• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.19 no.3
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• pp.217-223
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• 2010

We grew multi-stacked InAs/$In_{0.1}Ga_{0.9}As$ DWELL (dot-in-a-well) structure by metal organic chemical vapor deposition and investigated optical properties by photoluminescence and I-V characteristics by dark current measurement. When stacking InAs quantum dots (QDs) with same growth parameter, the size and density of QDs were changed, resulting in the bimodal emission peak. By decreasing the flow rate of TMIn, we achieved the uniform multi-stacked QD structure which had the single emission peak and high PL intensity. As the growth temperature of n-type GaAs top contact layer (TCL) is above $600^{\circ}C$, the PL intensity severely decreased and dark current level increased. At bias of 0.5 V, the activation energy for temperature dependence of dark current decreased from 106 meV to 48 meV with increasing the growth temperature of n-type GaAs TCL from 580 to $650^{\circ}C$. This suggest that the thermal escape of bounded electrons and non-radiative transition become dominant due to the thermal inter-diffusion at the interface between InAs QDs and $In_{0.1}Ga_{0.9}As$ well layer.

• The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
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• v.10 no.6
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• pp.558-569
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• 2017

In this paper, a 256Kb EEPROM IP aimed at battery applications using a single supply of 1.5V which is embedded into an MCU is designed. In the conventional cross-coupled VPP (boosted voltage) charge pump using a body-potential biasing circuit, cross-coupled PMOS devices of 5V in it can be broken by the junction or gate oxide breakdown due to a high voltage of 8.53V applied to them in exiting the program or erase mode. Since each pumping node is precharged to the input voltage of the pumping stage at the same time that the output node is precharged to VDD in the cross-coupled charge pump, a high voltage of above 5.5V is prevented from being applied to them and thus the breakdown does not occur. Also, all erase, even program, odd program, and all program modes are supported to reduce the times of erasing and programming 256 kilo bits of cells. Furthermore, disturbance test time is also reduced since disturbance is applied to all the 256 kilo bits of EEPROM cells at once in the cell disturb test modes to reduce the cell disturbance testing time. Lastly, a CG driver with a short disable time to meet the cycle time of 40ns in the erase-verify-read mode is newly proposed.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.11 no.3
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• pp.866-872
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• 2010

In this paper, we developed a digital soldering station based on PID controller, which supply stable power by controlling the current of heater of soldering iron. The proposed system designed PID controller to converge quickly to the set up temperature by user, and regain the lost of heat by external factors quickly. PID controller, designed by Ziegler-Nichols' tuning method, decides triac's trigger timing using setting temperature and present temperature to control the phase of AC 24V power that supply to the heater. Also, we give the function that shows present temperature and setting temperature of iron, and working time by graphic LCD. And during the rest time, we decided the power saving and extension of iron tip by dropping to the optimal temperature. Two experiments had implemented in $25^{\circ}C$ laboratory to confirm the performance of proposed method. The first experiment took 12sec, 13sec, 16sec, 18sec, reaching to $200^{\circ}C$, $300^{\circ}C$, $400^{\circ}C$, $480^{\circ}C$ respectively which result showed shorten of rising time than previous method. In the loading experiment of $300^{\circ}C$, $400^{\circ}C$, $480^{\circ}C$ steady state showed temperature drop of $3.8^{\circ}C$, $4.1^{\circ}C$, $4.5^{\circ}C$ which result showed the low temperature deviation than previous method.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.299-299
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• 2007

후막형 무기 EL (electro-luminescence) 소자는 제조공정이 간단하고, 얇고, 가볍고, 유연한 동의 많은 장점들 때문에 휴대폰의 키패드 (key-pad) 및 광고용 back-light용으로 사용되고 있다. 이 무기 EL 소자는 비교적 손쉬운 스크린 프린팅 (screen-printing) 법으로 대면적을 제작할 수 있지만, LED (light emitting diode) 등과 비교하여 밝기가 낮아서 그 응용 분야가 제한되고 있다. EL 소자의 형광층은 전면 전극과 후면 전극 사이에 위치한다. EL은 이 형광층에 고 전기장이 걸릴 때, 전기장에 의해 가속된 전자가 형광층 내부에 첨가된 발광 중심의 전자를 여기시키고, 여기된 전자가 다시 바닥상태로 완화될 때 빛이 방출되는 현상이다. 즉, EL 소자는 이러한 전자 발광 현상을 이용한 소자로서, 전압 인가 시 발광 면 전체가 균일하게 발팡하는 평면 광원이다. 이러한 EL 소자에서 휘도의 증가는 후면 전극과 형광층 사이에 삽입되는 유전체 층의 특성과 밀접한 연관성이 있다. 본 연구에서는 고휘도 무기 EL 소자를 제작하기 위하여 이 유전체 층의 특성과 소자의 성능 사이의 관계를 알아보고자 하였다. 유전체 층에 사용하기 위해서 $BaTiO_3$-PVDF (polyvinylidene fluoride)의 복합체 필름을 제조하였다. 먼저 이 복합체 필름을 스크린 프린팅 (screen printing) 법으로 코팅하기 위한 페이스트 제작을 위해서, PVDF 수지를 용제에 녹였다. 그 다음, 일반 혼합기 및 삼단 롤밀 혼합기 (3-roll milling mixer) 등을 이용하여 $BaTiO_3$ 분말과 PVDF 용액을 다양한 비율로 혼합하여 페이스트를 제조하였다. ITO가 증착된 PET Film에 스크린 프린팅 법을 사용하여 형광층, 유전층, 배면 전극 등을 차례로 코팅하였다. $BaTiO_3$ (BT) 분말과 복합체 필름의 XRD 분석 결과, 분말 시료와 복합체 시료 모두 페로브스카이트 구조의 BT 회절선만 관찰되었다. 복합체의 단면 SEM 관찰에서는, BT 분말의 무게비가 증가할수록 더 치밀한 구조를 보여줌을 확인하였다. 또 EL소자의 유전상수와 휘도도 BT 분말의 혼합비가 증가할수록 증가하였다. 본 연구에서 제작한 무기 EL 소자의 최대 휘도는 약 $130\;cd/m^2$ 정도로 측정되었는데, 이는 휴대폰 키패드의 back-light용 광원으로 사용하기 충분하다고 판단되어진다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.05a
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• pp.139-141
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• 2005

이번 실험에서는 변방전형 교류 PDP에서의 3차원적인 전자온도와 이온밀도의 측정을 마이크로 랑뮈르 탐침법을 통해 실험적으로 연구하였다. 스테핑 모터에 연결된 마이크로 랑뮈르 탐침은 20um씩 움직이며 탐침에 인가하는 플러스와 마이너스의 직류전압을 통해 I-V곡선을 구할 수 있고 이를 통해서 전자온도와 플라스마 밀도를 구할 수 있다. Ne+Xe(4%) 200Torr의 혼합가스에서 전극의 테두리를 따라(X축) 전자온도 및 플라스마 밀도를 측정한 결과 중앙지점에서와 전극의 경계지역에서 이온밀도는 $7.69{\sim}11.1{\times}10^{11}cm^{-3}$ 까지 측정되었다. 또한 전자온도는 플라스마 밀도와 균형적인 관계에 있다는 것은 주목할 만하다. 전자온도는 전극 사이의 중심에서 가장 적게 1.3 ~ 3.15eV까지 측정되었다. Y축으로 측정했을 경우 이온 밀도와 전자온도는 전극 갭 중앙에서부터 약 80um 떨어진 지점에서 서로 교차하며 증가 및 감소였으며 이온밀도는 $8.3{\sim}11.1{\times}10^{11}cm^{-3}$로 측정되었고 전자온도는 이와 균형적인 관계를 가지고 1.2~1.6eV로 측정되었다. 또한 이러한 특성은 AC PDP 에서 나타나는 줄무늬 현상과 관련이 있는 것으로 보인다. Z축으로 측정했을 경우 약 125um높이에서 가장 높게 측정되었으며 $1.1{\times}10^{12}cm^{-3}$정도로 측정되었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.116-116
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• 2007

21 세기에 접어들면서 인터넷을 통한 정보 통신의 발달과 개인 휴대용 이동 통신기기의 활발한 보급에 따라 휴대형 전자기기들의 소형화와 고성능화로 나아가고 있다. 이러한 전자기기에 사용될 IC의 내장 메모리 또한 집적화 및 고속화, 저 전력화가 이루어져야 한다. 이러한 전자기기들에 필수적인 압전 세라믹스 부품 중 압전 부저 및 기타 음향 부품등을 각종 전자기기와 무선 전화기에 채택함으로써 압전 부품에 대한 수요와 생산이 계속 증가할 것으로 전망된다. 이처럼 압전 세라믹스를 이용한 그 응용 범위는 대단히 방대하며, 현재 모든 압전 부품들은 PZT 계열 재료로 만들어지고 있고, 차후 모두 비납계열 재료로 대체될 것이 확실시된다. Pb의 환경오염은 이미 오래전부터 큰 문제점으로 인식되고 있었으며 그 일례로 미국의 캘리포니아 주에서는 1986년부터 약 800종의 유해물질, 그 중에서도 Pb 사용을 300ppm 이하로 규제하는 Proposition 65를 제정하여 실행하고 있다. 그리고 2003년 2월에 EU (European Union) 에서 발표한 전자산업에 관한 규제 사항중 하나인 위험물질 사용에 관한 지칭 (Restriction of Hazardous Substance, RoHS) 에 의하면, 2006 년 7월부터 전기 전자 제품에 있어서 위험 물질인 Pb을 포함한 중금속 물질(카드늄, 수은, 6가 크롬, 브롬계 난연재)의 사용을 금지한다고 발표하였다. 비록 전자세라믹 부품에 함유된 Pb는 예외 사항으로 두었지만 대체 가능한 물질이 개발되면 전자세라믹 부품에서도 Pb의 사용을 금지한다고 규정하였다. 더욱이 일본은 2005 년부터 Pb 사용을 금지시켰다. 이와 같이 Pb가 환경에 미치는 영향 때문에 비납계 강유전 물질 및 압전 세라믹스 재료에 대한 연구가 전 세계적으로 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 비납계 강유전체의 patterning을 위해서, NKN 박막을 고밀도 플라즈마원인 ICP를 이용하여 식각 mechanism을 연구하고, 식각변수에 따른 식각 공정을 최적화에 대하여 연구하였다. 가스 혼합비에 따라 식각 할때 700 W의 RF 전력과 - 150 V의 직류 바이어스 전압을 인가하였고, 공정 압력은 2 Pa, 기판 온도는 $23^{\circ}C$로 고정하였다. 식각 속도는 Tencor사의 Alpha-step 500을 이용하여 측정되었으며 식각 시 NKN 박막 표면과 라디칼과의 화학적인 반응을 분석하고 식각 메커니즘을 규명하기 위하여 XPS(x-ray photoelectron spectroscopy)를 사용하였다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.3 no.3
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• pp.261-271
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• 1993

Functionally Gradient Materials(FGM) of 4.5Pb($Ni_{1/3}Nb_{2/3})O_3$-55PZT and PLZT(lO/70 /30, 11/60/40) were prepared. Its dielectric and piezoelectric strain properties were investigated. The FGM were pressed into A/B/ A configuration using two kinds of films, one layer(A) was eliminated from FGM by polishing after sintering at $l250^{\circ}C$, 2 hrs. The acrylic binder system was successfully applied for crack free film through doctor blade method. The thickness of gradent layer in FGM was about 30${\mu}$m. Dielectric properties of FGM show the average value of each side layer. The strain-electric field characteristics of FGM were significantly improved comparison with the other single compositions. The prepared FGM piezoelectric actuator shows about 3${\mu}$m/IOOV displacement.

• Korean Journal of Food Science and Technology
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• v.34 no.4
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• pp.631-636
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• 2002

Lethality of high intensity light pulse on the pre-determined microbial populations has been investigated. Prior to the treatment, Lactobacillus plantarum, Lactobacillus brevis, Leuconostoc mesenteroides and Pediococcus pentosaceus were cultivated separately onto the surface of Lactobacilli MRS agar. Pre-determined microbial populations were applied to the test media and these sample were exposed to high intense light source with an exposure time ranging from 1 to $2500\;{\mu}s$. Results showed that at least 200 light pulses of $1\;{\mu}s$ duration were required to reduce L. Plantarum cells by 90% at 25 kV, the greater the number of light pulses, the larger the reduction in viable cell numbers. Viable cells of L. plantarum and the others were reduced by more than 5 and 6 log cycles at the upper exposure level of $750\;{\mu}s$, respectively. These study shows that pulsed light emissions can significantly reduce populations of lactic acid bacteria on exposed surface with exposure times. Killing efficiency for L. plantarum significantly increased with decreasing the distance between the lamp and the surface of samples.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.17 no.9
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• pp.401-406
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• 2016

When measuring live cable faults and their location based on reflectometry, a coupler is placed between the cable and the test system. This coupler prevents damage to the test circuits by indirectly measuring the live voltage of the cable using reflectometry. It also provides a coupling path that allows the transmission and receive signal to pass into the cable. In this study, we design and construct a contact coupler to locate faults in both dead and live cables using reflectometry. The proposed coupler is of the inductive coupling type and is constructed after the calculation of the signal transmission loss by simulation. The performance of the developed coupler is tested by measuring the transmission loss and frequency flatness. The results showed that the transmission signal loss is less than -1.98dB in the frequency bandwidth above 1 Mhz. The reflectometry system was designed based on sequence time domain reflectometry (STDR) and spread spectrum time domain reflectometry (SSTDR) in order to apply it to the detection of faults and their location in live cables and tests on live cables were performed. The test results showed that the proposed coupler can be used in a reflectometry system for live cable fault detection.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2003.05a
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• pp.55-55
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• 2003

최근 높은 해상도의 평판 디스플레이 장치 특히 차세대 TFT-LCD를 개발하기 위해서는 건식식각공정의 개발이 필수 불가결하며 이는 플라즈마 공정장치의 대면적화가 가능해야 한다. 따라서 산업계는 이러한 제조 조건에 알맞는 대면적 플라즈마 반응기 개발을 추구하고 있다. 이를 위해서는 건식식각공정의 개발이 필수 불가결하며 이를 위해선 플라즈마 공정장 치의 대면적화가 가능해야 한다. 이러한 대면적 공정을 위해서는 낮은 공정압력, 고밀도, 높은 플라즈마 균일도가 요구된다. 또한 이러한 대면적 고밀도 플라즈마에의 적용을 위하여 새로운 유도결합형 플라즈마 소오스의 개발이 진행되고 있으며, 안정적인 300mm웨이퍼 공정을 위하여 여러 형태의 안테나가 연구되어지고 있다. 그러나 차세대 TFT-LCD에 적용 가 능하게끔 기존의 ICP 소오스를 직접적으로 대면적화 하는데 있어서는 안테나의 인덕턴스의 값이 키지며, 유전물질의 두께 증가 및 그에 따른 재료비의 상슴에 의해 그 한계점을 나타 내었다. 본 연구에서는 차세대 TFT-LCD 및 POP 대면적 공정에 적용 가능한 고밀도 플라즈마를 발생시키기 위해서 내장형 유도결합형 선형 안테나를 사용하였다. 내장형 유도결합형 선형 안테나가 가지고 있는 고유의 정전기적 결합효과를 최소화시키기 위해 직사각형모양의 플라즈마 챔버(830mm*1,020mm)에서 영구자석을 사용하였다. 영구자석을 사용하여 외부자 장을 인가하였을 때가, 그럴지 않은 때보다 RF 안테나에 걸리는 코일의 전압을 낮춰주었으며, 영구자석의 배열에 따라 코일의 인덕턴스의 값이 크게 변함을 알 수 있었다. 그리고, 최적화된 자장의 배열은 플라즈마의 이온밀도를 증가시켰으며, 플라즈마 균일도 또한 10% 이 내로 유지됨을 알 수 있었다. 따른 식각 메커니즘에 대하여 알아보고자 하였다. $CF_4/Cl_2$ gas chemistry 에 첨 가 가스로 $N_2$와 Ar을 첨 가할 경 우 텅 스텐 박막과 하부 layer 간의 etch selectivity 증가는 관찰되지 않았으며, 반면에 첨가 가스로 $O_2$를 사용할 경우, $O_2$의 첨가량이 증가함에 따라 etch s selectivity 는 계속적으로 증가렴을 관찰할 수 있었다. 이는 $O_2$ 첨가에 따라 형성되는 WOF4 에 의한 텅스텐의 etch rates 의 감소에 비하여, $Si0_2$ 등의 형성에 의한 poly-Si etch rates 이 더욱 크게 감소하였기 때문으로 사료된다. W 과 poly-Si 의 식각 특성을 이해하기 위하여 X -ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 사용하였으며, 식각 전후의 etch depth 를 측정하기 위하여 stylus p pmfilometeT 를 이용하였다.X> 피막이 열처리 전후에 보아는 기계적 특성의 변화 양상은 열역학적으로 안정한 Wurzite-AlN의 석출에 따른 것으로 AlN 석출상의 크기에 의존하며, 또한 이러한 영향은 $(Ti_{1-x}AI_{x})N$ 피막에 존재하는 AI의 함량이 높고, 초기에 증착된 막의 업자 크기가 작을 수록 클 것으로 여겨진다. 그리고 환경의 의미의 차이에 따라 경관의 미학적 평가가 달라진 것으로 나타났다.corner$적 의도에 의한 경관구성의 일면을 확인할수 있지만 엄밀히 생각하여 보면 이러한 예의 경우도 최락의 총체적인 외형은 마찬가지로