(큐리점) 부근에서 온도변화에 대하여 극히 큰 저항 값의 변화를 나타내는 산화물계반도체 저항기(또는 발열체)로써, 일반적으로 반도체의 온도-저항 특성과 같이 상온영역에서 온도의 상승과 함께 부성저항 특성을 나타내다가 온도가 점점 증가하여 큐리점 부근에 도달하면 저항이 급격히 증가하는 독특한 특성을 갖는다. Perovskite 구조의 $BaTiO_3$를 주성분으로 미량의 Dopant를 첨가하여 도전성을 갖게 한 N형 반도체의 일종으로 저항-온도 특성 전류-전압 특성, 전류감쇄 특성 등을 이용하여 과전류 보호회로, 히터, TV 소자회로(degausser), 모터기동회로, 온도센서, 정온발열기기 등으로 널리 사용된다. 본 연구는 큐리점 부근의 급격한 저항변화 현상과 결정입계의 전위장벽 형성 및 그에 따른 정온발열 기능의 상관성으로부터 그 응용성을 조사하였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.11 no.11
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• pp.110-117
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• 1998

고온초전도체의 마이크로파 특성에 대한 이해는 고온초전도체를 이용한 고주파소자의 설계 및 제작된 소자의 특성을 이해하는데 있어서 매우 중요하다. 본문 중에는 고온초전도체의 고주파특성 중 초전도박막의 표면저향과 전자파침투깊이의 측정방법이 기술되었으며 지금까지의 연구결과 밝혀진 고온초전도박막의 표면저항의 온도 및 rf 자기장애의 의존성에 대한 내용이 기술되었다.