• 제목/요약/키워드: 입자침착

검색결과 81건 처리시간 0.02초

수직 웨이퍼상의 입자 침착속도의 측정 (Measurement of Particle Deposition Velocity Toward a Vertical Wafer Surface)

  • 배귀남;이춘식;박승오;안강호
    • 설비공학논문집
    • /
    • 제7권3호
    • /
    • pp.521-527
    • /
    • 1995
  • The average particle deposition velocity toward a vertical wafer surface in a vertical airflow chamber was measured by a wafer surface scanner(PMS Model SAS-3600). Polystyrene latex(PSL) spheres with diameters between 0.3 and $0.8{\mu}m$ were used. To examine the effect of the airflow velocity on the deposition velocity, experiments were conducted for three vertical airflow velocities ; 20, 30, 50cm/s. Experimental data of particle deposition velocity were compared with those given by prediction model suggested by Liu and Ahn(1987).

  • PDF

강수에 의한 주요 대기오염물질의 세정제거효율에 관한 연구 (A Study on Wash-out Removal Efficiency of Major Air Pollutants by Precipitation)

  • 임득용;허정숙;김동술
    • 한국대기환경학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국대기환경학회 2000년도 추계학술대회 논문집
    • /
    • pp.145-146
    • /
    • 2000
  • 도시와 산업의 발달 및 인구증가로 인하여 다양한 종류의 대기오염물질이 대기 중으로 대량 배출되고 있다. 대기 중의 입자상 및 가스상 오염물질들은 강수, 안개 및 응축 등에 의한 습식침착(wet deposition)과 강수의 영향없이 진행되는 중력침강, 확산, 관성충돌 등에 의한 건식침착(dry deposition) 의 과정에 의해 대기 중에서 제거된다(Legge and Krupa, 1990). 일반적으로 습식침착은 구름 내에서 응핵(nuclei)으로 작용하여 오염물질이 제거되는 rain-out 과정과 비 또는 눈 등의 강하시 충돌, 간섭, 흡수 및 흡착과정에 의해 제거되는 세정과정(wash-out)으로 분류될 수 있다. (중략)

  • PDF

웨이퍼 표면상의 입자침착에 관한 수치 시뮬레이션 (Numerical Simulation of Particle Deposition on a Wafer Surface)

  • 명현국;박은성
    • 대한기계학회논문집
    • /
    • 제17권9호
    • /
    • pp.2315-2328
    • /
    • 1993
  • The turbulence effect of particle deposition on a horizontal free-standing wafer in a vertical flow has been studied numerically by using the low-Reynolds-number k-.epsilon. turbulence model. For both the upper and lower surfaces of the wafer, predictions are made of the averaged particle deposition velocity and its radial distribution. Thus, it is now possible to obtain local information about the particle deposition on a free-standing wafer. The present result indicates that the particle deposition velocity on the lower surface of wafer is comparable to that on the upper one in the diffusion controlled deposition region in which the particle sizes are smaller than $0.1{\mu}m$. And it is found in this region that, compared to the laminar flow case, the averaged deposition velocity under the turbulent flow is about two times higher, and also that the local deposition velocity at the center of wafer is high equivalent to that the wafer edge.

진공환경에서 수평 웨이퍼 표면으로의 입자침착 해석 (Analysis on Particle Deposition onto a Horizontal Semiconductor Wafer at Vacuum Environment)

  • 유경훈
    • 대한기계학회논문집B
    • /
    • 제26권12호
    • /
    • pp.1715-1721
    • /
    • 2002
  • Numerical analysis was conducted to characterize the gas flow field and particle deposition on a horizontal freestanding semiconductor wafer under the laminar flow field at vacuum environment. In order to calculate the properties of gas, the gas was assumed to obey the ideal gas law. The particle transport mechanisms considered were convection, Brownian diffusion and gravitational settling. The averaged particle deposition velocities and their radial distributions fnr the upper surface of the wafer were calculated from the particle concentration equation in an Eulerian frame of reference for system pressures of 1 mbar~1 atm and particle sizes of 2nm~10$^4$ nm(10 ${\mu}{\textrm}{m}$). It was observed that as the system pressure decreases, the boundary layer of gas flow becomes thicker and the deposition velocities are increased over the whole range of particle size. One thing to be noted here is that the deposition velocities are increased in the diffusion dominant particle size range with decreasing system pressure, whereas the thickness of the boundary layer is larger. This contradiction is attributed to the increase of particle mechanical mobility and the consequent increase of Brownian diffusion with decreasing the system pressure. The present numerical results showed good agreement with the results of the approximate model and the available experimental data.

자동차 실내공기 정화용 Cabin Air Filter의 압력손실 특성에 관한 연구 (A Study on Pressure Drop Characteristics of Automotive Cabin Air Filters)

  • 박현설;박영옥;이규원
    • 한국대기환경학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국대기환경학회 2000년도 춘계학술대회 논문집
    • /
    • pp.229-230
    • /
    • 2000
  • 자동차 보유대수의 증가와 더불어 열악해진 도로환경으로 인해 자동차를 이용하는 운전자와 승객의 보다 쾌적한 자동차 실내 환경에 대한 요구가 점점 증가하고 있다. 도로 주행시 자동차내로 유입되는 공기 중에는 도로먼지, 석면입자, 박테리아, 꽃가루 등의 다양한 악성 미립자상 물질과 오존, 벤젠, 톨루엔, 포름알데히드, 암모니아, NOx, SOx 둥의 유해 기체상 물질이 다량 함유되어 있다. 특히 미세 입자의 크기는 대부분이 5.0 $\mu\textrm{m}$로 미세하여 인간의 상부 호흡기관인 코에서 폐포까지 깊숙이 침착되는 것으로 보고되고 있다. (중략)

  • PDF

산업용 여과포집진장치의 운전 및 성능 (Operation and Performance of Industrial Bag Filter Apparatus)

  • 박영옥
    • 멤브레인
    • /
    • 제5권1호
    • /
    • pp.16-25
    • /
    • 1995
  • 먼지는 일반적으로 입자크기가 $10\mu\textrm{m}$ 이상의 강하 먼지와 $10\mu\textrm{m}$ 이하의 부유먼지로 구분하며, 이들의 먼지는 대기중에서 인간이나 동.식물에 주로 영향을 준다. 입자크기 범위가 $0.1~10\mu\textrm{m}$ 사이의 부유먼지는 주로 산업공정에서 연료의 연소 또는 고체상 물질의 분쇄 및 수송공정 등에서 주로 발생되며, 입자크기가 $2.5\mu\textrm{m}$이하인 것들은 대기중에서 황산화성 미세먼지와 질산화성 미세먼지로 전환되어 가시도(visibility)에도 큰 영향을 미친다. 대기중에 부유된 먼지중에서 $8\mu\textrm{m}$ 이하는 호흡시 호흡기로 유입되는 입자크기로써, 입자크기가 $6.0\mu\textrm{m}$ 이하인 것은 약 10% 정도가 인간의 폐내로 유입되고, $4.0\mu\textrm{m}$ 이하인 것은 30%, $2.0\mu\textrm{m}$ 이하인 것은 약 99%가 폐(lung)에 유입되어 폐에 침착된다고 보고하였다. 앞으로 산업발전이 계속됨에 따라서 먼지의 배출량이 계속 증가할 것이며, 이로 인해 먼지에 의한 대기오염이 심각해질 뿐만 아니라 인간에 미치는 피해도 심각해질 것으로 예측된다.

  • PDF

솔잎가지 표면에 침착된 입자상 물질의 물리화학적 특성 및 대기오염 지표로서의 가능성 고찰 (Physicochemical properties of deposited particles on surface of pine leaves as biomarker for air pollution)

  • 정다위;최정희;이장호;이수용;이하은;박기완;심규영;이종천
    • 분석과학
    • /
    • 제31권6호
    • /
    • pp.247-258
    • /
    • 2018
  • 본 연구는 대기오염 영향에 따라 주변의 오염도를 식물로 평가할 수 있는 여부를 고찰하기 위한 연구이다. 국내 자생하는 소나무의 1년생 솔잎가지를 대상 평가지표로 선택하였으며, 채취지점은 공단지역 주변의 공원 2곳, 상대적으로 오염원이 적다고 예상되는 도시지역 공원 2곳을 선정하였다. 대상 채취지점에서 소나무 10 그루 이상에서 지상 2 m 이상의 솔잎가지를 채취하였다. 채취한 솔잎가지 표면에 침착된 입자상 물질에 대한 분석항목은 입도분포, 전자현미경의 표면촬영, 먼지제거율, 납 등 중금속, 다환방향족탄화수소류(PAHs) 유기물질이었다. 초음파를 이용하여 탈착시킨 침착된 입자상 물질의 입도는 $0.4{\mu}m{\sim}200{\mu}m$ 범위로 나타났고, $10{\mu}m$ 이하의 입도는 20 % 수준이었다. 솔잎가지에 침착된 입자상 물질의 양은 평균 0.636 mg (0.450 mg~0.825 mg) 이었고, 강수장치에의한제거율은 평균 18.8 % (10.0 %~27.6 %)로 나타났다. 고주파전처리장치로 산전처리한 후 ICP/MS로 측정한 입자상 물질의 중금속 농도는 As 18.8~26.3 mg/kg, Be 0.08~0.13 mg/kg, Cd 0.06~0.08 mg/kg, Cr 4.91~17.8 mg/kg, Cu 5.26~405 mg/kg, Fe 1,930~2,670 mg/kg, Pb 3.03~28.1 mg/kg, Mn 26.9~42.8 mg/kg, Ni 2.66~10.4 mg/kg, Al 4,560~8,730 mg/kg, Ba 2,500~6,120 mg/kg, Rb 5.27~17.8 mg/kg, Sr 40.9~95.3 mg/kg, Zn 4,030~8,260 mg/kg 범위이었다. 침착된 입자상 물질의 세척액을 액-액 추출 정제한 후 GC/MS/MS로 분석한 PAHs의 농도는 ${\Sigma}PAH_{16}$은 1.179~12.396 mg/kg, ${\Sigma}PAH_7$은 0.147~0.741 mg/kg 범위이었다.

Wafer Surface Scanner를 이용한 반도체 웨이퍼상의 입자 침착속도의 측정 (Measurement of Particle Deposition Velocity toward a Horizontal Semiconductor Wafer Using a Wafer Surface Scanner)

  • 배귀남;박승오;이춘식;명현국;신흥태
    • 설비공학논문집
    • /
    • 제5권2호
    • /
    • pp.130-140
    • /
    • 1993
  • Average particle deposition velocity toward a horizontal semiconductor wafer in vertical airflow is measured by a wafer surface scanner(PMS SAS-3600). Use of wafer surface scanner requires very short exposure time normally ranging from 10 to 30 minutes, and hence makes repetition of experiment much easier. Polystyrene latex (PSL) spheres of diameter between 0.2 and $1.0{\mu}m$ are used. The present range of particle sizes is very important in controlling particle deposition on a wafer surface in industrial applications. For the present experiment, convection, diffusion, and sedimentation comprise important agents for deposition mechanisms. To investigate confidence interval of experimental data, mean and standard deviation of average deposition velocities are obtained from more than ten data set for each PSL sphere size. It is found that the distribution of mean of average deposition velocities from the measurement agrees well with the predictions of Liu and Ahn(1987) and Emi et al.(1989).

  • PDF

정전효과가 있는 가열 수평웨이퍼로의 입자침착에 관한 해석 (Analysis on particle deposition onto a heated, horizontal free-standing wafer with electrostatic effect)

  • 유경훈;오명도;명현국
    • 대한기계학회논문집B
    • /
    • 제21권10호
    • /
    • pp.1284-1293
    • /
    • 1997
  • The electrostatic effect on particle deposition onto a heated, Horizontal free-standing wafer surface was investigated numerically. The deposition mechanisms considered were convection, Brownian and turbulent diffusion, sedimentation, thermophoresis and electrostatic force. The electric charge on particle needed to calculate the electrostatic migration velocity induced by the local electric field was assumed to be the Boltzmann equilibrium charge. The electrostatic forces acted upon the particle included the Coulombic, image, dielectrophoretic and dipole-dipole forces based on the assumption that the particle and wafer surface are conducting. The electric potential distribution needed to calculate the local electric field around the wafer was calculated from the Laplace equation. The averaged and local deposition velocities were obtained for a temperature difference of 0-10 K and an applied voltage of 0-1000 v.The numerical results were then compared with those of the present suggested approximate model and the available experimental data. The comparison showed relatively good agreement between them.