In this paper, the white organic LED with two-wavelength was fabricated using the NPB of blue emitting material and a series of orange color fluorescent dye(Rubrene) by vacuum evaporation processes. The structure of white OLED was ITO/NPB$(200{\AA})$NPB:Rubrene$(300{\AA})$/BCP$(100{\AA})/Alq_3(100{\AA})/Al(1000{\AA})$ and the doping concentration of Rubrene was 0.75 wt%. We obtained the white OLED with CIE color coordinates were x=0.3327 and y=0.3387, and the maximum EL wavelength of the fabricated white organic light-emitting device was 560 nm at applied voltage of 11 V, which was similar to NTSC white color with CIE color coordinates of x=0.3333 and y=0.3333. The turn-on voltage is 1 V, the light-emitting him-on voltage is 4 V. We were able to obtain an excellent maximum external quantum efficiency of 0.457 % at an applied voltage of 18.5 V and current density of $369mA/cm^2$.
본 논문은 미세공정을 이용하여 다중전극을 배열하여 전압 인가에 의해 선택적으로 약물 방출이 가능한 구역화된 약물 저장용 구조물의 설계 및 제작에 관한 것이다. 두께 525${\mu}m$ 언 (100) Si wafer를 이용하여 TMAH 용액의 조성 및 온도에 따라 Si 식각 기초실험을 하고 그 결과를 이용하여 최적 식각조건을 설정하였다. 구조물 opening 크기를 다양하게 설계하여 미량의 약물을 선택적으로 방출할 수 있게 하고자 역 피라미드 형태의 약물 저장용 구조물을 제작하였다. 전압 인가에 의한 약물 방출시 Au 전극의 특성을 고찰하고자 저장 구조물 위에 anode의 면적과 anode 전극간 거리를 변화시켜서 설계 및 제작하였고, polyimide를 전극 사이의 절연막으로 이용하였다. 제작된 구조품의 전극 특성은 5V의 설정전압을 인가하였을 경우 2500s 동안 0.25mA로 안정적으로 유지되었으나 10V, 15V, 20V일 경우 전극의 산화현상으로 Au 전극이 부식이 되어 전류가 안정적으로 흐르지 않는 것을 알 수 있었으며, 약물전달시스템에서 안정적인 전류 공급을 위해서는 Au 전극이 산화 되지 않는 전압 인가 조건 및 시간은 설정해야 함을 알 수 있었다.
The electrochemical coating of poly(3-octylthiophene) on carbon materials was studied in order to investigate the application possibility of the modified carbon materials in the photoelectronic devices. Commercial carbon paper and carbon fiber were used as substrate electrodes for electrochemical coating. The coating behaviors were analysed with the variation of monomer and electrolyte concentration, applied potential, and cycling number in cyclovoltammetry. The coating rate of poly(3-octylthiophene) formed on the substrate were proportional to the monomer and electrolyte concentration, applied potential, and cycling number with each independent exponent. The structure and morphology of electrochemically polymerized poly(3-octylthiophene) was investigated with scanning electron microscopy and FTIR reflectance measurement.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.95-95
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2013
박막 공정 기술은 반도체 및 디스플레이뿐만 아니라 대부분의 전자소자에 적용되는 매우 중요한 기술이다. 그 중, 마그네트론 스퍼터링 공정은 플라즈마를 이용하여 금속 및 세라믹 등의 벌크 물질을 박막으로 증착 가능한 가장 널리 사용되는 방법 중의 하나이다. 하지만, Fe, Co, Ni 같은 강자성체 재료는 공정이 불가능하며, 스퍼터링 타겟 효율이 40% 이하이고, 제한적인 방전압력 범위 및 전류 상승에 의한 높은 전압 인가 제한이 있다는 단점이 있다. 본 연구에서 사용된 고밀도 플라즈마 소스를 적용한 고효율 스퍼터링 시스템은 할로우 음극을 이용한 원거리에서 고밀도 플라즈마를 생성하여 전자석 코일을 통해 자석이 없는 음극으로 이온을 수송시켜 스퍼터링을 일으킨다. 따라서 강자성체 재료의 스퍼터링이 가능하며, 90% 이상의 타겟 사용 효율 구현 및 기존 마그네트론 스퍼터링 대비 고속 증착이 가능하다. 또한, $10^{-4}$ Torr 압력영역에서 방전 및 스퍼터링이 가능하다. 타겟 이온 전류를 타겟 인가 전압과 관계없이 0~4 A까지, 타겟 이온 전류와 상관없이 타겟 인가 전압을 70~1,000 V 이상까지 독립적으로 제어가능하다. 또한 TiN과 같은 질소 반응성 공정에서 반응성 가스인 질소를 40%까지 넣어도 타겟에 수송되는 이온의 양에 영향이 없다. 할로우 음극 방전 전류 40 A에서 발생된 플라즈마의 이온에너지 분포는 55 eV에서 가우시안 분포를 보였으며, 플라즈마 포텐셜인 sheath drop은 74 V 였다. OES를 통한 광학적 진단 결과, 전자석에 의한 이온빔 초점에 따라 플라즈마 이온화율을 1.8배까지 증가시킬 수 있으며, 할로우 음극 방전 전류가 60~100 A로 증가하면서 플라즈마 이온화율을 6배까지 증가 가능하다. 또한, 타겟 이온 전류와 관계없이 타겟 인가 전압을 300~800 V로 증가시킴에 따라 Ar 이온 밀도의 경우 1.4배 증가, Ti 이온 밀도의 경우 2.2배 증가시킬 수 있었으며, TiN의 경우 증착 속도도 16~44 nm/min으로 제어가 가능하다.
We developed a one-dimensional Ar fluid model running in DC-type applied voltage with a sine and a pulse waveform at the atmosphere pressure. We investigated the light emissions and efficiencies of ${\lambda}_{128nm}$, ${\lambda}_{727nm}$, ${\lambda}_{912nm}$ and ${\lambda}_{966nm}$ from the Ar excited particles. From the results, the light emission of ${\lambda}_{128nm}$ and ${\lambda}_{727nm}$ in the applied voltage with a sine waveform were almost two times as in DC voltage type. The shorter the switching time of applied voltage was, the more the light emissions of ${\lambda}_{128nm}$ and ${\lambda}_{727nm}$ were. We discussed the power consumption and Joule heating by charged particles.
A SCALDO(Supercapacitor Assisted LDO) regulator is a newly studied regulator to improve the efficiency of a LDO regulator. Commonly a LDO regulator has very low efficiency and a SCALDO regulator can improve it considerably because this regulator can reuse meaninglessly wasted energy at the LDO regulator by a supercapacitor witch is attached between input and a LDO regulator. However this regulator has several challenges because it is a being studied regulator. One of them is an overvoltage issue. At initial operating of this regulator, a supercapacior is totally discharged and input is connected with a supercapacitor and a LDO regulator in series. Thus, input voltage is enabled to a LDO regulator and this input voltage is a significant value to a LDO regulator because commonly input voltage is bigger than twice output voltage. In this paper, to solve this overvoltage issue, we proposed a new SCALDO regulator that has a pre-charger for charging a supercapacitor before starting operation. And we found that a proposed SCALDO regulator can properly reduce overvoltage of a LDO regulator through experiments.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.353-353
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2012
채널 도핑이 다른 비대칭 구조를 갖는 NMOSFET의 게이트 전압에 따른 Drain saturation current (IDSAT), maximum transconductance (GM) 및 threshold voltage (VT)와 같은 다양한 변수를 측정하였고 DAHC (Drain avalanche hot carriers) 스트레스에 따른 특성을 추출하였다. 전기적 특성은 반도체 파라미터 분석기를 사용하여 Probe system에서 진행되었다. 문턱전압은 Normal channel dopoing의 경우 0.67 V, High channel doping의 경우 0.74 V로 High channel doping된 소자가 상대적으로 높은 문턱전압을 보였다. Swing의 경우 Normal channel doping의 경우 87 mV/decade, high channel doping의 경우 92 mV/decade으로 High channel doping된 소자가 더 높은 Swing값을 보였다. 스트레스 인가 후 두 소자 모두 문턱전압이 증가하고 ON-current가 감소하였다. High channel doing된 소자의 경우 Normal channel doping된 소자보다 문턱전압의 증가율과 Current 감소율 측면 모두 스트레스에 더 민감하게 반응하였다. 문턱전압이 서로 다른 비대칭 NMOSFET의 핫 캐리어 특성을 비교, 분석결과 스트레스 인가에 따라 채널 도핑이 높아질수록 드레인과 게이트간의 더 높은 전계가 생겨 게이트 산화막과 Si/SiO2 계면의 손상이 더 발생하였다. 따라서 채널 도핑이 상대적으로 높은 트랜지스터가 핫 캐리어에 의한 계면 트랩 생성 비율이 더 높다는 것을 알 수 있다.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.11
no.5
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pp.955-960
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2007
In this paper, the deviation of tunneling current for gate voltage has been investigated in double gate MOSFET developed to decrease the short channel effects. In device scaled to nano units, the tunneling current is very important current factor and rapidly increases,compared with thermionic emission current according to device size scaled down. We consider the change of tunneling current according to gate voltage in this study. The potential distribution is derived to observe the change of tunneling current according to gate voltage, and the deviation of off-current is derived from the relation of potential distribution and tunneling probability. The derived current is compared with the termionic emission current, and the relation of effective gate voltage to decrease tunneling current is obtained.
This paper describes a trans-admittance scanner for breast cancer detection. A FPGA-based sinusoidal waveform generator produces a constant voltage. The voltage is applied between a hand-held electrode and a scan probe placed on the breast. The scan probe contains an 8x8 array of electrodes that are kept at the ground potential. Multi-channel precision digital ammeters using the phase-sensitive demodulation technique were developed to measure the exit current from each electrode in the array. Different regions of the breast are scanned by moving the probe on the breast. We could get trans-admittance images of resistor and saline phantoms with an anomaly inside. The images provided the information on the depth and location of the anomaly. In future studies, we need to improve the accuracy through a better calibration method. We plan to test the scanner's ability to detect a cancer lesion inside the human breast.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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