• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.12 no.3
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• pp.18-23
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• 1975

본 연구는 다결정질 바리움 페라이트의 고상간의 반응에 있어서 입자성장기구의 규명 및 기타 유용한 자료를 얻고저 수행되었으며 아울러 첨가물의 첨가효과도 관찰하였다. 실험은 115$0^{\circ}C$부터 130$0^{\circ}C$까지 25도의 간격으로 행해졌으며 입자성장현상은 전자현미경으로 관찰되었다. 실험결과, 115$0^{\circ}C$부터 120$0^{\circ}C$까지는 식 D2-D20=Kt(D: 반응이 진행된 ttlrksgn의 입자경, D0: t=0때의 입자경, K: 반응속도)로 표현되었으며 비교적 고온에서는 증발-응축기구가 관여됨을 관찰하였다. 한편 실험적으로 구한 활성에너지는 130$\pm$20 Kcal/mole이었으며 소량의 첨가물 SiO2는 반응속도를 저하시키나 활성화 에너지에 대해서는 큰 영향을 미치지 못하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.10 no.3
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• pp.199-204
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• 2000

In this study, the ZnS nanosized thin films that could be used for fabrication of blue light-emitting diodes, electro-optic modulators, and n-window layers of solar cells were grown by the solution growth technique (SGT), and their structural and optical properties were examined. Based on these results, the quantum size effects of ZnS were systematically investigated. Governing factors related to the growth condition were the concentration of precursor solution, growth temperature, concentration of aq. ammonia, and growth duration. X-ray diffraction patterns showed that the ZnS thin film obtained in this study had the cubic structure ($\beta$-ZnS). When the growth temperature was $75^{\circ}C$, the surface morphology and the grain size uniformity were the best. The energy band gaps of samples were determined from the optical transmittance valued, and were shown to vary from 3.69 eV to 3.91 eV. These values were substantially higher than 3.65 eV of bulk ZnS, demonstrating that the quantum size effect of SGT grown ZnS is remarkable. Photoluminescence (PL) peaks were observed at the positions corresponding to the lower energy than that to energy band gap, illustrating that the surface states were induced by the ultra-fineness of grains in ZnS films. Particularly, for the first time, it is reported for the SGT grown ZnS that the PL peaks were shifted depending on the grain size.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2016.11a
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• pp.180-180
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• 2016

보론이 도핑된 $3{\times}3cm$ 크기의 p 형 다결정 실리콘 기판의 표면을 경면연마한 후, 다이아몬드 입자의 seeding을 위해 슬러리 중 다이아몬드 분말의 입도를 5 nm로 고정하고 초음파 전처리 공정을 진행한 후, 다이아몬드 박막을 증착하였다. 다이아몬드 증착은 Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition 장비를 이용하였으며, 공정 조건은 초기 진공 $10{\times}10^{-3}Torr$, 공정 가스 비율 $Ar:CH_4=200:2$, 가스 유량 202 sccm, 공정압력 90 Torr, 마이크로웨이브 파워 600 W, 기판 온도 $600^{\circ}C$이었다. 기판에 DC bias 전압을 인가하는 것을 공정 변수로 하여 0, -50, -100, -150, -200 V로 변화시켜가며, 0.5, 1, 2, 4 h 동안 증착을 진행하였다. 주사전자현미경과 XRD, AFM, 접촉각 측정 장비를 이용하여 증착된 다이아몬드 입자와 막의 특성을 분석하였다. 각 bias 조건에서 초기에는 다이아몬드 입자가 형성되어 성장되었다가 시간이 증가될수록 연속적인 다이아몬드 막이 형성되었다. Table 1은 각 bias 조건에서 증착 시간을 4 h까지 변화시키면서 얻은 다이아몬드 입자 또는 박막의 높이(두께)를 나타낸 것이다. 2 h까지의 공정 초기에는 bias 조건의 영향을 파악하기 어려운데, 이는 bias에 의한 과도한 이온포격으로 입자가 박막으로의 성장에 저해를 받는 것으로 사료된다. 증착시간이 4 h가 경과하면서 -150 V 조건에서 가장 두꺼운 막이 성장되었다. 이는 기판 표면을 덮은 다이아몬드 박막 위에서 이차 핵생성이 bias에 의해 촉진되기 때문으로 해석된다. -200 V의 조건에서는 오히려 막의 성장이 더 느렸는데, 이는 Fig. 1에 보이듯이 과도한 이온포격으로 Si/diamond 계면에서 기공이 형성된 것과 연관이 있는 것으로 보인다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2006.06a
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• pp.210-213
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• 2006

나노입자를 이용하여 치밀한 $Cu(In,\;Ga)Se_2$ 태양전지용 광흡수층을 제조하기 위해 먼저, 콜로이달 방법으로 합성된 20nm이하의 CIGS 나노입자를 저가의 스프레이 법을 이용하여 CIGS 막을 제조하였다. 제조된 CIGS막을 two-zone RTP (rapid temperature Process) 방법으로 Se 분위기 안에서 열처리를 행하였다. 입자의 치밀화를 위해 기판의 온도, Se 증발온도와 수송가스의 유량을 조절하여 CIGS 입자성장을 행하였다. 그러나, Se의 증발온도가 높을수록 CIGS와 MO 박막 사이에서 $MoSe_2$ 층이 형성되었다. 형성된 $MoSe_2$층의 부피 팽창으로 인해 하부의 유리기판과 Mo층 사이에서 peeling off 현상이 발생했다. 이러한 Peeling off현상을 억제하면서 CIGS 나노입자 성장을 하기 위해, Se 공급을 빨리 할 수 있도록 Se의 증기압을 높였으며, 최적조건에서 급속 열처리 공정을 통해 CIGS 나노입자 성장과 치밀화를 위한 소결거동을 관찰하였다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.2
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• pp.153-157
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• 1996

연소화염법을 이용한 다이아몬드 박막합성은 기판의 표면상태에 크게 의존한다. 특히 탄소결합상이 기판에 조재하는 경우 다이아몬드 핵생성과 성장은 크게 영향을 받는다. 본 연구에서는 일정한 흡입가스비율(R=O2/C2H2)과 기판온도 조건의 연소화염법을 이용하여 몰리브덴 기판위에 다리아몬드박막을 합성하는 과정에서 박막의 핵생성에 미치는 기판 탄소화합물의 영향을 조사하였다. Mb 금속기판표면에 형성된 탄화물로는 Mo2C상과 soot를 택하여 박막합성 전에 Mo기판상에 형성시켰다. Mo 금속기판표면에 형성된 탄화물(Mo2C)상에는 다이아몬드 핵생성과 입자성장이 촉진되어 가장 조대한 양질의 다이아몬드 입자가 형성되었다. 이것은 탄화물상이 반응가스중의 탄소의 확산을 저지함과 동시에 핵생성의 필요한 잠복기간을 감소키켰기 때문이다. 그러나 soot를 구성하는 미세한 탄소결합상들이 다이아몬드 핵생성 장소로 작용하여 결과적으로 다이아몬드 수밀도가 가장 크게 관찰된 반면, 입자성장은 Mo2C기판에 비해 작았다.

• Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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• 2003.05b
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• pp.43-44
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• 2003

스모그 챔버는 대기화학 반응을 물리적 변수를 제어할 수 있는 공간 내에서 재현하여 스모그 현상을 체계적으로 규명하기 위해 가장 많이 사용되는 방법이다(Dodge, 2000). 대기화학 반응을 통해 생성된 입자상 물질(secondary particles) 또는 초미세 입자(ultrafine particle, 〈0.1 $\mu\textrm{m}$)는 연속된 물리화학 반응을 통해 accumulation mode(0.1~l.0 $\mu\textrm{m}$) 입자로 성장한다. 특히, 대도시의 시정(visibility)은 accumulation mode 입자의 산란(scattering)과 흡수(adsorption)가 주요한 원인이기 때문에 이러한 물질의 생성에 영향을 주는 가스상 물질의 전화(gas-to-particle conversion) 반응과 초미세 입자의 성장 현상을 규명하는 것은 매우 중요하다. (중략)

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.17 no.5
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• pp.473-480
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• 2008

We have investigated the optimal growth conditions of carbon nanotubes (CNTs) using the chemical vapor deposition and the Ni nanoparticle arrays. The diameter of the CNT is shown to be controlled down to below 20 nm by changing the size of Ni particle. The position and size of Ni particles are controlled continuously by using wafer-scale compatible methods such as lithography, ion-milling, and chemical etching. Using optimal growth conditions of temperature, carbon feedstock, and carrier gases, we have demonstrated that an individual CNT can be grown from each Ni nanoparticle with almost 100% probability over wide area of $SiO_2/Si$ wafer. The position, diameter, and wall thickness of the CNT are shown to be controlled by adjusting the growth conditions.

• Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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• 2002.11a
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• pp.137-138
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• 2002

입자상 물질은 자연적 또는 인위적인 오염원에 의해 직접 대기로 배출되거나 가스상 물질의 전환 과정을 통해 생성된다. 서울을 비롯한 우리나라 시정(visibility)은 맡은 부분이 가스상 물질의 전환을 통해 생성된 미세 입자에 영향을 받고 있기 때문에 미세 입자의 생성(formation)과 성장(growth) 변화를 연구하는 것은 시정(visibility)의 원인을 밝히는 중요한 과정이라고 할 수 있다. (중략)

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.24 no.1
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• pp.18-21
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• 2014

The microwave absorption ($P_{tot}$), which is the double integration value of ferromagnetic resonance signal, propositional to the saturation magnetization, and the increase of the $P_{tot}$ measured during the thermal reaction time expect the growth process of the nanoparticles. Therefore, in this work, we measured the $P_{tot}$ in order to obtain the growth time of iron oxide nanoparticles after thermal decomposition of $Fe(acac)_3$ precursor at aging temperature $T_a=273$, 300 and $324^{\circ}C$, respectively. The best condition for monodisperse nanoparticles was obtained at $T_a=300^{\circ}C$, which condition showed the most rapid increase of $P_{tot}$ with thermal reaction time. Finally, the rapid growth rate was necessary condition for the synthesis of iron-oxide monodisperse nanoparticles.

• Economic and Environmental Geology
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• v.54 no.2
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• pp.233-245
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• 2021

Many studies on the microstructures in rocks have been conducted using experimental methods with various equipment as well as natural rock studies to see the development of microstructures and understand their mechanisms. Grain boundary migration of mineral aggregates in rocks could cause grain growth or grain size changes during metamorphism or deformation as one of the main recrystallization mechanisms. This study suggests improved ways regarding the analog material experiments with reformed equipment to see sequential observations of these grain boundary migration. It can be more efficient than the existing techniques and carry out an appropriate microstructure analysis. This reformed equipment was implemented to enable optical manipulation by mounting polarizing plates capable of rotating operation on a stereoscopic microscope and a deformation rig capable of experimenting with analog materials. The equipment can automatically control the temperature and strain rate of the deformation rig by microcontrollers and programming and can take digital photomicrographs with constant time intervals during the experiment to observe any microstructure changes. The composite images synthesized using images by rotated polarizing plates enable us to see more accurate grain boundaries. As a rock analog material, norcamphor(C7H10O) was used, which has similar birefringence to quartz. Static grain growth and simple shear deformation experiments were performed using the norcamphor to verify the effectiveness of the equipment. The static grain growth experiments showed the characteristics of typical grain growth behavior. The number of grains decreases and the average grain size increases over time. These case experiments also showed a clear difference between the growth curves with three temperature conditions. The result of the simple shear deformation experiment under the medium temperature-low strain rate showed no significant change in the average grain size but presented the increased elongation of grain shapes in the direction of about 53° regarding the direction perpendicular to the shearing direction as the shear strain increases over time. These microstructures are interpreted as both the plastic deformation and the internal recovery process in grains are balanced by the deformation under the given experimental conditions. These experiments using the reformed equipment represent the ability to sequentially observe changing the microstructure during experiments as desired in the tests with the analog material during the entire process.