우리나라 전산업의 R & b 투자율을 보면 표5에서와 같이 1.01%로서 일본의 2.03% 미국의 2.88%에 비해 크게 부족한 실정이다. 또한 기계공업에서는 2.25%로서 상당히 높은 비율로 나타나고 있으나 역시 일본 및 미국에 비해 뒤떨어지고 있음을 볼 수 있는데 그러나 타업종과 달리 기계공업중 전기. 전자와 정밀기기업종이 중심이 되어 기업의 기술 개발투자를 선도하고 있으나 기술집약도가 높은 이 부문에서 선진국과 큰 격차를 나타내고 있음을 알 수 있다. 이와같이 우리나라 기계공업체도 최근에는 많은 기술개발투자를 하고 있으나 이에 비해 개발실적은 우리기술이 크게 낙후된 실정이어서 아직도 선진공업국수준 이하의 기계를 개발중에 있는 것으로 평가되고 있는데 즉, 선진국에서는 이미 5-10 년전에 개발 공급한 제품들을 개발하고 있어 한마디로 복사단계의 기술개발이라고 하겠다. 그리고 국내 베어링회사인 K사의 R & b 투자실적 및 계획을 '85 년도에 1.4%로 저조하였으나 '88 년에는 2.9%로 계획하고 있어 R & b 투자에 많은 관심을 가지고 있음을 알 수 있으나 다른 투자를 할 수 없는 실정인 것으로 나타나고 있어 베어링산업의 또하나의 문제로 지적하지 않을 수 없다.
◆ V2006 : 일본자동차공업협회 (JAMA)가 중심이 되어 진행중인 자동차 분야의 NCALS 시범사업 ◆ Roadmap2000 ◆ NIIIP Reference Architecture ◆ 크라이스러 Neon : 자동차개발의 Concurrent Engineering사례 ◆ AutoSTEP: 미국의 AIAG (Automotive Industry Action Group)를 중심으로 자동차 업체간에 설계 정보를 네트워크 상으로 교환 ◆ PDVS :독일의 ProSTEP에서 개발중에 있는 자동차용 PDM(중략)
전력 계통에 연계하는 신재생에너지 분산형 전원의 보급량이 지속적으로 늘어나면서 저압 계통의 공통 연계점에 다수대의 PCS(Power Conditioning System)가 집중적으로 설치되는 사례가 증가하고 있다. 최근 일본전기공업회(JEMA)는 계통 사고나 계획 정전 등으로 변전소 차단기가 개방되었을 때, 복수대 PCS의 능동방식이 서로 간섭을 일으켜 정해진 시간 내에 단독운전 검출기능이 작동하지 않게 되는 상황을 방지하기 위해 표준형 단독운전 능동적 방식을 공표하였다. 본 논문에서는 일본 단독운전 검출방식의 표준으로 지정된 스텝주입이 있는 주파수피드백 방식의 원리와 특징을 살펴보고, 이를 적용하여 연계 보호기능의 안전성 확보와 분산형 전원 보급에 기여하는 효과에 대해 소개하였다.
현재 특히 컴퓨터용 외부 기록매체분야에서 재래식 자성분말 코팅형 매체에 대해서 여러가지 보다 우수한 특성을 가진 경합재료가 경쟁적으로 개발되고 있다. 먼저 면재기록방식의 경우에 괄목할 발전을 하고 있는 것은 Co-Ni-P 및 Co-Ni계 무전해 혹은 스파터된 hard disk용 박막이다. 아직 오버코팅 문제가 완전히 해결되지 않고 그외 기판문제 등에서 개선의 여지가 많지만 그 수요가 급격히 늘고 있다. 그 다음으로 수직기록 방식 매체인데 현재는 Ba-ferrite분말도포매체가 공업적 공정측면에서 산업화에 가깝다. 이는 기존 테이프 메이커들의 설비활용이 가능하고 tribology, 안정성에서 비교적 문제가 적기 때문이다. 그러자 이 재료도 금속분말도포제와 특성이 비슷하고 분말자체 가격도 비슷해서 기존재료와 치열한 경쟁을 이겨야 산업화에 성공할 것으로 생각된다. 이보다 훨씬 고밀도기록이 가능한 소재중에서 Co-Cr수직기록박막이 가장 많이 연구되고 있어서 공업화 가능성이 높지만 head 재료의 개선, tribology 문제해결 등이 선행되어야 공업화가 성공될 것이다. 그러나 선진국 특히 일본, 미국에서 이러한 연구가 엄청나게 많이 진행되고 있어서 빠른 시일내에 산업화가 이루어질 것으로 기대된다.
이온이나 플라즈마를 사용해서 박막형성이나 MBE진공증착법에 비해서 분자배열이나 고차구조의 제어 및 그의 다양성에 있어서 LB법에 대한 기대가 크다. 특히 습식법인 점에서 생체기능을 짜넣을 수 있는 분자소자의 개발에는 불가능하다. 역으로 생체분자의 자기조직화나 정보전달기능을 분자 Level로 이해하는 점에서도 LB법은 중요하다고 본다. 또 저차원자성체 전도체 여기자등 물리량에 의한 차원성을 고찰하는 점에서도 LB막의 거동이 주목되고 있다. 또 자발분극된 강유전성의 고분자 즉 Poly등의 박막에 광조사를 하면 광생성된 캐리어가 내부전계에 따라서 이동하고 ~$10^{4}$V 정도의 높은 광기전력을 발생시키는 것도 나타났다. 얻어진 전류는 단지 초전효과를 상회하고 광전류라고 할 수 있다. 쇼트키형 소자의 금속-반도체의 절연막층을 MIS형이라고 하며 특성이 향상된다. SnO$_{2}$/NiPc/Polyethylene막/Al형 광전지가 만들어졌다. 광전변환막이 다양한 목적에 사용되리라 사료되며 지금은 초기 연구단계이나 실용화하는데는 많은 시간이 소요되나 간단한 디바이스 등과 같은 것은 제작이 가능할 것이며 광에너지로 힌한 화학, 전기, 역학 에너지로 변환되는 데는 시간 문제인것 같다. 1년간 일본 동경공업대학 생명이공학부에서 연구한 내용을 정리하여 보았으며 이에 협조하여 주신 문교부 학술진흥재단에 감사드리며 또 등평연구실에 감사드린다.
1996년 GaN와 near band edge emission(NBE) 및 yellow deep-defect level emission의 발광 기구가 ZnO의 greene mission과 매우 유사하다는 점이 발견된 이 후[1,2], II-VIZnO반도체에 대한 광학적 성질에 많은 관심이 집중되기 시작하였다. 1960년대 C. Klingshirin[3]에 의해 bulk ZnO의 exciton luminescence가 관측된 이래로, 1980년대 후반부터 적층 박막 성장 법들이 급속도로 발전을 하여 오고 1988 S. Bethke등이 CVD로 성장한 ZnO의 NBE emission에 관심을 갖기 시작하였고[4], 1996년 2K에서 GaN, ZnO사이의 유사한 발광기구가 알려졌고[5], 도호쿠 및 일본 공업대에서 ZnO의 적층 성장 및 상온에서 defect에 기인한 emission이 없는 깨끗한 PL 의 관측, 상온 lasing, 육방정계 결정 구조에서 비롯된 6-fold symmetry PL 등이 보고되기 시작하였다. [6-8] 2000년에 들어서면서 MgO와 CdO와의 solid solution에 의한 밴드갭을 2.6-4.2 eV 까지 조절하는 가능성이 보고되었고 이를 이용한 ZnO/MgZnO MQW 구조에 대한 연구도 병행되었다.(중략)
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[게시일 2004년 10월 1일]
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