• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2000.05a
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• pp.112-113
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• 2000

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2016.11a
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• pp.82-82
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• 2016

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.11 no.10
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• pp.1986-1991
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• 2007

In this paper, we discussed, intelligent soft filter for MR(magnetoresistive) sensor. Most navigation systems today use some type of compass to determine heading direction. Using the earth's magnetic field, electronic compass based on MR(magnetoresistive) sensors can electrically resolve better then 0.1 degree rotation. Intelligent methode for soft building a one degree compass using MR(magnetoresistive) sensors will also be discussed. Compensation techniques are shown to correct for compass tilt angels and nearby ferrous material disturbances. we proved the fuzzy logic that based on the way the ham deals with inexact information is useful for MR sensors.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2002.12a
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• pp.154-155
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• 2002

스핀밸브형 GMR(Giant magnetoresistance) 소자는 낮은 자장범위에서 큰 자기저항변화가 생기는 높은 민감도의 소자로서, 고밀도 자기기록매체의 재생헤드 및 MRAM(Magnetoresistance Random Access Memory) 등의 실제 응용에 있어 큰 자기저항비와 열적 안정성을 가지는 재료들을 필요로 한다. NiO, a-$Fe_2O_3$, NiO/a-$Fe_2O_3$ 등과 같은 산화물의 경우, 높은 Tn(Neel temperature)을 가지므로 이를 이용한 Bottom형 스핀밸브에 대한 연구가 활발히 진행되어 왔다. (중략)

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.106-106
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• 2003

반도체 소자의 고집적화에 따라 채널길이와 배선선 폭은 점차 줄어들고, 이에 따라 단채널효과, 소스/드레인에서의 기생저항 증가 및 게이트에서의 RC 시간지연 증가 등의 문제가 야기되었다. 이를 해결하기 위하여 자기정렬 실리사이드화(SADS) 공정을 통해 TiSi2, CoSi2 같은 금속 실리사이드를 접촉 및 게이트 전극으로 사용하려는 노력이 진행되고 있다. 그런데 TiSi2는 면저항의 선폭의존성 때문에, 그리고 CoSi2는 실리사이드 형성시 과도한 Si소모로 인해 차세대 MOSFET소자에 적용하기에는 한계가 있다. 반면, NiSi는 이러한 문제점을 나타내지 않고 저온 공정이 가능한 재료이다. 그러나, NiSi는 실리사이드 형성시 NiSi/Si 계면의 산화와 거침성(roughness) 때문에 높은 누설 전류와 면저항값, 그리고 열적 불안정성을 나타낸다. 한편, 초고집적 소자의 배선재료로는 비저항이 낮고 electro- 및 stress-migration에 대한 저항성이 높은 Cu가 사용될 전망이다. 그러나, Cu는 Si, SiO2, 실리사이드로 확산·반응하여 소자의 열적, 전기적, 기계적 특성을 저하시킨다. 따라서 Cu를 배선재료로 사용하기 위해서는 확산방지막이 필요하며, 확산방지재료로는 Ti, TiN, Ta, TaN 등이 많이 연구되고 있다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.16 no.3
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• pp.186-191
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• 2006

Ferromagnetic amorphous $Ni_{16}Fe_{62}Si_8B_{14}$ and $Co_{70.5}Fe_{4.5}Si_{15}B_{10}$ layers have been devised and incorporated as free layers of magnetic tunnel junctions (MTJs) to improve MRAM reading and writing performance. The NiFeSiB and CoFeSiB single-layer film exhibited a lower saturation magnetization ($Ms=800emu/cm^3,\;and\;560emu/cm^3$, respectively) compared to that of a $Co_{90}Fe_{10}(Ms=1400emu/cm^3)$. Because amorphous ferromagnetic materials have lower Ms than crystalline ones, the MTJs incorporating amorphous ferromagnetic materials offer lower switching field ($H_{sw}$) values than that of the traditional CoFe-based MTJ. The double-barrier MTJ with an amorphous NiFeSiB free layer offered smooth surface resulting in low bias voltage dependence, and high $V_h\;and\;V_{bd}$ compared with the values of the traditional CoFe-based MTJ.

• Journal of Power System Engineering
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• v.3 no.1
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• pp.60-66
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• 1999

Most of the small-type fishing boats in this country don't have the autopilot system such as the large ships have. In this papers, we describes on the development of electro magnetic compass for the autopilot system of the small-type fishing boat, which is utilized the MR(magnetic resistance) device and the inclination sensor. And we investigated the validity of the developed electro magnetic compass through results of actual experiment.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.4 no.2
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• pp.160-171
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• 1989

초고속 고밀도 GaAs논리소자 제조에서 내열성게이트를 이용한 자기정렬형 MESFET 기술은 우수한 성과를 보이고 있다. 본 고에서는 GaAs 집적소자에 응용되는 여러가지 내열성재료들의 특징과 문제점을 파악하고 현재까지의 개발현황을 알아보았다. 현재 여러가지 저저항 텅스텐화합물이 집적소자제조에 성공적으로 이용되고 있다. 이들 내열성재료의 특성과 더불어 집적소자제조의 전후공정 및 소자구조는 최종적으로 얻어지는 소자특성을 좌우한다. 따라서 최근까지의 내열성게이트를 이용한 GaAs 공정기술의 개발과정을 정리하고 각 기술의 특징을 분석하였다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.21 no.1
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• pp.32-36
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• 2011

We fabricated a sensor for measuring the water level and water temperature using GMR-SV (giant magnetoresistance-spin valve) device, simultaneously. It could be applied to the medical cooling system of the potassium titanylphosphate KTP) laser system for the therapy of a benign prostatic hyperplasia. The middle point of GMR-SV device was set to the near position of a high magnetic sensitivity with 2.8%/Oe. The sensitivity for the water level and water temperature of the fabricated sensor were $400\;m{\Omega}/mm$ and $100\;m{\Omega}/^{\circ}C$, respectively.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.12 no.5
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• pp.168-173
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• 2002

Electrostatic discharge characteristics were studied by connecting human body model (HBM) with tunneling magnetoresistance (TMR) device in this research. TMR samples were converted into electrical equivalent circuit with HBM and it was simulated utilizing PSPICE. Discharge characteristics were observed by changing the component values of the junction model in this equivalent circuit. The results show that resistance and capacitance of the TMR junction were determinative components that dominate the sensitivity of the electrostatic discharge(ESD). Reducing the resistance oi the junction area and lead line is more profitable to increase the recording density rather than increasing the capacitance to improve the endurance for ESD events. Endurance at DC state was performed by checking breakdown and failure voltages for applied DC voltage. HBM voltage that a TMR device could endure was estimated when the DC failure voltage was regarded as the HBM failure voltage.