• 프린팅코리아
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• s.64
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• pp.110-111
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• 2007

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2009.05a
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• pp.21.2-21.2
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• 2009

발광다이오드는 에너지 변환 효율이 높고 친환경적인 장점으로 인하여 차세대 조명용 광원으로 각광받고 있다. 하지만 현재 발광다이오드는 낮은 광추출효율로 인하여 미래의 수요를 충족시킬 수 있을 만큼 충분한 성능의 효율을 나타내지 못하고 있다. 발광다이오드의 낮은 광추출효율은 반도체소재와 외부 공기와의 큰 굴절률 차이로 인하여 발생하는 전반사 현상에 기인한 것으로 이 문제를 해결하기 위하여 발광다이오드 소자의 발광면 및 기판을 텍스처링하는 방법이 중요하게 인식되고 있다. 하지만 현재까지 패턴의 구조에 따른 광추출 특성을 분석한 연구는 미진한 상황이다. 본 연구에서는 임프린팅 및 건식식각 공정을 이용하여 다양한 구조의 나노 및 micron 급 패턴을 발광다이오드의 p-GaN층에 형성하였다. 발광다이오드 기판 위에 하드마스크로 사용하기 위한 SiO2를 50nm 증착한 후 그 위에 UV 임프린팅 공정을 진행하여 폴리머 패턴을 형성시켰다. 임프린팅 공정으로 형성된 폴리머 패턴을 CF4CHF3 플라즈마를 이용하여 SiO2를 건식식각하였고, 이후에 SiCl4와 Ar 플라즈마를 이용한 ICP 식각 공정을 진행하여 p-GaN층을 100nm 식각하였다. 마지막으로 BOE를 이용한 습식식각 공정으로 p-GaN층에 남아있는 SiO2층을 제거하여 p-GaN층에 sub-micron에서 micron급의 홀 패턴을 형성하였다. Photoluminescence(PL) 측정을 통해서 발광다이오드 소자에 형성된 패턴의 구조에 따른 광추출 특성을 분석하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2008.05a
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• pp.31.1-31.1
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• 2008

• ICROS
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• v.12 no.1
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• pp.31-35
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• 2006

• 한국전기화학회:학술대회논문집
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• 2003.10a
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• pp.73-73
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• 2003

• 기계와재료
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• v.15 no.4 s.58
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• pp.38-47
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• 2003

• Science & Technology Policy
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• v.25 no.7
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• pp.10-13
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• 2015

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2009.06a
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• pp.187-187
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• 2009

나노 임프링과 전기 도금의 저렴한 방식을 이용하여 CdTe 나노 패턴형태를 제작하고자 한다. CdTe 박막은 CdTe 태양전지에서 광흡수층으로 광전자형성에 큰 영향을 미치는 층이다. 나노 패턴을 이용할 경우 p-n 접합 면적이 늘어나 여기된 전자-정공쌍이 분리를 더 잘 일으킬 수 있기 때문에 나노 임프린팅 이라는 기술을 이용하여 이를 제작해 보고자 한다. 따라서 이렇게 제작된 CdTe 나노 패턴은 XRD와 라만 기술을 이용하여 구조를 분석하고, 흡광도와 반사도를 측정하여 광 특성을 조사하려고 한다.

• Proceedings of the KSME Conference
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• 2008.11a
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• pp.948-954
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• 2008

In this study, vibrational characteristics of two nano-imprinting stages is analyzed and compared with respect to the methodology to support the upper-plate of the stage. The first type of the stage has three supporters at each corners of the stage and one thrust bearing at the center of the stage. The other type of the stage has four supporter in each corner of the stage without a thrust bearing. The FEM software with flexible modeling is used for the normal mode analysis. The result depicts the difference of vibrational characteristics caused by the difference of support methods. The design criteria for the precision nano-imprinting stage is also discussed.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2008.11a
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• pp.79-80
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• 2008

최근 질화물 계 발광다이오드의 광추출효율을 향상시키기 위하여 발광다이오드의 발광면을 texturing하는 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 직접 패터닝 방식인 나노 임프린팅 공정을 이용하여 blue 발광다이오드의 indium tin oxide (ITO) 투명전극 층에 sub-micron 크기의 hole이 주기적으로 정렬된 구조의 폴리머 패턴을 형성하였으며 임프린팅 공정 후 건식 식각 공정을 통해서 ITO 층을 식각하였다. 그 결과 ITO 투명전극 층에 발광다이오드의 광추출효율을 향상시키기 위한 sub-micron 급의 주기적인 hole 패턴이 형성되었다.